FICHA TÉCNICA DE TRANSISTORES

Detalles de Transistores

UNIVERSIDAD PRIVADA TELESUPCURSO: FÍSICA ELECTRÓNICAESTUDIANTE: CRISTIAN ALONSO

PERALTA GUZMÁNSEDE: TRUJILLO

Transistor JEFT Número de Parte: BC548 Material: Si Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS Disipación total del dispositivo (Pc):

0.5 Tensión colector-base (Ucb): 30 Tensión colector-emisor (Uce): 30 Tensión emisor-base (Ueb): 5 Corriente del colector DC máxima (Ic):

0.1 Temperatura operativa máxima (Tj),

°C: 150

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS Producto de corriente -- ganancia —

ancho de banda (ft): 300 Capacitancia de salida (Cc), pF: 6 Ganancia de corriente contínua (hfe):

110 Empaquetado / Estuche: TO92

Fuente: http://www.goldmine-elec-products.com/prodinfo.asp?number=G15045

TRANSISTOR JEFT

TRANSISTOR MOFET Número de Parte: IRF840 Tipo de FET: MOSFET Polaridad de transistor: N ESPECIFICACIONES MÁXIMAS Disipación total del dispositivo (Pd):

125 Tensión drenaje-fuente (Uds): 500 Tensión compuerta-fuente (Ugs):

20 Corriente continua de drenaje (Id):

8 Temperatura operativa máxima

(Tj), °C: 150 CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS Tiempo de elevación (tr): Conductancia de drenaje-sustrato

(Cd), pF: 1500 Resistencia drenaje-fuente RDS

(on), Ohm: 0.85 Empaquetado / Estuche: TO220

http://www.electronicrepairguide.com/mosfet-testing.html

TRANSISTOR MOFET

TRANSISTOR IGBT Número de Parte: RJH60F5DPK Polaridad de transistor: N-

Channel ESPECIFICACIONES MÁXIMAS Disipación total del dispositivo

(Pc): Tensión colector-emisor (Uce):

600V Voltaje de saturación colector-

emisor (Ucesat): 1.37V Tensión emisor-compuerta

(Ueg): Corriente del colector DC

máxima (Ic): 80A Temperatura operativa máxima

(Tj), °C: Tiempo de elevación: 85 Capacitancia de salida (Cc), pF: Empaquetado / Estuche: TO3P

http://http://www.tme.eu/en/katalog/igbt-transistors_112840/

TRANSISTOR IGBT

TRANSISTOR TDT Número de Parte: IRFP064N Tipo de TDET Polaridad de transistor: N ESPECIFICACIONES MÁXIMAS Disipación total del dispositivo

(Pd): 200 Tensión drenaje-fuente (Uds): 55 Tensión compuerta-fuente (Ugs):

20 Corriente continua de drenaje (Id):

110 Temperatura operativa máxima

(Tj), °C: 175 CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS Tiempo de elevación (tr): Conductancia de drenaje-sustrato

(Cd), pF: 4000 Resistencia drenaje-fuente RDS

(on), Ohm: 0.008 Empaquetado / Estuche: TO247

httphttp://www.ebay.com/itm/2SA1012-TRANSISTOR-A1012-2SA-1012-TO-220-/321448250761

TRANSISTOR TDT

TRANSISTOR DE POTENCIA Número de Parte: 2N222 POTENCIA Material: Ge Polaridad de transistor: PNP ESPECIFICACIONES MÁXIMAS Disipación total del dispositivo (Pc):

0.07 Tensión colector-base (Ucb): 15 Tensión colector-emisor (Uce): 12 Tensión emisor-base (Ueb): 0 Corriente del colector DC máxima

(Ic): 0.07 Temperatura operativa máxima (Tj),

°C: 85 CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS Producto de corriente -- ganancia —

ancho de banda (ft): 0.4 Capacitancia de salida (Cc), pF: 70 Ganancia de corriente contínua

(hfe): 20 Empaquetado / Estuche: TO1

http://david-electronica-itca.blogspot.com/p/componentes-de-la-electronica.html

TRANSISTOR DE POTENCIA

FUENTEhttp://

www.microelectronicash.com/http://www.ifent.org/lecciones/

zener/default.asphttp://www.neoteo.com/

midiendo-diodos-y-transistores-15335