Lser Fabry-PerotUn diodo lser de Fabry-Perot es un oscilador en el que dos espejos estn separados por un medio amplificador con una poblacin invertida, haciendo una cavidad Fabry-Perot. Lseres de diodo estndar son lseres Fabry-Perot. Diodos lser Fabry-Perot son el tipo ms comn de lser de diodo y son las ms econmicas, pero en general son ms lentos y ruidosos que los de retroalimentacin distribuida (DFB) lser.Un lser es un oscilador optico y por tanto esta formado por un medio amplificador y una estructura de realimentacion positiva. Un forma sencilla de proporcionar la realimentacin requerida es mediante un cavidad Fabry-Perot.Este es el caso de los diodos lser tipo Fabry-Perot. Como es de esperar el espectro ptico de este tipo de dispositivos tendr una forma parecida a la funcin de transferencia de un interfermetro FP, incluyendo los modos espaciados uniformemente.

Lser de realimentacin distribuida (DFB)Diodos lser DFB no utiliza dos espejos separados para formar la cavidad ptica. La rejilla acta como el elemento selectivo de longitud de onda para al menos uno de los espejos y proporciona la retroalimentacin, lo que refleja la luz de fondo en la cavidad para formar el resonador. La rejilla se construye a fin de reflejar slo una banda estrecha de longitudes de onda, y por lo tanto producir un nico modo de accin lser longitudinal. Esto es en contraste con un lser de Fabry-Perot, donde las facetas de la forma de chip los dos espejos y proporcionan la retroalimentacin. En ese caso, los espejos son de banda ancha y, o bien las funciones del lser en mltiples modos longitudinales simultneamente o fcilmente saltos entre los modos longitudinales. La alteracin de la temperatura del dispositivo hace que el paso de la rejilla a cambios debido a la dependencia del ndice de refraccin de la temperatura. Esta dependencia se debe a un cambio en el intervalo de banda del lser de semiconductor con la temperatura y la expansin trmica. Un cambio en el ndice de refraccin altera la seleccin de longitud de onda de la estructura de rejilla y por lo tanto la longitud de onda de la salida del lser, produciendo un lser de longitud de onda sintonizable o TDL. El rango de ajuste es por lo general del orden de 6 nm para un ~ 50 K cambio en la temperatura, mientras que la anchura de lnea de un lser DFB es de unos pocos megahercios. La alteracin de la corriente de alimentacin del lser tambin se sintonizar el dispositivo, como un cambio de corriente provoca un cambio de temperatura en el interior del dispositivo. Lseres DFB integrados se utilizan a menudo en aplicaciones de comunicacin pticos, tales como DWDM donde se desea una seal de lser sintonizable, as como en la deteccin donde se requiere ancho de lnea estrecho extrema, o en aplicaciones de deteccin de gas, donde se detecta la seal del gas absorbente mientras longitud de onda sintonizando el lser DFB.

Lser con reflectores de Bragg distribuidos (DBR)Un reflector de Bragg distribuido es un reflector utilizado en guas de ondas, tales como fibras pticas. Se trata de una estructura formada a partir de mltiples capas de materiales alternando con ndice de refraccin variable, o por la variacin peridica de alguna caracterstica de una gua de onda dielctrica, lo que resulta en la variacin peridica del ndice de refraccin efectivo en la gua. Cada capa lmite provoca un reflejo parcial de una onda ptica. Para las ondas cuya longitud de onda est cerca de cuatro veces el espesor ptico de las capas, las muchas reflexiones se combinan con interferencia constructiva, y las capas actan como un reflector de alta calidad. La gama de longitudes de onda que se reflejan se llama la banda de detencin fotnico. Dentro de esta gama de longitudes de onda, la luz es "prohibido" para propagar en la estructura.La reflectividad de DBR,, para la intensidad est dada, aproximadamente, pordonde y son los respectivos ndices de refraccin del medio originario, los dos materiales alternantes, y el medio de terminacin, y es el nmero de pares repetidos de material de ndice de refraccin alto/bajo.El ancho de banda de la banda de detencin fotnico se puede calculardonde es la longitud de onda central de la banda.Aumentar el nmero de pares en un DBR aumenta la reflectividad del espejo y aumentando el contraste de ndice de refraccin entre los materiales en los pares de Bragg aumenta tanto la reflectividad y el ancho de banda. Una opcin comn de materiales para la pila es el dixido de titanio y slice. Sustituyendo en la frmula anterior da un ancho de banda de alrededor de 200 nm para la luz de 630 nm.Reflectores Bragg distribuidos son componentes crticos en lseres de cavidad vertical y emisin superficial y otros tipos de diodos lser estrecho ancho de lnea como el lser de realimentacin distribuida. Tambin se utilizan para formar el resonador de cavidad en los lseres de fibra y los lseres de electrones libres.

Lser de cavidad vertical (VCSEL)VCSEL ( Vertical Cavity Surface Emitting Laser ). Lser de emisin superficial con cavidad vertical , es un diodo semiconductor que emite luz en un haz cilndrico vertical de la superficie de un oblea, y ofrece ventajas significativas cuando se compara con lser de emisin lateral comnmente significativas cuando se compara con lser de emisin lateral comnmente usados en la mayora de comunicaciones por fibra ptica. Los VCSELs pueden ser construidos con GaAs, InGaAs.Para el funcionamiento del VCSEL (Vertical Cavity Surface Emitting Laser) se requiere de una regin activa de emisin de luz encerrada en un resonador que consta de dos espejos. En este caso, los espejos son parte de las pelculas epitaxiales, por lo que estas pelculas se sobreponen formando una pila. Estos espejos son conocidos como reflectores distribuidos de Bragg (DBRs),Los reflectores distribuidos de Bragg (DBRs), llegan a formar espesor usando entre 40 60 pelc las en cada DBR prod cindose n espesor total de entre 40 y 60 pelculas en cada DBR, producindose un espesor total de 6 m 8 m. Para crear la unin p-n se necesita que un DBR este dopado para hacerlo semiconductor tipo n y el otro DBR tipo p.