シリコンNチャネル接合形電界効果トランジスタSILICON N CHANNEL JUNCfION FIELD EFFECf TRANSISTOR

OFMチューナ用。VHF帯増幅用

二FMTuner and VHF Amplifier Applications.

・電力利得が大きい Gps=20dB(Typ.) (f=100MHz)

・雑音指数が小さい NF=2dB(Typ.) (f=100MHz)

・相互コ ンダク タンスが大きい gm=7mO(Typ.) (f=100MHz)

・人力インピーダンスが高い RiSS=5kg (Typ.) (f=100MHz)

・帰還容量が小さい Crss=0.45pF(Typ.)

・エポキシ封止

• Eopxiy Encapsulated.

最大定格 MAXIMUM RATING (Ta=250C)

Characteristic I Symbol Rating Unit

ばー ト・ ドレイン関電圧 VGOO -18 V

J ー ト電流 IG 10 mA

子容損失 Po 200 mW

=ミ金温度 TJ 125 。C

戸長存混度 Ts培 -55~125 。C

電気的特性 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta =250 C)

Characteristic

ーート漏れ電流

J ート・ドレイ ン間降伏電圧

、/イン電流(Note)

ギンチ ・オフ電圧

ござコンダクタンス

4宝容量

ミつ利得(Fig.1)

ミ音指数(Fig.1)

1 Symbol i

Jと二71V<BR)GOO I

I Ioss

Vp

gm

Crss

Gps

NF

Condition

vG8=-1.0V， VDS=O

IG=-100μA， Common Drain

VG8=0， VDs=10V

VDs=10V， ID=lμA

VGS=O， VDs=10V，f=lkHz

VGD=-lOV， f=lMHz

VDD=10V， f=100MHz

VDD=10V， f=100MHz

メote; IDssにより下表のように分類し現品表示してあります.

According to the value of Ioss， 2SK19 is classified as follows

二二竺翌年竺空竺_L_~空ヒ 1 Max. Fig.l lOOMHz GPS， NF，測定回路

-SK19-y I 3.0 I 7.0 100MHz Gps， NF TEST CIRCUIT

-SK19-GR I 6.0 I 14.0

:SK19-BL I 12.0 24.0 INPUT

50Sl

Ll : 0.8回世銀メッキ線空心、3η在径10mm世捲長10阻

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2SK19

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2SK19

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ゲート電圧 VCS(V) 、、工1

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VCS=O

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ゲー ト・ドレイン間電庄 VCD(V)

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ドレイン ソース間電圧 VDS(V)

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