FICHA TÉCNICA DE

TRANSISTORES

Detalles de Transistores

UNIVERSIDAD PRIVADA

TELESUP CURSO: FÍSICA ELECTRÓNICA

ESTUDIANTE: CRISTIAN ALONSO

PERALTA GUZMÁN

SEDE: TRUJILLO

Transistor JEFT

Número de Parte: BC548

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.5

Tensión colector-base (Ucb): 30

Tensión colector-emisor (Uce): 30

Tensión emisor-base (Ueb): 5

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1

Temperatura operativa máxima (Tj), °C: 150

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Producto de corriente -- ganancia —ancho de banda (ft): 300

Capacitancia de salida (Cc), pF: 6

Ganancia de corriente contínua (hfe): 110

Empaquetado / Estuche: TO92

Fuente: http://www.goldmine-elec-

products.com/prodinfo.asp?numb

er=G15045

TRANSISTOR JEFT

TRANSISTOR MOFET

Número de Parte: IRF840

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 125

Tensión drenaje-fuente (Uds): 500

Tensión compuerta-fuente (Ugs): 20

Corriente continua de drenaje (Id): 8

Temperatura operativa máxima (Tj), °C: 150

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr):

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd), pF: 1500

Resistencia drenaje-fuente RDS (on), Ohm: 0.85

Empaquetado / Estuche: TO220 http://www.electronicrepai

rguide.com/mosfet-

testing.html

TRANSISTOR MOFET

TRANSISTOR IGBT

Número de Parte: RJH60F5DPK

Polaridad de transistor: N-Channel

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc):

Tensión colector-emisor (Uce): 600V

Voltaje de saturación colector-emisor (Ucesat): 1.37V

Tensión emisor-compuerta (Ueg):

Corriente del colector DC máxima (Ic): 80A

Temperatura operativa máxima (Tj), °C:

Tiempo de elevación: 85

Capacitancia de salida (Cc), pF:

Empaquetado / Estuche: TO3P

http://http://www.tme.eu/e

n/katalog/igbt-

transistors_112840/

TRANSISTOR IGBT

TRANSISTOR TDT

Número de Parte: IRFP064N

Tipo de TDET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 200

Tensión drenaje-fuente (Uds): 55

Tensión compuerta-fuente (Ugs): 20

Corriente continua de drenaje (Id): 110

Temperatura operativa máxima (Tj), °C: 175

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr):

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd), pF: 4000

Resistencia drenaje-fuente RDS (on), Ohm: 0.008

Empaquetado / Estuche: TO247

httphttp://www.ebay.com/it

m/2SA1012-

TRANSISTOR-A1012-

2SA-1012-TO-220-

/321448250761

TRANSISTOR TDT

TRANSISTOR DE

POTENCIA Número de Parte: 2N222 POTENCIA

Material: Ge

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.07

Tensión colector-base (Ucb): 15

Tensión colector-emisor (Uce): 12

Tensión emisor-base (Ueb): 0

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.07

Temperatura operativa máxima (Tj), °C: 85

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Producto de corriente -- ganancia —ancho de banda (ft): 0.4

Capacitancia de salida (Cc), pF: 70

Ganancia de corriente contínua (hfe): 20

Empaquetado / Estuche: TO1http://david-electronica-

itca.blogspot.com/p/comp

onentes-de-la-

electronica.html

TRANSISTOR DE

POTENCIA