NJG1159PHH GNSS フロントエンドモジュールNJG1159PHH Ver.2016-04-18 - 1 - GNSS...

NJG1159PHH

- 1 - Ver.2016-04-18

GNSS フロントエンドモジュールフロントエンドモジュールフロントエンドモジュールフロントエンドモジュール

�� 概要概要概要概要 ��外形外形外形外形

NJG1159PHH は GPS、GLONASS、BeiDou、Galileo を含む GNSS での

使用を主目的としたフロントエンドモジュールです。本製品は内蔵する高性

能 SAWフィルタ及び LNAによる低雑音指数、高線形性、及び高帯域外減衰

特性を特徴とします。本製品は 1.5V~3.3Vの広い電源電圧で動作するととも

に、スタンバイ機能により通信機器の低消費電流化に貢献します。本製品は

-40~+105℃の広い温度範囲で動作可能です。

本製品は外部回路をわずか 2素子で構成し、小型・薄型かつ RoHS対応 / ハ

ロゲンフリーの HFFP10-HHパッケージを採用することで実装面積の低減に

貢献します。

��特徴特徴特徴特徴

� GNSS対応

�低動作電圧 1.8/ 2.8V typ.

�低消費電流 3.0/3.7mA typ. @VDD=1.8/ 2.8V, VCTL=1.8V

0.1µA typ. @VDD=1.8/ 2.8V, VCTL=0V (Stand-by mode)

�高利得 15.5/16.0dB typ. @VDD=1.8/ 2.8V, VCTL=1.8V,

f=1575MHz, 1559 to 1591MHz

�低雑音指数 1.55/1.50dB typ. @VDD=1.8/ 2.8V, VCTL=1.8V, f=1575MHz

1.70/1.65dB typ. @VDD=1.8/ 2.8V, VCTL=1.8V, f=1597 ~ 1606MHz

1.75/1.70dB typ. @VDD=1.8/ 2.8V, VCTL=1.8V, f=1559 ~ 1591MHz

�高帯域外減衰 55dBc typ. @f=704 ~ 915MHz, relative to 1575MHz

43dBc typ. @f=1710 ~ 1980MHz, relative to 1575MHz

51dBc typ. @f=2400 ~ 2500MHz, relative to 1575MHz

�小型パッケージ HFFP10-HH: 1.5mmx1.1mm (typ.), t=0.5mm (max.)

� RoHS対応、ハロゲンフリー、MSL1

��端子配列端子配列端子配列端子配列 �� ブロックダイアグラムブロックダイアグラムブロックダイアグラムブロックダイアグラム

��真理値表真理値表真理値表真理値表 “H”=VCTL(H), “L”=VCTL(L)

VCTL モード

H アクティブモード

L スタンバイモード

注: 本資料に記載された内容は、予告なく変更することがあります。

Pre-FilterRF OUTRF IN

VDDVCTL

LNA

GND

端子配列 1. VDD 2. VCTL 3. GND 4. PreIN 5. GND 6. PreOUT 7. LNAIN 8. LNAOUT 9. GND 10. GND

(Top View) 1 pin index

9

10

2

1

3 6

7

8

VDD

VCTL

GND PreOUT

LNAIN

LNAOUT

Pre-Filter

LNA

4

PreIN

5

GND

GND

GND

NJG1159PHH

- 2 -

��絶対最大定格絶対最大定格絶対最大定格絶対最大定格 Ta=+25°C, Zs=Zl=50Ω

項目記号条件定格単位

電源電圧 VDD 5.0 V

切替電圧 VCTL 5.0 V

入力電力 PIN (inband)

VDD=2.8V, f=1575, 1597 ~ 1606, 1559 ~ 1591MHz

10 dBm

PIN (outband) VDD=2.8V, f=50 ~ 1460, 1710 ~ 4000MHz

25 dBm

消費電力 PD 4層スルーホール無し FR4基板実装時 (101.5x114.5mm), Tj=110°C

560 mW

動作温度 Topr -40 ~ +105 °C

保存温度 Tstg -40 ~ +110 °C

��電気的特性電気的特性電気的特性電気的特性 1 (DC特性特性特性特性)

(共通条件: Ta=+25°C)

項目記号条件最小標準最大単位

電源電圧 VDD 1.5 - 3.3 V

切替電圧(High) VCTL(H) 1.5 1.8 3.3 V

切替電圧(Low) VCTL(L) 0 0 0.3 V

動作電流 1 IDD1 RF OFF, VDD=2.8V, VCTL=1.8V

- 3.7 - mA

動作電流 2 IDD2 RF OFF, VDD=1.8V, VCTL=1.8V

- 3.0 - mA

動作電流 3 IDD3 RF OFF, VDD=2.8V, VCTL=0V

- 0.1 5.0 µA

動作電流 4 IDD4 RF OFF, VDD=1.8V, VCTL=0V

- 0.1 5.0 µA

切替電流 ICTL VCTL=1.8V - 5.0 15.0 µA

NJG1159PHH

- 3 -

��電気的特性電気的特性電気的特性電気的特性 2 (RF特性特性特性特性)

共通条件: VDD=2.8V, VCTL=1.8V, fRF=1575MHz, 1597 ~ 1606, 1559 ~ 1591MHz,

Ta=+25°C, Zs=Zl=50Ω,指定の外部回路による


小信号利得(GPS)1 GainGPS1 f=1575MHz (GPS)

基板コネクタ損失除く (0.17dB) - 16.0 - dB

小信号利得(GLONASS)1 GainGLN1 f=1597~1606MHz (GLONASS)


小信号利得(BeiDou, Galileo)1 GainBG1 f=1559~1591MHz (BeiDou, Galileo)

基板コネクタ損失除く(0.17dB) - 16.0 - dB

雑音指数(GPS)1 NFGPS1 f=1575MHz (GPS),


雑音指数(GLONASS)1 NFGLN1 f=1597~1606MHz (GLONASS)


雑音指数(BeiDou, Galileo)1 NFBG1 f=1559~1591MHz (BeiDou, Galileo)


1dB利得圧縮時

入力電力 1 P-1dB(IN)1

f=1575, 1597 ~ 1606, 1559 ~ 1591MHz

- -10.0 - dBm

入力 3次インター

セプトポイント 1 IIP3_1

f1=1575,1597 ~ 1606,1559 ~ 1591MHz, f2=f1 +/-1MHz, Pin=-30dBm

- -2.0 - dBm

アウトバンド入力 2次

インターセプトポイント 1 IIP2_OB1

f1=824.6MHz at +15dBm, f2=2400MHz at +15dBm, fmeas=1575.4MHz

- +80 - dBm




- +55 - dBm

700MHz 高調波 1 2fo1

妨害波条件: 787.76MHz at +15dBm

高調波測定周波数: 1575.52MHz

- -37 - dBm

アウトバンド

1dB利得圧縮時

入力電力 1

P-1dB(IN) _OB1-1

fjam=900MHz, fmeas=1575MHz at Pin=-40dBm

- +24 - dBm

P-1dB(IN) _OB1-2


- +24 - dBm

ローバンド減衰量 1 BR_L1 f=704 ~ 915MHz, relative to 1575MHz

- 55 - dBc

ハイバンド減衰量 1 BR_H1 f=1710 ~ 1980MHz, relative to 1575MHz

- 43 - dBc

WLANバンド減衰量 1 BR_W1 f=2400 ~ 2500MHz, relative to 1575MHz

- 51 - dBc

RF INポートリターンロス (GPS)1

RLiGPS1 f=1575MHz (GPS) - 10 - dB

RF INポートリターンロス (GLONASS)1

RLiGLN1 f=1597 ~ 1606MHz (GLONASS) - 15 - dB

RF INポートリターンロス (BeiDou, Galileo)1

RLiBG1 f=1559 ~ 1591MHz (BeiDou, Galileo) - 13 - dB

RF OUTポートリターンロス (GPS)1

RLoGPS1 f=1575MHz (GPS) - 15 - dB

RF OUTポートリターンロス (GLONASS)1

RLoGLN1 f=1597 ~ 1606MHz (GLONASS) - 15 - dB

RF OUTポートリターンロス (BeiDou, Galileo)1

RLoBG1 f=1559 ~ 1591MHz (BeiDou, Galileo) - 15 - dB

群遅延時間偏差(GLONASS)1 GDTDGLN1 f=1597 ~ 1606MHz (GLONASS) - 3 - ns

群遅延時間偏差(BeiDou)1 GDTDB1 f=1559 ~ 1563.2MHz (BeiDou) - 4 - ns

群遅延時間偏差(Galileo)1 GDTDG1 f=1559 ~ 1591MHz (Galileo) - 9 - ns

NJG1159PHH

- 4 -

��電気的特性電気的特性電気的特性電気的特性 3 (RF特性特性特性特性)

共通条件: VDD=1.8V, VCTL=1.8V, fRF=1575MHz, 1597 ~ 1606, 1559 ~ 1591MHz,

Ta=+25°C, Zs=Zl=50Ω,指定の外部回路による


小信号利得(GPS)2 GainGPS2 f=1575MHz (GPS)


小信号利得(GLONASS)2 GainGLN2 f=1597~1606MHz (GLONASS)


小信号利得 (BeiDou, Galileo)2

GainBG2 f=1559~1591MHz (BeiDou, Galileo)

基板コネクタ損失除く(0.17dB) - 15.5 - dB

雑音指数(GPS)2 NFGPS2 f=1575MHz (GPS),


雑音指数(GLONASS)2 NFGLN2 f=1597~1606MHz (GLONASS)


雑音指数(BeiDou, Galileo)2 NFBG2 f=1559~1591MHz (BeiDou, Galileo)


1dB利得圧縮時入力電力 2 P-1dB(IN)2 f=1575, 1597 ~ 1606, 1559 ~ 1591MHz

- -13.0 - dBm

入力 3次インター

セプトポイント 2 IIP3_2

f1=1575,1597 ~ 1606,1559 ~ 1591MHz, f2=f1 +/-1MHz, Pin=-30dBm

- -5.0 - dBm




- +80 - dBm




- +55 - dBm

700MHz 高調波 2 2fo2

妨害波条件: 787.76MHz at +15dBm

高調波測定周波数: 1575.52MHz

- -37 - dBm

アウトバンド

1dB利得圧縮時

入力電力 2

P-1dB(IN) _OB2-1


- +24 - dBm

P-1dB(IN) _OB2-2


- +24 - dBm

ローバンド減衰量 2 BR_L2 f=704 ~ 915MHz, relative to 1575MHz

- 55 - dBc

ハイバンド減衰量 2 BR_H2 f=1710 ~ 1980MHz, relative to 1575MHz

- 43 - dBc

WLANバンド減衰量 2 BR_W2 f=2400 ~ 2500MHz, relative to 1575MHz

- 51 - dBc

RF INポートリターンロス (GPS)2

RLiGPS2 f=1575MHz (GPS) - 10 - dB

RF INポートリターンロス (GLONASS)2

RLiGLN2 f=1597 ~ 1606MHz (GLONASS) - 15 - dB

RF INポートリターンロス (BeiDou, Galileo)2

RLiBG2 f=1559 ~ 1591MHz (BeiDou, Galileo) - 13 - dB

RF OUTポートリターンロス (GPS)2

RLoGPS2 f=1575MHz (GPS) - 15 - dB

RF OUTポートリターンロス (GLONASS)2

RLoGLN2 f=1597 ~ 1606MHz (GLONASS) - 15 - dB

RF OUTポートリターンロス (BeiDou, Galileo)2

RLoBG2 f=1559 ~ 1591MHz (BeiDou, Galileo) - 15 - dB

群遅延時間偏差(GLONASS)2 GDTDGLN2 f=1597 ~ 1606MHz (GLONASS) - 3 - ns

群遅延時間偏差(BeiDou)2 GDTDB2 f=1559 ~ 1563.2MHz (BeiDou) - 4 - ns

群遅延時間偏差(Galileo)2 GDTDG2 f=1559 ~ 1591MHz (Galileo) - 9 - ns

NJG1159PHH

- 5 -

��端子情報端子情報端子情報端子情報

番号端子名機能説明

1 VDD 電源電圧供給端子です。端子近傍にバイパスキャパシタ C1 を接続して下さ

い。

2 VCTL 切替電圧印加端子です。

3 GND 接地端子です。RF 特性を劣化させないために、IC ピン近傍で接地電位に接続

してください。

4 PreIN RF信号入力端子です。pre-SAWフィルタの入力側に接続されます。



6 PreOUT pre-SAWフィルタの出力側に接続されます。外部整合回路 L1を介して LNAIN

端子と接続されます。

7 LNAIN LNAの RF信号入力端子です。外部整合回路 L1を介して RF信号が入力され

ます。この端子には DCブロッキングキャパシタが内蔵されています。

8 LNAOUT RF信号出力端子です。DCブロッキングキャパシタを内蔵しているため、外

部キャパシタは不要です。





NJG1159PHH

- 6 -

��特性例特性例特性例特性例

共通条件: VDD=2.8V, VCTL=1.8V, Ta=25°C, Zs=Zl=50Ω, 指定の外部回路による

S11, S22 S21, S12

VSWR Zin, Zout

NJG1159PHH

- 7 -



0

1

2

3

4

0

5

10

15

20

1.54 1.56 1.58 1.60 1.62 1.64

NF, Gain vs. frequency(VDD=2.8V, VCTL=1.8V)

Noise Figure (dB)

Gain (dB)

frequency (GHz)

Gain

NF

(NF, Gain: Exclude PCB, Connector Losses)

-60

-50

-40

-30

-20

-10

0

10

20

0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0

S21 vs. frequency(VDD=2.8V, VCTL=1.8V)

S21 (dB)

frequency (GHz)

0

5

10

15

20

25

30

1.55 1.56 1.57 1.58 1.59 1.60 1.61 1.62

Group Delay vs. frequency(VDD=2.8V, VCTL=1.8V)

Group Delay (ns)

frequency (GHz)

-25

-20

-15

-10

-5

0

5

10

1

2

3

4

5

6

7

8

-40 -30 -20 -10 0 10

Pout, IDD vs. Pin(VDD=2.8V, VCTL=1.8V, fRF=1575MHz)

Pout (dBm)

IDD (mA)

Pin (dBm)

IDD

P-1dB(IN)=-10.8dBm

P-1dB(OUT)=+4.7dBm

Pout

-100

-80

-60

-40

-20

0

20

-40 -30 -20 -10 0 10

Pout, IM3 vs. Pin(VDD=2.8V, VCTL=1.8V, f1=1575MHz, f2=1576MHz)

Pout , IM3 (dBm)

Pin (dBm)

Pout

IM3

IIP3=-1.6dBm

OIP3=+14.9dBm

NJG1159PHH

- 8 -



4

6

8

10

12

14

16

18

20

1

2

3

4

5

6

7

8

9

-40 -30 -20 -10 0 10 20 30

Out-of-band P-1dB (fjam=900MHz)(VDD=2.8V, VCTL=1.8V, fmeas=1575MHz at Pin=-40dBm)

Gain (dB)

IDD (mA)

Pin at 900MHz (dBm)

Gain

IDD

P-1dB(IN)_OB>+26.0dBm(Gain: Exclude PCB, Connector Losses)

4

6

8

10

12

14

16

18

20

1

2

3

4

5

6

7

8

9

-40 -30 -20 -10 0 10 20 30


Gain (dB)

IDD (mA)

Pin at 1710MHz (dBm)

Gain

IDD

P-1dB(IN)_OB=+25.3dBm(Gain: Exclude PCB, Connector Losses)

-100

-80

-60

-40

-20

0

20

40

60

80

100

120

-40 -20 0 20 40 60 80 100

Out-of-band IIP2(VDD=2.8V, VCTL=1.8V, fmeas=1575.4MHz,

f1=824.6MHz, f2=2400MHz)

Pout , IM2 (dBm)

Pin (dBm)

Pout

IM2

IIP2_OB=+86.1dBm-100

-80

-60

-40

-20

0

20

40

60

80

100

-40 -20 0 20 40 60 80


f1=1712.7MHz, f2=1850MHz)

Pout , IM3 (dBm)

Pin (dBm)

Pout

IM3

IIP3_OB=+54.5dBm

-100

-90

-80

-70

-60

-50

-40

-30

-20

-10

0

-20 -10 0 10 20 30

2nd Harmonics(VDD=2.8V, VCTL=1.8V,

fin=787.76MHz, fmeas=1575.52MHz)

2nd Harm

onics (dBm)

Pin (dBm)

2fo=-35.9dBm

NJG1159PHH

- 9 -


共通条件: VDD=1.8V, VCTL=1.8V, Ta=25°C, Zs=Zl=50Ω, , 指定の外部回路による

S11, S22 S21, S12

VSWR Zin, Zout

NJG1159PHH

- 10 -



0

1

2

3

4

0

5

10

15

20

1.54 1.56 1.58 1.60 1.62 1.64

NF, Gain vs. frequency(VDD=1.8V, VCTL=1.8V)

Noise Figure (dB)

Gain (dB)

frequency (GHz)

Gain

NF


-60

-50

-40

-30

-20

-10

0

10

20

0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0

S21 vs. frequency(VDD=1.8V, VCTL=1.8V)

S21 (dB)

frequency (GHz)

0

5

10

15

20

25

30

1.55 1.56 1.57 1.58 1.59 1.60 1.61 1.62

Group Delay vs. frequency(VDD=1.8V, VCTL=1.8V)

Group Delay (ns)

frequency (GHz)

-25

-20

-15

-10

-5

0

5

10

1

2

3

4

5

6

7

8

-40 -30 -20 -10 0 10

Pout, IDD vs. Pin(VDD=1.8V, VCTL=1.8V, fRF=1575MHz)

Pout (dBm)

IDD (mA)

Pin (dBm)

IDD

P-1dB(IN)=-13.6dBm

P-1dB(OUT)=+1.2dBm

Pout

-100

-80

-60

-40

-20

0

20

-40 -30 -20 -10 0 10

Pout, IM3 vs. Pin(VDD=1.8V, VCTL=1.8V, f1=1575MHz, f2=1576MHz)

Pout , IM3 (dBm)

Pin (dBm)

Pout

IM3

IIP3=-4.3dBm

OIP3=+11.5dBm

NJG1159PHH

- 11 -



4

6

8

10

12

14

16

18

20

1

2

3

4

5

6

7

8

9

-40 -30 -20 -10 0 10 20 30


Gain (dB)

IDD (mA)

Pin at 900MHz (dBm)

Gain

IDD

P-1dB(IN)_OB>+26.0dBm(Gain: Exclude PCB, Connector Losses)

4

6

8

10

12

14

16

18

20

1

2

3

4

5

6

7

8

9

-40 -30 -20 -10 0 10 20 30


Gain (dB)

IDD (mA)

Pin at 1710MHz (dBm)

Gain

IDD

P-1dB(IN)_OB=+23.1dBm(Gain: Exclude PCB, Connector Losses)

-100

-80

-60

-40

-20

0

20

40

60

80

100

120

-40 -20 0 20 40 60 80 100


f1=824.6MHz, f2=2400MHz)

Pout , IM2 (dBm)

Pin (dBm)

Pout

IM2

IIP2_OB=+84.4dBm-100

-80

-60

-40

-20

0

20

40

60

80

100

-40 -20 0 20 40 60 80


f1=1712.7MHz, f2=1850MHz)

Pout , IM3 (dBm)

Pin (dBm)

Pout

IM3

IIP3_OB=+53.3dBm

-100

-90

-80

-70

-60

-50

-40

-30

-20

-10

0

-20 -10 0 10 20 30

2nd Harmonics(VDD=1.8V, VCTL=1.8V,

fin=787.76MHz, fmeas=1575.52MHz)

2nd Harm

onics (dBm)

Pin (dBm)

2fo=-34.8dBm

NJG1159PHH

- 12 -


共通条件: VDD=2.8V, VCTL=1.8V, Zs=Zl=50Ω, 指定の外部回路による

0.0

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

3.5

6

8

10

12

14

16

18

20

-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120

NF, Gain vs. Temperature(VDD=2.8V, VCTL=1.8V, fRF=1575MHz)

Noise Figure (dB)

Gain (dB)

Temperature (oC)

Gain

NF


0

5

10

15

20

-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120

Return Loss vs. Temperature(VDD=2.8V, VCTL=1.8V, fRF=1575MHz)

Return Loss (dB)

Temperature (oC)

RLi

RLo

20

30

40

50

60

70

-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120

Band Rejection vs. Temperature(VDD=2.8V, VCTL=1.8V)

Band Rejection (dBc)

Temperature (oC)

1980MHz

915MHz

2400MHz

0

5

10

15

20

-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120

Group Delay Time Deviation

vs. Temperature(VDD=2.8V, VCTL=1.8V,

fRF=1597~1606, 1559~1563.2, 1559~1591MHz)

Group Delay Tim

e Deviation (ns)

Temperature (oC)

BeiDou(1559~1563.2MHz)

Galileo(1559~1591MHz)

GLONASS(1597~1606MHz)

0

1

2

3

4

5

6

0.0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120

IDD vs. Temperature(VDD=2.8V, VCTL=1.8V/0V, RF OFF)

IDD (mA) @Active M

ode

I DD (

µµ µµA) @Standby M

ode

Temperature (oC)

IDD(Active Mode)

IDD(Standby Mode)

NJG1159PHH

- 13 -


共通条件: VDD=2.8V, VCTL=1.8V, Zs=Zl=50Ω, 指定の外部回路による

-18

-16

-14

-12

-10

-8

-6

-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120

P-1dB(IN) vs. Temperature(VDD=2.8V, VCTL=1.8V, fRF=1575MHz)

P-1dB(IN) (dBm)

Temperature (oC)

P-1dB(IN)

6

8

10

12

14

16

18

-6

-4

-2

0

2

4

6

-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120

OIP3, IIP3 vs. Temperature(VDD=2.8V, VCTL=1.8V, f1=1575MHz, f2=1576MHz, Pin=-30dBm)

OIP3 (dBm)

IIP3 (dBm)

Temperature (oC)

OIP3

IIP3

50

60

70

80

90

100

-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120

Out-of-band IIP2 vs. Temperature(VDD=2.8V, VCTL=1.8V, fmeas=1575.4MHz,

f1=824.6MHz at Pin=+15dBm, f2=2400MHz at Pin=+15dBm)

Temperature (oC)

IIP2_OB

Out-of-band IIP2 (dBm)

30

40

50

60

70

80

-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120

Out-of-band IIP3 vs. Temperature(VDD=2.8V, VCTL=1.8V, fmeas=1575MHz,

f1=1713MHz at Pin=+15dBm, f2=1851MHz at Pin=+15dBm)

Temperature (oC)

IIP3_OB


-60

-50

-40

-30

-20

-10

-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120

2nd Harmonics vs. Temperature(VDD=2.8V, VCTL=1.8V, fmeas=1575.52MHz,

fin=787.76MHz, Pin=+15dBm)

2nd Harm

onics (dBm)

Temperature (oC)

2fo

NJG1159PHH

- 14 -


共通条件: VCTL=1.8V, Ta=25°C, Zs=Zl=50Ω, 指定の外部回路による

0.0

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

12

13

14

15

16

17

18

1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0

NF, Gain vs. VDD(VCTL=1.8V, fRF=1575MHz)

Noise Figure (dB)

Gain (dB)

VDD (V)

Gain

NF


0

5

10

15

20

1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0

Return Loss vs. VDD(VCTL=1.8V, fRF=1575MHz)

Return Loss (dB)

VDD (V)

RLi

RLo

20

30

40

50

60

70

1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0

Band Rejection vs. VDD(VCTL=1.8V)

Band Rejection (dBc)

VDD (V)

1980MHz

915MHz

2400MHz

0

2

4

6

8

10

12

1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0

Group Delay Time Deviation vs. VDD(VCTL=1.8V, fRF=1597~1606, 1559~1563.2, 1559~1591MHz)

Group Delay Tim

e Deviation (ns)

VDD (V)

BeiDou(1559~1563.2MHz)

Galileo(1559~1591MHz)

GLONASS(1597~1606MHz)

0

1

2

3

4

5

6

0.0

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

0.6

1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0

IDD vs. VDD(VCTL=1.8V/0V, RF OFF)

IDD (mA) @Active Mode

I DD (

µµ µµA) @Standby Mode

VDD (V)

IDD(Active Mode)

IDD(Standby Mode)

NJG1159PHH

- 15 -


共通条件: VCTL=1.8V, Ta=25°C, Zs=Zl=50Ω, 指定の外部回路による

-20

-18

-16

-14

-12

-10

-8

-6

1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0

P-1dB(IN) vs. VDD(VCTL=1.8V, fRF=1575MHz)

P-1dB(IN) (dBm)

VDD (V)

P-1dB(IN)

4

6

8

10

12

14

16

18

-8

-6

-4

-2

0

2

4

6

1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0

OIP3, IIP3 vs. VDD(VCTL=1.8V, f1=1575MHz, f2=1576MHz, Pin=-30dBm)

OIP3 (dBm)

IIP3 (dBm)

VDD (V)

OIP3

IIP3

50

60

70

80

90

100

1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0

Out-of-band IIP2 vs. VDD(VCTL=1.8V, fmeas=1575.4MHz,

f1=824.6MHz at Pin=+15dBm, f2=2400MHz at Pin=+15dBm)

VDD (V)

IIP2_OB


30

40

50

60

70

80

1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0

Out-of-band IIP3 vs. VDD(VCTL=1.8V, fmeas=1575MHz,

f1=1713MHz at Pin=+15dBm, f2=1851MHz at Pin=+15dBm)

VDD (V)

IIP3_OB


-60

-50

-40

-30

-20

-10

1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0

2nd Harmonics vs. VDD(VCTL=1.8V, fmeas=1575.52MHz,

fin=787.76MHz, Pin=+15dBm)

2nd Harm

onics (dBm)

VDD (V)

2fo

NJG1159PHH

- 16 -

13nH

1000pF

��外部回路外部回路外部回路外部回路

部品番号型名

L1 村田製作所製

LQW15AN_00 シリーズ

C1 村田製作所製

GRM03シリーズ

(Top View)

RF IN

RF OUT

C1

VDD

VCTL

L1

9

10

2

1

3 6

7

8

VDD

VCTL

GND PreOUT

LNAIN

LNAOUT

Pre-Filter

LNA

4

PreIN

5

GND

GND

GND

1 pin index

部品リスト

NJG1159PHH

- 17 -

��基板実装図基板実装図基板実装図基板実装図

< PCBレイアウトガイドラインレイアウトガイドラインレイアウトガイドラインレイアウトガイドライン>

デバイス使用上の注意事項デバイス使用上の注意事項デバイス使用上の注意事項デバイス使用上の注意事項 • RFIN 端子と RFOUT 端子の結合を防ぐために、FEM の下にグランドパターンを配置して下さい。

• 外部素子は FEMに極力近づけるように配置して下さい

• RF 特性を損なわないために、FEM の GND 端子は最短距離で基板のグランドパターンに接続できるパタ

ーンレイアウトを行ってください。また、グランド用スルーホールも同端子のできるだけ近傍に配置して

ください。

PCB

基板: FR-4

基板厚: 0.2mm

マイクロストリップライン幅:

0.4mm (Z0=50Ω)

サイズ: 14.0mm x 14.0mm

(Top View)

GND Via Hole

Diameter φ= 0.2mm

PKG Terminal

PCB

PKG Outline

RF IN RF OUT

L1

C1

VCTL VDD

1 pin index

NJG1159PHH

- 18 -

■■■■ 推奨フットパターン推奨フットパターン推奨フットパターン推奨フットパターン (HFFP10-HH パッケージパッケージパッケージパッケージ)

: ランド

: マスク (開口部) *メタルマスク厚: 100µm

: レジスト (開口部)

PKG : 1.5mm x 1.1mm Pin pitch : 0.39mm

NJG1159PHH

- 19 -

�� NF測定ブロックダイアグラム測定ブロックダイアグラム測定ブロックダイアグラム測定ブロックダイアグラム

使用測定器

・NFアナライザ：Agilent N8973A

・ノイズソース：Agilent 346A

NFアナライザ設定

・Measurement mode form

Device under test ：Amplifier

System downconverter ：off

・Mode setup form

Sideband ：LSB

・Averages ：16

・Average mode ：Point

・Bandwidth ：4MHz

・Loss comp ：off

・Tcold ：ノイズソース本体の温度を入力(303.15K)

キャリブレーション時

Noise Source (Agilent 346A)

NF Analyzer (Agilent N8973A)

Input (50Ω) Noise Source Drive Output

* 測定精度向上のため、プリ

アンプを使用しています

* ノイズソース、プリアンプ、

NFアナライザは直接接続

Preamplifier NJG1145UA2 Gain 15dB NF 1.5dB

NF Analyzer (Agilent N8973A)

Preamplifier NJG1145UA2 Gain 15dB NF 1.5dB

NF測定時

Noise Source (Agilent 346A)

DUT Input (50Ω)

Noise Source Drive Output

IN OUT

* ノイズソース、DUT、プリ

アンプ、NF アナライザは

直接接続

NJG1159PHH

- 20 -

� パッケージ外形パッケージ外形パッケージ外形パッケージ外形図図図図 (HFFP10-HH)

電極寸法公差 : ±0.05mm

単位 : mm

基板 : セラミック

端子処理 : Au Lid : SnAg/Kovar/Ni

重量 (typ.) : 4.9mg

＜注意事項＞

このデータブックの掲載内容の正確さには

万全を期しておりますが、掲載内容について

何らかの法的な保証を行うものではありませ

ん。とくに応用回路については、製品の代表

的な応用例を説明するためのものです。また、

工業所有権その他の権利の実施権の許諾を伴

うものではなく、第三者の権利を侵害しない

ことを保証するものでもありません。

ガリウムヒ素ガリウムヒ素ガリウムヒ素ガリウムヒ素(GaAs)製品取り扱い上の注意事項製品取り扱い上の注意事項製品取り扱い上の注意事項製品取り扱い上の注意事項

この製品は、法令で指定された有害物のガリウムヒ素(GaAs)を使用しております。危険防止のため、

製品を焼いたり、砕いたり、化学処理を行い気体や粉末にしないでください。廃棄する場合は、関

連法規に従い、一般産業廃棄物や家庭ゴミとは混ぜないでください。

この製品は静電放電･サージ電圧により破壊されやすいため、取り扱いにご注意下さい。

本製品は、中空 PKGであり、外部からのｽﾄﾚｽに影響を受けやすい構造となっております。よって、下記内容に関して注意していただき、評

価を行った上で、ご使用願います。

①本製品を実装後、ﾄﾗﾝｽﾌｧｰﾓｰﾙﾄﾞやﾎﾟｯﾃｨﾝｸﾞなど行う場合は、成型上に関わる収縮ｽﾄﾚｽや温度変化に対する耐性の確認を御願いいたします。

②本製品を実装する場合には、ｺﾚｯﾄ径を 1mmφ以上にし、静荷重として、5N以下での実装を推奨いたします。

③動荷重に関しては、接触面積/ｽﾋﾟｰﾄﾞ/荷重など考慮し、確認の上、ご使用願います。

1pin index

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NJG1159PHH GNSS フロントエンドモジュールNJG1159PHH Ver.2016-04-18 - 1 - GNSS...

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