5/9/2018 PRAC 01 Circuitos de Polarizaci n con BJT - slidepdf.com
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INSTITUTO TECNOLÓGICO DE ORIZABA
DEPARTAMENTO DE INGENIERÍA ELÉCTRICA-ELECTRÓNICA(ÁREA ELECTRÓNICA)
1
LABORATORIO DE ELECTRÓNICA ANALÓGICA II
PRÁCTICA # 1
TÉCNICAS DE POLARIZACIÓN DE BJT’s (CIRCUITOS DE MÁXIMA VARIACIÓN SIMÉTRICA).
OBJETIVO:
El alumno reforzará los conocimientos adquiridos acerca de la recta de carga y del punto deoperación y comprobará el comportamiento práctico de circuitos diseñados para operar enMáxima Excursión Simétrica.
I DESARROLLO TEÓRICO.
I.1 MARCO TEÓRICO.
I.2 DISEÑO.
Se calcula el valor de las resistencias de polarización de los diferentes circuitos.
I.3 PREREPORTE.
Simular en EWB o PSPICE los circuitos amplificadores diseñados para operar en máximaexcursión simétrica, determinar los diferentes puntos de operación y tabular los resultados.
II DESARROLLO PRÁCTICO.
II.1 MATERIAL Y EQUIPO A UTILIZAR.
Transistores bipolares con hojas de datos.
Resistencias. Tablilla de pruebas (Protoboard). Alambre para interconexiones y puntas de prueba.
Fuente de Voltaje Regulada. Multímetro Analógico o Digital.
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II.2 PROCEDIMIENTO Y RESULTADOS.
A) CIRCUITO DE POLARIZACIÓN FIJA.
A.1.- Diseñe y arme el circuito de la Figura 1.1 para M. E. S. con un Transistor __________,VCE de 5 V y una ICQ de 5 mA. Consulte en las hojas de datos las características deltransistor.
Figura 1.1 Amplificador con Polarización Fija.
A.2.- Con un multímetro de CD realice las mediciones de todas las características deCorriente y Voltaje del amplificador y tabúlelos en la Tabla 1.1 junto con los valoresteóricos calculados y simulados.
QValores VCC RB VC VE VCE IC IE IB Teóricos
SimuladosPrácticos
Tabla 1.1 Comparación de Resultados Teóricos, Simulados y Prácticos.
A.3.- Sustituya RB con una resistencia de aproximadamente el 80 % del valor calculado y unpotenciómetro del 30 al 40 % y varíe este hasta obtener exactamente el punto deoperación para M. E. S.. Mida el valor total de RB y anote sus observaciones.
T*2N22222N3904BC337
BC548MPS A05etc.
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B) CIRCUITO DE POLARIZACIÓN CON RETROALIMENTACIÓN.
B.1.- Diseñe y arme el circuito de la Figura 1.2 para M. E. S. con un Transistor __________,VCE de 5 V y una ICQ de 5 mA.
Figura 1.2 Amplificador con Retroalimentación de Colector.
B.2.- Con un multímetro de CD realice las mediciones de todas las características deCorriente y Voltaje del amplificador y tabúlelos en la Tabla 1.2 junto con los valoresteóricos calculados y simulados.
QValores VCC RB VC VE VCE IC IE IB Teóricos
SimuladosPrácticos
Tabla 1.2 Comparación de Resultados Teóricos, Simulados y Prácticos.
B.3.- Sustituya RB con una resistencia de aproximadamente el 80 % del valor calculado y unpotenciómetro del 30 al 40 % y varíe este hasta obtener exactamente el punto de
operación para M. E. S.. Mida el valor total de RB y anote sus observaciones.
RB RC
RE
T* VCC
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C) CIRCUITO DE POLARIZACIÓN POR DIVISOR DE VOLTAJE.
C.1.- Diseñe y arme el circuito de la Figura 1.3 para M. E. S. con un Transistor __________,VCE de 5 V y una ICQ de 5 mA.
Figura 1.3 Amplificador con Polarización por Divisor de Voltaje.
C.2.- Con un multímetro de CD realice las mediciones de todas las características deCorriente y Voltaje del amplificador y tabúlelos en la Tabla 1.3 junto con los valoresteóricos calculados y simulados.
QValores VCC RB VC VE VCE IC IE IB Teóricos
SimuladosPrácticos
Tabla 1.3 Comparación de Resultados Teóricos, Simulados y Prácticos.
C.3.- Sustituya R1 con una resistencia de aproximadamente el 80 % del valor calculado y un
potenciómetro del 30 al 40 % y varíe este hasta obtener exactamente el punto deoperación para M. E. S.. Mida el valor total de R1 y anote sus observaciones.
C.4.- Repita los puntos C.2 a C.4 para un transistor PNP.
Vcc
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III CUESTIONARIO.
1.- ¿En donde se encuentra localizado el punto de operación para M. E. S.?
2.- ¿Qué ocurre al variar la Resistencia de Base en los amplificadores anteriores?
3.- ¿Cuál de estos amplificadores es el más adecuado para trabajar en Máxima Excursiónsimétrica?
4.- ¿Qué ocurre al variar la temperatura?
5.- ¿Las características reales cumplieron lo indicado en las hojas de datos?
6.- ¿Qué diferencias y qué similitudes encontró con el transistor complementario (PNP)?
IV CONCLUSIONES Y RECOMENDACIONES.
V BIBLIOGRAFÍA Y SOFTWARE.
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