MEMORIAS PROM Y EPROM

MEMORIA PROMTanto la memoria PROM como EPROM son memorias tipo Rom

La PROM es una memoria programable de solo lectura. Estas no vienen programadas de fabrica sino que es el propio usuario el que se encarga de grabar la información, y una vez que los datos se han grabado no se pueden borrar. Si Grabamos mal alguna información esta no se podrá modificar.

PROGRAMACIONLa escritura de la memoria PROM tiene lugar fundiendo los fusibles necesarios por lo que la memoria PROM solo puede ser programada una vez. Una PROM común se encuentra con todos los bits en valor 1 como valor por defecto de fábrica; el quemado de cada fusible, cambia el valor del correspondiente bit a 0. La programación se realiza aplicando pulsos de altos voltajes que no se encuentran durante operaciones normales (12 a 21 voltios). El proceso de programación de una PROM generalmente se realiza con un equipo especial llamado quemador. Este equipo emplea un mecanismo de interruptores electrónicos controlados por software que permiten cargar las direcciones, los datos y genera los pulsos para fundir los fusibles del arreglo interno de la memoria

ARQUITECTURALas arquitecturas generales pueden variar pero normalmente consisten en una o más matrices de puertas AND y OR para implementar funciones lógicas. Muchos dispositivos también contienen combinaciones de flip-flops y latches que pueden usarse como elementos de almacenaje para entrada y salida de un dispositivo.

ENTRADA 1

ENTRADA 2

ENTRADA N

SALIDA 1

SALIDA 2

SALIDA M

APLICACIONES MAS IMPORTANTES

*Microprogramación*Librería de subrutinas*Programas de sistema*Tablas de función

MEMORIA EPROM

Las EPROM, o Memorias sólo de Lectura Reprogramables, se programan mediante impulsos eléctricos y su contenido se borra exponiéndolas a la luz ultravioleta para poder volver a ser grabadas.

PROCESO DE BORRADOEsta Memoria puede reprogramarse. Tiene una ventana de cuarzo a traves de la cual se exponen los circuitos interiores del chip. Cuando se aplica luz ultravioleta a travez de la ventana se produce una reaccion quimica que borra el contenido.Para realizar este proceso es necesario retirar el chip de la computadora.

BORRADORES DE EPROM

PROGRAMACIONLas EPROM se programan insertando el chip en un programador de EPROM. y aplicando en un pin especial de la memoria una tensión entre 10 y 25 Voltios durante aproximadamente 50 ms, según el dispositivo, al mismo tiempo se direcciona la posición de memoria y se pone la información a las entradas de datos.Cuando un dado bit de una celda debe ser cambiado o programado de un 1 a un 0, se hace pasar una corriente a través del canal de transistor desde la fuente hacia la compuerta, Al mismo tiempo se aplica una relativamente alta tensión sobre la compuerta superior o de control del transistor, creándose de esta manera un campo eléctrico fuerte dentro de las capas del material semiconductor.Ante la presencia de este campo eléctrico fuerte, algunos de los electrones que pasan el canal fuente-compuerta ganan suficiente energía como para formar un túnel y atravesar la capa aislante que normalmente aísla la compuerta flotante. En la medida que estos electrones se acumulan en la compuerta flotante, dicha compuerta toma carga negativa, lo que finalmente produce que la celda tenga un 0.

CARACTERISTICASla gran mayoría de las EPROMs se ajustan a distribuciones de terminales o "pin-outs" estándar. Para el caso mas usual, que es el encapsulado DIP (Dual In-Line Package) de 28 pines, el estándar utilizado es el JEDEC-28.Las EPROMs también emplean transistores de puerta dual o FAMOS (Floating Gate Avalanche-Injection Metal-Oxide Semiconductor) de cargas almacenadas.La memoria EPROM, se compone de un arreglo de transistores MOSFET de Canal N de compuerta aislada. Actualmente estas memorias se construyen con transistores de tecnología MOS (Metal Oxide Silice) yMNOS (Metal Nitride-Oxide Silicon).