Ud1 Tierras Ct

Alejandro G. Castro 2010 1

Inst. Distribución

Unidad Didáctica 1

Centros de Transformación

Instalación de tierras


Inst

. de D

istr

ibu

ción

Resistividad del terreno


Inst

. de D

istr

ibu

ción

Medida de resistividad : (m)


Inst

. de D

istr

ibu

ción

Paso de la corriente por el terreno


Inst

. de D

istr

ibu

ción

Gradiente de tensiones


Inst

. de D

istr

ibu

ción

Tensión de paso Upa y Tensión de contacto Uca máximas aplicables al cuerpo humano.MIE-RAT 13


Inst

. de D

istr

ibu

ción

Tensión de paso Up y Tensión de contacto Uc que pueden aparecer en el terreno


Inst

. de D

istr

ibu

ción

Aspectos a tener en cuenta en el diseño de la instalación de tierras de un CT

A.- Seguridad de las personas en lo concerniente a las tensiones de paso y contacto

B.- Protección del material

C.- Valor de la intensidad de defecto Id suficiente para hacer actuar los relés de protección y asegurar la eliminación de la falta


Inst

. de D

istr

ibu

ción


A.- Seguridad de las personas en lo concerniente a las tensiones de paso y contacto Mallado equipotencial interior en el suelo para evitar

tensiones de contacto peligrosas Tensiones de contacto y paso exteriores

La tensión de paso de acceso Up(acc= es equivalente a la tensión de contacto (debido al mallado equipotencial)

para el caso de electrodos longitudinales con picas exteriores, colocados frente a los accesos al CT paralelos a su fachada, no debe considerarse la tensión de paso de acceso y contacto exterior.

Por el contrario si el electrodo se ubica lejosde los accesos al CT, deberá considerarse como tensión de paso de acceso y contacto exterior, la tensión de defecto Ud = Id Rt.


Inst

. de D

istr

ibu

ción


Inst

. de D

istr

ibu

ción


B.- Protección del material La condición es que el nivel de aislamientodel equipo

de BT del CT, sea igual o superior a la tensión de defecto, o sea:

UBT Id Rt


Inst

. de D

istr

ibu

ción


Inst

. de D

istr

ibu

ción

Configuraciones tipo, UNESA


Inst

. de D

istr

ibu

ción

Parámetros característicos de las configuraciones tipo


Inst

. de D

istr

ibu

ción

Orden de los cálculos


Inst

. de D

istr

ibu

ción

Ejemplo 1

Datos: Tensión de alimentación: 26400 V. Duración del paso de corriente: 1 segundo. Intensidad de defecto: 430 A. Resistividad del terreno: = 200 m. CT en edificio propio.


Inst

. de D

istr

ibu

ción

Ejemplo 1

Calculos (1): Se elige un electrodo de configuración en

rectángulo de 7 x 4 m . Concretamente: profundidad de enterramiento: 0,5

m; 4 picas de 2 m. Valores unitarios:

Kr = 0, 076; Kp = 0,0165; Kp(acc) = 0,0362


Inst

. de D

istr

ibu

ción

Ejemplo 1


Inst

. de D

istr

ibu

ción

Ejemplo 1

Cálculos (2): Resistencia del electrodo Tensión de defecto

Tensión de paso exterior admisible (fórmula 1)

Tensión de paso de acceso admisible (fórmula 3)

2,15200076,0Rt

V65364302,15Ud

V17271000

20061

15,78

10Upa

V83211000

3000320031

15,78

10U )acc(pa


Inst

. de D

istr

ibu

ción

Ejemplo 1

Cálculos (3): Tensión de paso calculada para la instalación

Tensión de paso de acceso calculada para la instalación

V14194302000165,0IKU dpp

V2,31134302000362,0IKU d)acc(p)acc(p


Inst

. de D

istr

ibu

ción

Ejemplo 1

Comprobación: Tensión de paso calculada para la instalación

Tensión de paso de acceso calculada para la instalación

Tensión de defecto

V1727V1419UU pap

V8321V2,3113UU )acc(pa)acc(p

V10000V6536V10000Ud

¡LA CONFIGURACIÓN ELEGIDA ES VÁLIDA!

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