7/22/2019 TRABAJO DE ELECTRONICA BASICA.docx
1/15
1
ELECTRNICA BSICA
TRABAJO COLABORATIVO
MARTHA LILIANA IDROBO SANTARUZ
Cdigo 1061748588
Tutor
JAIRO LUIS GUTIERREZ
UNIVERSIDAD NACIONAL ABIERTA Y A DISTANCIA (UNAD)
INGENIERIA DE TELECOMUNICACIONES
POPAYAN-CAUCA
2014
7/22/2019 TRABAJO DE ELECTRONICA BASICA.docx
2/15
2
INTRODUCCION
Con el siguiente trabajo se demostrara la temtica de la unidad N1, resolviendo los ejercicios
planteados sobre los diodos y transistor BJT, donde se mostraran pantallazos sobre el trabajo; con
la ayuda del programa de PSPICE, uno de los simuladores en el diseo y anlisis de circuitos tanto
analgicos como digitales.
7/22/2019 TRABAJO DE ELECTRONICA BASICA.docx
3/15
3
TABLA DE CONTENIDO
Pag,
Introduccin. .2
Fase 1. Diodos..4
Fase 2. Transistor BJN11
Conclusiones. ..14
Bibliografa.15
7/22/2019 TRABAJO DE ELECTRONICA BASICA.docx
4/15
4
FASE 1: LOS DIODOS
Conociendo que el voltaje de entrada VP (Voltaje Pico) es de 9 Volts se inicia el diseo de un
circuito rectificador.
Dada las Formulas Relacionadas al Rectificador de Onda Completa tipo puente:
Vrms =VP / 2 PIV =VP (Sal) + 0.7V Vrms= VP x 0.707
VProm =2VP / VP (Sec) =VP (Sal) + 1.4V
Definiciones:
Vrms (Ent):Valor eficaz del voltaje de entrada al rectificador.
VProm (Ent):Valor promedio del voltaje de entrada al rectificador.
VP (Sal):Valor pico de salida del rectificador.
Vrms (Sal):Valor eficaz del voltaje de salida del rectificador.
PIV:Voltaje de Pico Inverso.
1.1Complete luego de los clculos la siguiente tabla:
Vrms(ent) Vprom(ent) Vp(sal) Vrms(sal) PIV
6.3640Vlts 5.7295 Volst 7.6Volts (sal) 6.363Volts 9.7 V (Sal)
Vrms = VP / 2 VProm = 2VP /
Vrms =9 V / 2 VProm =2(9)/ 3.1416
Vrms =9 V / 1.4142 VProm = 5.7295 Volst
Vrms = 6.3640Vlts
7/22/2019 TRABAJO DE ELECTRONICA BASICA.docx
5/15
5
VP (Sec) = VP (Sal) + 1.4V Vrms = VP x 0.707
Vrms= 9V x 0.707
VP (Sal) =VP (sec) - 1.4V Vrms= 6.363VoltsVP (Sal) = 9V-1.4V
VP (Sal) = 7.6Volts (sal)
PIV = VP (Sal) + 0.7V
PIV = 9 V (Sal) + 0.7V
PIV = 9.7 V (Sal)
1.2Construir en Pspice Student 9.1 y Simular en anlisis transitorio dibujando al menos 4 ciclos dela seal de entrada y salida del circuito de la Figura No.1, debe anexar pantallazo de grficas
resultado de la simulacin dentro del informe y exponer las conclusiones de lo observado
durante el experimento.
7/22/2019 TRABAJO DE ELECTRONICA BASICA.docx
6/15
6
1.3Agregar un condensador de 1200uF en paralelo con R1 al circuito de la figura No.1 y volver a
simular, anexar nueva grfica y comentar que cambio nota.
7/22/2019 TRABAJO DE ELECTRONICA BASICA.docx
7/15
7
El cambio fue en la seal de salida de R1 el cual al llegar a su punto mximo de la cresta
mantiene una lnea recta lo que significa que permanece un voltaje constante respecto a la
seal de entrada de V1
1.4Mencione si la siguiente afirmacin es falsa o verdadera y justifique su respuesta:
El circuito de la figura No.1 es llamado rectificador de Onda completa con derivacin central!
7/22/2019 TRABAJO DE ELECTRONICA BASICA.docx
8/15
8
Rta:La afirmacin es falsa, porque si bien el circuito es un rectificador de ondacompleta no es con derivacin central puesto que estos utilizan entre la fuente ylos diodos un transformador para convertir corriente alterna en continua.
1.5Disear un Regulador Zener que cumpla estas condiciones: Tensin de fuente Vs = 15Vdccorriente necesitada en la carga IRL= 10mA. En este diseo se debe implementar el Diodo
1N750.Completar luego de los clculos la siguiente tabla.
Izmin Rsmin Rsmax Rs RL Is Iz Pz11.25mA 137 309 223 4680 46mA 24mA 112.8mA
Dadas las formulas:
PZ = VZ IZ RSmn
7/22/2019 TRABAJO DE ELECTRONICA BASICA.docx
9/15
9
RSmx = (VS - VZ) / (IZmn + IRL)
RSmx =(15Vdc- 4.7) / (11.25mA+ 22mA)
RSmx =(10.3) / (33.25)
RSmx = 0.31 =309
RS = (RSmn + RSmx) / 2
RS = (137+309) / 2
RS = (446) / 2
RS = 223
IRL = VL / RL
RL=IRL/VL
RL=22mA/4.7
RL=4.68=4680
IS = (VS - VZ) / RS
IS =(15Vdc- 4.7) / 223
IS =(10.3) / 223
IS = 0.046=46mA
IZ = ISIRL
IZ = 46mA22Ma
IZ = 24mA
PZ = VZ IZ
PZ =4.7 * 24
Pz=112.8mA
Definiciones:
VS:valor de la fuente de tensin no regulada
VZ:Voltaje Zener (parmetro en hoja del fabricante)
PZmx: potencia mxima soportada por el Zener (parmetro en hoja del fabricante)
PZ:potencia disipada por el Zener
IZ:corriente en el Zener
RS:valor ptimo para el resistor limitador de corriente
RSm n:mnimo valor para el resistor limitador de corriente
RSmx:mximo valor para el resistor limitador de corriente
7/22/2019 TRABAJO DE ELECTRONICA BASICA.docx
10/15
10
RL:carga
RZ:resistencia del Zener
IRL:corriente necesitada en la carga
IZmn:corriente Mnima Zener
IZmx:corriente Mxima soportada por el Zener (parmetro en hoja del fabricante)
IS:corriente en el resistor limitado
1.6Construir en el Simulador Pspice Student 9.1 el Regulador Zener incluya imagen capturada
desde la aplicacin mostrando los valores medidos de Voltaje y Corriente.
7/22/2019 TRABAJO DE ELECTRONICA BASICA.docx
11/15
11
FASE 2: EL TRANSISTOR BJT.
2.1 DADAS LAS FORMULAS:
VCE = VC Beta = IC / IB IB= (VBBVBE) / RB PD= VCE * IC
Dado el circuito Transistor BJT NPN Emisor Comn:
Completar la siguiente Tabla:
VC RC IB VB RB PD
7.5V 75 0.848mA 5.3V 6.25K 750mW
Clculos
VCE =VC=7.5V
Beta = IC / IB= IB = Ic/Beta=100Ma/118=0.848mA
PD= VCE * IC=7.5V*100Ma=750Mw IB= (VBBVBE) / RB =(VBB-VBE)/IB= RB=(6V-0.7)/0.848=6.25K
VCE=VCC-( IC*RC)=RC=(VCC- VCE)/IC= 75
7/22/2019 TRABAJO DE ELECTRONICA BASICA.docx
12/15
12
2.2 Mencionar las zonas de trabajo del Transistor BJT y aplicacin de cada una de ellas.
Los transistores de unin bipolar tienen diferentes regiones operativas, definidas principalmente
por la forma en que son polarizados:
Regin activa en cuanto a la polaridad:
Corriente del emisor = ( + 1)Ib; corriente del colector= Ib
Cuando un transistor no est ni en su regin de saturacin ni en la regin de corte
entonces est en una regin intermedia, la regin activa. En esta regin la corriente de
colector (Ic) depende principalmente de la corriente de base (Ib), de (ganancia de
corriente, es un dato del fabricante) y de las resistencias que se encuentren conectadas en
el colector y emisor. Esta regin es la ms importante si lo que se desea es utilizar el
transistor como un amplificador de seal.
Regin inversa:
Al invertir las condiciones de polaridad del funcionamiento en modo activo, el transistor
bipolar entra en funcionamiento en modo inverso. En este modo, las regiones del colector
y emisor intercambian roles. Debido a que la mayora de los BJT son diseados para
maximizar la ganancia de corriente en modo activo, el parmetro beta en modo inverso es
drsticamente menor al presente en modo activo.
Regin de corte: Un transistor est en corte cuando:
Corriente de colector = corriente de emisor = 0, (Ic= Ie= 0)
En este caso el voltaje entre el colector y el emisor del transistor es el voltaje de
alimentacin del circuito. (Como no hay corriente circulando, no hay cada de voltaje,
verLey de Ohm). Este caso normalmente se presenta cuando la corriente de base = 0 (Ib
=0)
De forma simplificada, se puede decir que el la unin CE se comporta como un circuito
abierto, ya que la corriente que lo atraviesa es cero.
Regin de saturacin: Un transistor est saturado cuando:
Corriente de colector corriente de emisor = corriente mxima, (Ic Ie= Imax)
http://es.wikipedia.org/wiki/Ley_de_Ohmhttp://es.wikipedia.org/wiki/Ley_de_Ohmhttp://es.wikipedia.org/wiki/Ley_de_Ohmhttp://es.wikipedia.org/wiki/Ley_de_Ohm7/22/2019 TRABAJO DE ELECTRONICA BASICA.docx
13/15
13
En este caso la magnitud de la corriente depende del voltaje de alimentacin del circuito y
de las resistencias conectadas en el colector o el emisor o en ambos, verLey de Ohm.Se
presenta cuando la diferencia de potencial entre el colector y el emisor desciende por
debajo del valor umbral VCE,sat. Cuando el transistor est en saturacin, la relacin lineal de
amplificacin Ic=Ib(y por ende, la relacin Ie=IcIb) no se cumple.
De forma simplificada, se puede decir que la unin CE se comporta como un cable, ya que
la diferencia de potencial entre C y E es muy prxima a cero.
Como se puede ver, la regin activa es til para la electrnica analgica (especialmente
til para amplificacin de seal) y las regiones de corte y saturacin, para la electrnica
digital, representando el estado lgico alto y bajo, respectivamente.
Los transistores tienen multitud de aplicaciones, entre las que se encuentran:
Amplificacin de todo tipo (radio, televisin, instrumentacin)
Generacin de seal (osciladores, generadores de ondas, emisin de radiofrecuencia)
Conmutacin, actuando de interruptores (control de rels, fuentes de alimentacin
conmutadas, control de lmparas, modulacin por anchura de impulsos PWM).
Deteccin de radiacin luminosa (fototransistores).
Se usan generalmente en electrnica analgica y en la electrnica digital como la
tecnologa TTL o BICMOS.
Son empleados en conversores estticos de potencia, controles para motores y llaves de
alta potencia (principalmente inversores), aunque su principal uso est basado en la
amplificacin de corriente dentro de un circuito cerrado.
http://es.wikipedia.org/wiki/Ley_de_Ohmhttp://es.wikipedia.org/wiki/Ley_de_Ohmhttp://es.wikipedia.org/wiki/Ley_de_Ohmhttp://es.wikipedia.org/wiki/Ley_de_Ohm7/22/2019 TRABAJO DE ELECTRONICA BASICA.docx
14/15
14
CONCLUSIONES
7/22/2019 TRABAJO DE ELECTRONICA BASICA.docx
15/15
15
BIBLIOGRAFIA