Ejercicios de Repaso Parte 1

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UNIVERSIDAD NACIONAL DE SAN AGUSTIN DE AREQUIPA FACULTAD DE INGENIERIA DE PRODUCCION Y SERVICIO ESCUELA DE INGENIERIA ELECTRICA BATERIA DE EJERCICIOS DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES PARTE 1 NOTA: NOMBRES: CODIGO: APELLIDOS: FIRMA: 1.- Que sucede cuando se agrega calor al silicio 2.- Describa el proceso de dopado y como altera la estructura atómica del silicio 3.- Porque se producen los pares electrón-hueco 4.- El diodo debido a su potencial de barrera, ¿Puede ser utilizado como fuente de tensión?, explique porque 5.- Determine la tensión a través de cada uno de los diodos mostrado en la figura utilizando el modelo completo del diodo r d = 10 Ω r R = 100 MΩ 6.- Describa la forma de onda de salida de cada uno de los circuitos de la figura, suponga que la constante de tiempo RC es mucho más grande que el periodo de la entrada.

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ecuaciones diferenciales

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UNIVERSIDAD NACIONAL DE SAN AGUSTIN DE AREQUIPA

FACULTAD DE INGENIERIA DE PRODUCCION Y SERVICIO

ESCUELA DE INGENIERIA ELECTRICA

BATERIA DE EJERCICIOSDISPOSITIVOS SEMICONDUTORES

PARTE 1

NOTA:

NOMBRES: CODIGO:

APELLIDOS: FIRMA:

1.- Que sucede cuando se agrega calor al silicio

2.- Describa el proceso de dopado y como altera la estructura atómica del silicio

3.- Porque se producen los pares electrón-hueco

4.- El diodo debido a su potencial de barrera, ¿Puede ser utilizado como fuente de tensión?, explique porque

5.- Determine la tensión a través de cada uno de los diodos mostrado en la figura utilizando el modelo completo del diodo rd = 10 Ω rR = 100 MΩ

6.- Describa la forma de onda de salida de cada uno de los circuitos de la figura, suponga que la constante de tiempo RC es mucho más grande que el periodo de la entrada.

7.- Diseñe un rectificador de onda completa utilizando un transformador de 18 V con derivación central. El rizo de salida no debe de exceder el 5% de la tensión de salida con una resistencia de carga de 680 Ω. Especifique los valores nominales de IF y PIV de los diodos y seleccione el diodo apropiado según la hoja de especificaciones entregada en clases.

8.- Determine la tensión a través de cada capacitor del circuito de la figura

9.- Diseñe un regulador de tensión empleando el diodo zener para satisfacer las siguientes especificaciones. La tensión de entrada es de 24 Vcd, la corriente de carga es de 35 mA y la tensión a través de la carga es de 8.2 Vcd.

10.- Determine si son correctos los conjuntos de tensión al medirse en los puntos 1, 2, 3; si no lo son, identifique la falla o fallas más probables. Indique lo que haría para corregir el problema, el diodo zener tiene una tensión nominal de 12 V y la tensión de alimentación es 120 Vrms.

a.- V1 = 120 Vrms, V2 = 30 Vcd, V3 = 12 Vcd

b.- V1 = 120 Vrms, V2 = 30 Vcd, V3 = 30 Vcd

c.- V1 = 0 Vrms, V2 = 0 Vcd, V3 = 0 Vcd

d.- V1 = 120 Vrms, V2 = 9 V, V3 = 0 V

e.- Si D5 abierto entonces VSAL =

f.- Si R abierto entonces VSAL =

g.- Si C abierto entonces VSAL =

h.- Si D3 abierto entonces VSAL =

i.- Si D2 abierto entonces VSAL =

j.- Si T abierto entonces VSAL =

11.- Determine el esquema de conexión del visualizador de 7 segmentos, para que muestre el numero 5. La corriente continua máxima con polarización en directa para cada LED es de 30 mA y se debe utilizar una fuente de +5 Vdc.

12.- Diseñe un circuito de visualización de LED rojos de siete segmentos en el cual pueda mostrarse cualquiera de los 10 dígitos por medio de un conjunto de interruptores. Cada segmento de LED debe tener una corriente de 20 mA ± 10% con una fuente de 12 V. Utilizar un numero mínimo de interruptores.

13 .- Explique el propósito de de una región base delgada levemente dopada

14.- ¿Por qué la corriente en la base de un transistor es mucho menor que la corriente en el colector?

15.- ¿Cual es la ganancia de corriente de un transistor si IC = 20.3 mA e IE = 20.5 mA?

16.- Determine VCE, VBE y VCB en los circuitos mostrados

17.- En el circuito mostrado determine:

a.- IC (sat)

b.- IB que produce saturación

c.- VENT mínimo cuando VCE (sat) = 0V

18.- Consulte la hoja de datos técnicos de los transistores mostrados y determine si se excede alguna capacidad en cada uno de los circuitos mostrados

Buscar la hoja de especificaciones en: www.fairchildsemi.com/ds/2N/ 2N3904 .pdf

Ing. Gerson La Torre García (2009-1)