TRABAJO ELECTRONICA DE POTENCIA

CRISTIAN OSWALDO CALDERONDAVID ARCANGEL MARTINEZOSCAR ALEJANDRO CARO GOMEZJUAN CARLOS PEA GIL

PROF: Camilo Andres Beltran BeltranINGENIERO EN MECATRONICA

ESCUELA TECNOLOGICA INSTITUTO TECNICO CENTRAL LA SALLETECNICO PROFESIONAL EN MECATRONICABOGOTA, 18 DE MARZO DE 2013

TABLA DE CONTENIDO

1.Transistor de unin bipolar (BJT).31.1.1.Funcionamiento:31.1.2.Control de tensin, carga y corriente41.2.Darlington de Potencia42.MOSFET52.1.MOSFET DE EMPOBRECIMIENTO:52.2.TIPO DE ENREQUECIMIENTO62.3.Simbolos del mosfet.62.4.Curvas Caracteristicas72.5.Proteccion de los mosfet.72.6.Consideraciones del mosfet.73.1.Funcionamiento:93.2.Caractersticas93.3.Voltajes y Corrientes de activacin y desactivacin93.4.Curva caracterstica del comportamiento93.5.Aplicacin104.IGBT (TRANSISTOR BIPOLAR DE COMPUERTA AISLADA)114.1.Funcionamiento114.2.Caractersticas114.3.Curva caracterstica del comportamiento124.4.Circuito de conexin124.5.Simbologa elctrica124.6.Aplicacin125.DRIVES Y CIRCUITOS SUPRESORES DE PICOS (SNUBBER)136.TRANSISTOR UJT136.2.Curva Caracteristica Del UJT156.3.Aplicaciones167.OPTOACOPLADOR167.1.Funcionamiento:168.SISTEMAS DE PROTECCIN DE ELEMENTO TERMICO.179.BIBLIOGRAFIA18

1. Transistor de unin bipolar (BJT).

es un dispositivo electrnicodeestado slidoconsistente en dosuniones PNmuy cercanas entre s, que permite controlar el paso de lacorrientea travs de sus terminales; es el ms comn de lostransistores, y como losdiodos, puede ser de germanio o silicio.En ambos casos el dispositivo tiene 3 patillas y son: el emisor, la base y el colector.Existen dostipostransistores: elNPNy elPNP, y la direccin del flujo de la corrienteen cada caso, lo indica laflechaque se ve en el grfico de cada tipo de transistor.

Eltransistor bipolares unamplificadorde corriente, esto quiere decir que si le introducimos una cantidad de corriente por una de sus patillas (base), el entregar por otra (emisor) , una cantidad mayor a sta, en un factor que se llama amplificacin.Este factor se llama (beta) y es un datopropiode cada transistor.Entonces:- Ic (corriente que pasa por la patilla colector) es igual a (factor de amplificacin) por Ib (corriente que pasa por la patilla base).-Ic=*Ib- Ie (corriente que pasa por la patilla emisor) es igual a (+1) * Ib, pero se redondea al mismo valor que Ic, slo que la corriente en un caso entra al transistor y en el otro caso sale de l, o viceversa.Segn la frmulaanteriorlascorrientesno dependen delvoltajeque alimenta elcircuito(Vcc), pero en la realidad si lo hace y la corriente Ibcambialigeramente cuando secambiaVcc. Verfigura.

1.1.1. Funcionamiento:Un transistor NPN puede ser considerado como dos diodos con la regin del nodo compartida. En una operacin tpica, la unin base-emisor est polarizada en directa y la unin base-colector est polarizada en inversa.Un transistor NPN, por ejemplo, cuando una tensin positiva es aplicada en la unin base-emisor, el equilibrio entre los portadores generados trmicamente y el campo elctrico repelente de la regin agotada se desbalancea, permitiendo a los electrones excitados trmicamente inyectarse en la regin de la base.1.1.2. Control de tensin, carga y corrienteLa corriente colector-emisor puede ser vista como controlada por la corriente base-emisor (control de corriente), o por la tensin base-emisor (control de voltaje). Esto es debido a la relacin tensin-corriente de la unin base-emisor, la cual es la curva tensin-corriente exponencial usual de una unin PN (es decir, undiodo).En el diseo de circuitos analgicos, el control de corriente es utilizado debido a que es aproximadamente lineal. Esto significa que la corriente de colector es aproximadamente veces la corriente de la base. Algunos circuitos pueden ser diseados asumiendo que la tensin base-emisor es aproximadamente constante, y que la corriente de colector es veces la corriente de la base. No obstante, para disear circuitos utilizando BJT con precisin y confiabilidad, se requiere el uso de modelos matemticos del transistor como elmodelo Ebers-Moll.1.2. Darlington de PotenciaEltransistor DarlingtonoAMPes un dispositivosemiconductor que combina dostransistoresbipolares en un tndem en un nico dispositivo.Est compuesto internamente por dostransistores bipolaresque se conectan en cascada y es un tipo especial detransistorque tiene una alta gananciadecorriente.

Al poder estar todo integrado, requiere menos espacio que dos transistores normales en la misma configuracin. La ganancia total del Darlington es el producto de la ganancia de los transistores individuales.Latensinbase-emisor tambin es mayor, siendo la suma de ambas tensiones base-emisor, y para transistores de silicio es superior a 1.2V.

EltransistorT1 entrega lacorrienteque sale por suemisora la base del transistor T2.La ecuacin degananciade untransistortpico es: IE= x IB (Corrientede colector es igual a beta por lacorrientede base).Entonces analizando el grfico:- Ecuacin del primertransistores: IE1 = 1 x IB1 (1),- Ecuacin del segundotransistores: IE2 = 2 x IB2 (2)Observando el grfico, lacorrientedeemisordeltransistor(T1) es la misma que lacorrientede basedeltransistorT2. Entonces IE1 = IB2 (3)Entonces utilizando la ecuacin (2) y la ecuacin (3) se obtiene: IE2 = 2 x IB2 = 2 x IE1Reemplazando en la ecuacin anterior el valor de IE1 (ver ecuacin (1) ) se obtiene la ecuacin final deganancia deltransistorDarlington.IE2 = 2 x 1 x IB1Se utilizanampliamenteencircuitosen donde es necesario controlar cargas grandes con corrientes muy pequeas.La cada detensinentre la base y elemisordeltransistorDarlingtones 1.4 voltios queresultade la suma de las cadas de tensinde baseaemisordel primertransistorB1 a E1 (0.7 voltios) y base aemisordel segundotransistorB2 y E2 (0.7 voltios).

2. MOSFETEl mosfet o tambin conocido como MOS (Metal-oxide semiconductor) en el MOS la puerta est aislada del canal, consiguiendo que la corriente sea muy pequea. Debido a este factor la resistencia de entrada de este tipo de transistores sea elevada, del orden de los 10000 MW, lo cual hace que estos transistores sean ideales para amplificar seales muy dbiles.Hay dos tipos de MOSFET en su funcin de estructura interna, el primero es de empobrecimiento los cuales tienen un gran campo de aplicacin como amplificadores de seales dbiles en altas frecuencias o radio-frecuencia. El segundo es de enriquecimiento el cual tiene una gran aplicacin en circuitos digitales y sobre todo en la construccin de circuitos integrados debido a su pequeo consumo y reducido espacio que ocupa.2.1. MOSFET DE EMPOBRECIMIENTO:Estructura del MOSFET de canal N:

Este componente puede funcionar tanto en la forma de empobrecimiento como de enriquecimiento como se ve en la figura 1. En empobrecimiento su forma de trabajo se explica debido a que los electrones de la fuente pueden circular desde el surtidor hasta el drenador a travs del canal estrecho de material semiconductor tipo N. Cuanto mayor sea la diferencia de potencial VDD aplicada por la fuente, mayor ser esta corriente. La tensin negativa, aplicada a la puerta, produce un estrechamiento en el canal, debido al empobrecimiento de portadores, lo que hace que se reduzca la corriente de drenador. Aqu se aprecia claramente que, el fenmeno de control se realiza a travs del efecto del campo elctrico generado por la tensin VGGde la puerta. Debido a que la puerta est aislada del canal, se puede aplicar una tensin positiva de polarizacin al mismo. De esta manera, se consigue hacer trabajar al MOSFET en enriquecimiento. En el que efectivamente, la tensin positiva del graduador provoca un aumento o enriquecimiento de electrones libres o portadores en el canal, de tal forma que, al aumentar la tensin positiva VGG, aumenta tambin la corriente de drenador.

FIGURA 1

2.2. TIPO DE ENREQUECIMIENTOEn la siguiente imagen se muestra las curvas caractersticas del funcionamiento del drenador y la transconductancia de este tipo de MOSFET.Este transistor slo conduce cuando son aplicadas tensiones positivas al drenador, por lo que normalmente estar en no conduccin o apagado.

En la siguiente imagen se muestra los smbolos que representan al MOSFET de enriquecimiento en el canal tipo N y en el canal tipo P.

2.3. Simbolos del mosfet.

2.4. Curvas Caracteristicas

En las siguientes imgenes se van a dar ejemplos de una familia de curvas de drenador de un MOSFET de empobrecimiento de canal N.Observemos cmo esta curva aparece dibujada en los dos cuadrantes del eje de tensiones. Esto es debido a que el MOSFET puede operar tanto con tensiones positivas como negativas. Por esta razn, la corriente IDSS, correspondiente a la interseccin de la curva con el eje ID, ya no es la de saturacin. La curva esta dada por la ecuacin parablica:

Observemos cmo en esta curva aparecen tanto tensiones negativas de VGS(trabajo en modo de empobrecimiento), como positivas (trabajo en modo de enriquecimiento). La corriente ms elevada se consigue con la tensin ms positiva de VGSy el corte se consigue con tensin negativa de VGS(apag).

2.5. Proteccion de los mosfet.Tanto los MOSFET de empobrecimiento como los de enriquecimiento, poseen una capa extremadamente delgada de aislante que separa la puerta del canal. Esta capa se destruye con suma facilidad si se aplica una tensin VGSpor encima de la mxima soportable. Por esta razn, nunca debe operarse con una tensin superior a la VGS(max)prescrita en las caractersticas del MOSFET.2.6. Consideraciones del mosfet.

En un transistor de unin de efecto campo, se aplica al canal un campo elctrico a travs de un diodo p-n. Empleando un electrodo de puerta metlico separado del canal semiconductor por una capa de xido, como se muestra en la figura, se obtiene el efecto de un campo bsicamente distinto. La disposicin Metal-xido-Semiconductor (MOS) permite que un campo bsicamente distinto afecte al canal si se aplica una tensin externa entre puerta y sustrato, y sto, tambin posee un efecto negativo sobre el comportamiento del MOSFET.

En efecto, si observamos la figura de la derecha, donde en azul marino se representa la capa de Dixido del Silicio y en Rojo las zonas tipo N y el canal, vemos que al aplicar una tensin sobre la puerta se necesitar un campo mnimo que inversione el canal. Esta tensin, llamada tensin umbral y representada por VTHes aquella que acumula una concentracin de cargas capaz de invertir el canal.Esto da lugar a que los niveles entre los circuitos digitales MOS y TTL sean incompatibles, porque los MOS no pueden trabajar a 5 V, puesto que quedara un margen de ruido muy pequeo para su trabajo.Se puede buscar entonces, reducir esa tensin umbral para la compatibilidad de las dos familias de dispositivos, y se ataca este problema en la fase de fabricacin del dispositivo, teniendo en cuenta que la tensin umbral se debe a:El espesor del SiO2: A ms espesor, menos campo aplicado.A los espacios de registro de la puerta. El contacto de puerta, en su fabricacin, no cubre el 100% de la capa, por lo que baja su efectividad.Para reducir la tensin umbral del dispositivo, hemos de atacar estos dos conceptos, en la fase de fabricacin de estos dispositivos, por ejemplo, mediante fabricacin con la tcnica SATO.Adems, los dispositivos MOS, presentan otro problema: las capacidades asociadas al contacto de puerta y los contactos de drenador y surtidor por el hecho de estar solapados. Esta capacidad, introduce cortes o polos a altas frecuencias. Si disminuimos las capacidades, el transistor, podr trabajar a ms altas frecuencias, sobre todo dirigido para aplicaciones digitales y computacionales.

3. GTO (TRANSISTOR DE APAGADO POR COMPUERTA)

3.1. Funcionamiento:Un tiristor GTO, al igual que un SCR puede activarse mediante la aplicacin de una seal positiva de compuerta. Sin embargo, se puede desactivar mediante una seal negativa de compuerta. Un GTO es un dispositivo de enganche y se construir con especificaciones de corriente y voltajes similares a las de un SCR. Un GTO se activa aplicando a su compuerta un pulso positivo corto y se desactiva mediante un pulso negativo corto.3.2. Caractersticas El disparo se realiza mediante una VGK >0 El bloqueo se realiza con una VGK < 0. La ventaja del bloqueo por puerta es que no se precisan de los circuitos de bloqueo forzado que requieren los SCR. La desventaja es que la corriente de puerta tiene que ser mucho mayor por lo que el generador debe estar ms dimensionado. El GTO con respecto al SCR disipa menos potencia 3.3. Voltajes y Corrientes de activacin y desactivacin

CaractersticaDescripcinGTO (1600 V, 350 A)

VT ENEn la cada de tensin estado3,4 V

ten, IgenGire a tiempo, corriente de puerta2 micro siemens, 2 A

toffApague tiempo15 mS

3.4. Curva caracterstica del comportamiento

INTENSIDAD DE PUERTA EN EL ENCENDIDO DE UN GTO

ENCENDIDO DE UN GTOAl igual que ocurre con un tiristor convencional, para llevar a cabo el encendido de un GTO es necesario aplicar una determinada corriente entrante por la puerta. Sin embargo, en el encendido de un GTO la corriente mxima por la puerta IGMy la velocidad de variacin de dicha corriente al principio de la conduccin deben ser lo suficientemente grandes como para asegurar que la corriente circula por todas las islas ctodo (figura 6.4. Si esto no fuese as y slo algunas islas ctodo condujeran, la densidad de corriente en estas islas sera tan elevada que el excesivo calentamiento en zonas localizadas podra provocar la destruccin del dispositivo.

APAGADO

Al comenzar a circular corriente positiva por la puerta, la corriente de nodo a ctodo se concentra en las zonas situadas entre los terminales de puerta, aumentando la densidad de corriente en estas zonas.De esta forma, el GTO no comienza a apagarse hasta que la corriente de nodo a ctodo ha quedado reducida a pequeos filamentos entre los terminales de puerta. Entonces la tensin vAK, hasta entonces muy pequea al estar el GTO en funcionamiento, comienza a aumentar. Como la gran densidad de corriente que circula por estos pequeos filamentos podra ocasionar su destruccin, se utiliza un condensador snubber en paralelo con el GTO, que ofrece a la corriente un camino alternativo por donde circular. As, cuando vAKcomienza a aumentar el condensador comienza a cargarse, por lo que parte de la corriente que circulaba por el GTO lo hace ahora por el condensador.

Circuito de conexin

Simbologa elctrica

3.5. Aplicacin Troceadoresyconvertidores Control de motores asncronos Inversores Caldeo inductivo Rectificadores Soldadura al arco Sistema de alimentacin ininterrumpida (SAI) Control de motores Traccin elctrica

4. IGBT (TRANSISTOR BIPOLAR DE COMPUERTA AISLADA)

4.1. Funcionamiento Cuando se le es aplicado un voltaje VGE a la puerta, el IGBT enciende inmediatamente, la corriente de colector IC es conducida y el voltaje VCE se va desde el valor de bloqueo hasta cero. La corriente IC persiste para el tiempo de encendido en que la seal en la puerta es aplicada. Para encender el IGBT, el terminal C debe ser polarizado positivamente con respecto a la terminal E. La seal de encendido es un voltaje positivo VG que es aplicado a la puerta G.

Este voltaje, si es aplicado como un pulso de magnitud aproximada de 15 volts, puede causar que el tiempo de encendido sea menor a 1 s, despus de lo cual la corriente de colector ID es igual a la corriente de carga IL (asumida como constante). Una vez encendido, el dispositivo se mantiene as por una seal de voltaje en el G. Sin embargo, en virtud del control de voltaje la disipacin de potencia en la puerta es muy baja.

El IGBT se apaga simplemente removiendo la seal de voltaje VG de la terminal G. La transicin del estado de conduccin al estado de bloqueo puede tomar apenas 2 microsegundos, por lo que la frecuencia de conmutacin puede estar en el rango de los 50 kHz.

EL IGBT requiere un valor lmite VGE (TH) para el estado de cambio de encendido a apagado y viceversa. Este es usualmente de 4 V. Arriba de este valor el voltaje VCE cae a un valor bajo cercano a los 2 V. Como el voltaje de estado de encendido se mantiene bajo, el G debe tener un voltaje arriba de 15 V, y la corriente IC se auto limita.4.2. Caractersticas ICmax Limitada por efecto Latch-up. VGEmax Limitada por el espesor del xido de silicio. Se disea para que cuando VGE = VGEmax la corriente de cortocircuito sea entre 4 a 10 veces la nominal (zona activa con VCE=Vmax) y pueda soportarla durante unos 5 a 10 us. y pueda actuar una proteccin electrnica cortando desde puerta. VCEmax es la tensin de ruptura del transistor pnp. Como es muy baja, ser VCEmax=BVCB0 Existen en el mercado IGBTs con valores de 600, 1.200, 1.700, 2.100 y 3.300 voltios. (anunciados de 6.5 kV). La temperatura mxima de la unin suele ser de 150C (con SiC se esperan valores mayores) Existen en el mercado IGBTs encapsulados que soportan hasta 400 o 600 Amp. En la actualidad es el dispositivo ms usado para potencias entre varios kW y un par de MW, trabajando a frecuencias desde 5 kHz a 40kHz.

4.3. Curva caracterstica del comportamiento

4.4. Circuito de conexin

4.5. Simbologa elctrica

4.6. AplicacinEl IGBT es un dispositivo electrnico que generalmente se aplica a circuitos de potencia. Este es un dispositivo para la conmutacin en sistemas de alta tensin. Se usan en los Variadores de frecuencia as como en las aplicaciones en mquinas elctricas y convertidores de potencia que nos acompaan cada da y por todas partes, sin que seamos particularmente conscientes de eso: Automvil, Tren, Metro, Autobs, Avin, Barco, Ascensor, Electrodomstico, Televisin, Domtica, Sistemas de Alimentacin Ininterrumpida o SAI (en Ingls UPS), etc.

5. DRIVES Y CIRCUITOS SUPRESORES DE PICOS (SNUBBER)

Supresor de picosEvita que los equipos sufran daos por sobretensiones, evitando las subidas repentinas de tensin, limitando el flujo de corriente en estos picos.

Los orgenes de estos picos puede ser por descargas elctricas atmosfricas directas como un rayo en el poste del transformador que suministra la empresa o indirectas cono un rayo sobre un rbol que genera un campo elctrico a su alrededor por conmutacin (y apagones). En las industrias hay muchas sobretensiones debido a motores, mquinas de soldadura, bancos de capacitores

Los dispositivos usados suprimir picos son:Spark gas o descargador a gas: Acta despus de 0,1 a 10useg, aguanta de 5KA a 560KA(kiloAmpere).

Varistor de xido de Zinc: acta a los 25nseng, maneja un rango de corriente de 100A hasta 480KA, tiene un gran tiempo de duracin, es rpido y hay gran variedad con diferentes opciones de corriente.

Diodo de Avalancha de Silicio: Acta en 1pseg trabaja corriente de 20A a 20KA, tiene una vida infinita si la corriente no sobrepasa el lmite, tiene una rpida respuesta y es muy preciso al limitar la corriente

6. TRANSISTOR UJT

Este dispositivo se utiliza como generador de pulsos de disparo para SCR y TRIACS.Este componente posee tres terminales: dos bases y un emisor tal como se ve en la figura 1:

CONSTRUCCION:En la figura se puede apreciar la constitucin de un UJT, que en realidad est compuesto solamente por dos cristales. Al cristal P se le contamina con una gran cantidad de impurezas, presentando en su estructura un nmero elevado de huecos. Sin embargo, al cristal N se le dopa con muy pocas impurezas, por lo que existen muy pocos electrones libres en su estructura. Esto hace que la resistencia entre las dos bases RBB sea muy alta cuando el diodo del emisor no conduce.

FIGURA 1

6.1. FuncionamientoPara entender su funcionamiento nos vamos a guiar por el siguiente circuito:

R1y R2equivalen a la resistencia de los tramos de cristal N comprendidos entre los terminales de las bases. El diodo D equivale a la unin formada por los cristales P-N entre el terminal del emisor y el cristal N.Mientras el diodo del emisor no entre en conduccin, la resistencia entre bases es igual a:

Si en estas condiciones aplicamos una tensin de alimentacin VBB entre las dos bases, la tensin que aparece entre el emisor y la base ser la que corresponda en el circuito equivalente a R1; es decir, en el divisor de tensin se cumplir que:

Si llamamos =R1/RBB, la ecuacin queda: V1= VBB.El trmino representa la relacin intrnseca existente entre las tensiones V1y VBB.As, por ejemplo, si un UJT posee una relacin intrnseca caracterstica igual a 0,85 y queremos determinar la tensin que aparecer entre el terminal de emisor y la base 1 al aplicar 12V entre bases, bastar con operar de la siguiente forma:

Al valor de V1se le conoce como tensin intrnseca, y es aqulla que hay que aplicar para que el diodo comience a conducir. En nuestro ejemplo, si aplicamos una tensin de 8V al emisor, ste no conducir, ya que en el ctodo del diodo D existe un potencial positivo de 10,2V correspondiente a la tensin intrnseca, por lo que dicho diodo permanecer polarizado inversamente. Sin embargo, si aplicamos una tensin superior a 10,9V (los 10,2V de V1ms 0,7V de la tensin de barrera del diodo D), el diodo comenzar a conducir, producindose el disparo o encendido del UJT. En resumen, para conseguir que el UJT entre en estado de conduccin es necesario aplicar al emisor una tensin superior a la intrnseca.Una vez que conseguimos que el diodo conduzca, por efecto de una tensin de polarizacin directa del emisor respecto a la base 1, los portadores mayoritarios del cristal P (huecos) inundan el tramo de cristal de tipo N comprendido entre el emisor y dicha base (recordar que el cristal P est fuertemente contaminado con impurezas y el N dbilmente). Este efecto produce una disminucin repentina de la resistencia R1y, con ella, una reduccin de la cada de tensin en la base 1 respecto del emisor, lo que hace que la corriente de emisor aumente considerablemente.Mientras la corriente de emisor sea superior a la de mantenimiento (Iv), el diodo permanecer en conduccin como si de un biestable se tratase. Esta corriente se especifica normalmente en las hojas de caractersticas y suele ser del orden de 5mA.En la figura de la derecha, se muestra el aspecto de una de las curvas caractersticas de un UJT. Vp(punto Q1) nos indica la tensin pico que hay que aplicar al emisor para provocar el estado de encendido del UJT (recordar que Vp= V1+ 0,7). Una vez superada esta tensin, la corriente del emisor aumenta (se hace mayor que Ip), provocndose el descebado del UJT cuando la corriente de mantenimiento es inferior a la de mantenimiento Iv(puntoQ2).6.2. Curva Caracteristica Del UJT

6.3. AplicacionesLas aplicaciones del UJT ms comn es como generador de pulsos en diente de sierra. Estos pulsos resultan muy tiles para controlar el disparo de la puerta de TRIACS y SCR.Ejemplo de aplicacin:En la siguiente imagen se muestra una tpica aplicacin del generador de pulsos de diente de sierra con UJT para controlar el disparo de un SCR. Mediante este circuito controlamos la velocidad de un motor serie (o de cualquier otro tipo de carga: estufas, lmparas, etc) gracias a la regulacin de la corriente que realiza sobre medio ciclo del SCR. Para controlar la velocidad del motor, basta con modificar la frecuencia de los pulsos en dientes de sierra, lo cual se consigue variando el valor del potencimetro RS.

7. OPTOACOPLADOR

Un optoacoplador es un componente electrnico que se utiliza como transmisor y receptor ptico (de luz), es decir pueden transmitir de un punto a otro una seal elctrica sin necesidad de conexin fsica ni cables (por el aire), mediante una seal luminosa. Por eso tambin se llaman OptoInterruptor.

Una pequea tensin activamos el LED del optoacoplador (por ejemplo a 5V) y la luz que emite el led llega al detector del optoacoplador y activa el detector creando una tensin de salida a 220V. Podemos activar a la salida motores, lmparas, etc. a 220V desde otro sitio en el que solo tenemos 5V, sin riesgo apenas para el que lo activa.La aplicacin principal es en aislamiento entre los circuitos de control y los de potencia.

7.1. Funcionamiento:Tiene una salida de luz (LED) y una entrada de luz, que detecta cuando recibe la luz del LED, cuando esta rebota contra alguna superficie (fotodetector). Es similar al transistor, pero en lugar de corriente con luz.

Cuando le llega una seal elctrica a los dos extremos del LED (emisor) este emite una seal luminosa, que recibe el receptor o detector. Este al recibir esta seal luminosa genera en sus bornes (patillas) una tensin elctrica, que ser la tensin de salida.

Cuando le llega una tensin a la entrada se genera una luz y al recibirla el detector este genera una tensin de salida. Es como un interruptor. Si no llega luz al detector el interruptor estar abierto, si le llega luz del led el interruptor sera cerrado, podra estar el led encendido pero no llegarle luz al detector por que no rebota en ninguna superficie. El interruptor estara abierto por que no se produce tensin a la salida.Ejemplo:

Las patillas 1 y 2 son el emisor de luz y la 6 y 4 el receptor de la luz para que se active.

8. SISTEMAS DE PROTECCIN DE ELEMENTO TERMICO.

El sistema de proteccin trmica (TPS) est diseado para que la temperatura n el circuito o integrado no afecte su correcto funcionamiento

1 Loseta de proteccin trmica retirada del transbordador Columbia despus de su primera misin en abril de 1981

El tipo de losetas utilizadas para la proteccin termica son de dos colores: de color blanco y negro. Las blancas estn ubicadas en las zonas donde las temperaturas son relativamente inferiores al resto de la maquina, lo contrario sucede con las de color negro; stas, por su color, absorben las mayores temperaturas y estn ubicadas en la parte inferior y delantera del las maquinas, adems hay un tipo de recubrimiento ms pesado constituido de carbono reforzado y que slo es utilizado para la proteccin de las temperaturas ms altas. La cantidad utilizada de este material es menor que en el caso de las losetas y esto es as debido a su peso.

9. BIBLIOGRAFIA

1-http://es.wikipedia.org/wiki/MOSFET2-http://rabfis15.uco.es/transistoresweb/Tutorial_General/transistoresUJT.html3-http://rabfis15.uco.es/transistoresweb/Tutorial_General/transistoresIGBT.htmlhttp://unicrom.com/Tut_transistor_bipolar.asphttp://es.wikipedia.org/wiki/Transistor_de_uni%C3%B3n_bipolarhttp://www.profesormolina.com.ar/tutoriales/trans_bipolar.htmhttp://es.wikipedia.org/wiki/Transistor_Darlingtonhttp://www.unicrom.com/tut_darlington.asphttp://www.electronicasi.com/ensenanzas/electronica-avanzada/electronica-universitaria/transistor-darlington/http://es.wikipedia.org/wiki/Optoacopladorhttp://www.neoteo.com/optoacopladores-electronica-basica/http://www.areatecnologia.com/electronica/optoacoplador.html http://es.wikipedia.org/wiki/Sistema_de_protecci%C3%B3n_t%C3%A9rmica_del_transbordador_espacial