Guia Para El Examen Extraordinario de FES
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![Page 1: Guia Para El Examen Extraordinario de FES](https://reader036.fdocuments.ec/reader036/viewer/2022082318/55cf8fb1550346703b9ee03e/html5/thumbnails/1.jpg)
Guía de estudio para el examen extraordinario de Introducción a la Física del Estado Sólido
1.- Estructuras cristalinas simples: base , red y sólidos perteneciente a cada una de ellas.
2.- Ley de Bragg
3.- Funciones periódicas y red recíproca. Deducción de las condiciones de difracción de Laue. Zonas
de Brillouin. Importancia de las fronteras de las zonas de Brillouin.
4.- Relación entre red cristalina directa y red recíproca: Deducción del Factor de Estructura.
Interpretación física del factor de Dispersión Atómico.
5.- Descripción del origen físico de los enlaces bipolar, Iónico, Covalente y Metálico. Propiedades
de los sólidos caracterizados por cada uno de ellos.
6.- Oscilaciones en una red biatómica. Deducción de la ecuación de dispersión: Ramas de oscilación
acústicas y ópticas. Modos de oscilación de los átomos en una y otra. Fonones.
7.- Descripción de los modelos de Eisntein y Debye del calor específico.
8.- Estadística de Fermi –Dirac. Propiedades de la función de distribución a T = 0 y a T ≠ 0.
9.- Deducción de la ley de Ohm de acuerdo al modelo cuántico. Esfera de Fermi.
10.- Modelo de Kronig-Penney, de acuerdo al esquema de pozos de potencial. Descripción del
modelo. Deducción de la de la ecuación trascendente.
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11.- Deducción de la masa efectiva del electrón. Formas de escribir la ecuación de onda teniendo en
cuenta o no la masa efectiva del electrón. Masas efectivas ligeras y pesadas. Signo de la masa
efectiva en función de la condición de extremo de
12.- Huecos. Deducción de la densidad de corriente a partir de estados no ocupados por electrones.
Masa efectiva del hueco. Masas efectivas del electrón y el hueco en las bandas de conducción y
valencia.
13.- Diagrama de bandas en un semiconductor intrínseco. Huecos en la banda de valencia y
electrones en la banda de conducción. Distribución de Fermi-Dirac para un semiconductor
intrínseco.
14.- Cálculo de la energía de ionización de impurezas donoras y aceptoras, de acuerdo al modelo
hidrogenoide.
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