Lab Oratorio 5 Curvas Caracteristicas Transistor Bipolar[1]

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SERVICIO NACIONAL DE APRENDIZAJE –SENA SERVICIO NACIONAL DE APRENDIZAJE –SENA REGIONAL DISTRITO CAPITAL REGIONAL DISTRITO CAPITAL CENTRO DE ELECTRICIDAD, ELECTRONICA Y TELECOMUNICACIONES CENTRO DE ELECTRICIDAD, ELECTRONICA Y TELECOMUNICACIONES MANTENIMIENTO ELECTRONICO E INSTRUMENTAL INDUSTRIAL MANTENIMIENTO ELECTRONICO E INSTRUMENTAL INDUSTRIAL PAG PAG 1 DE DE 5 PRACTICA DE LABORATORIO # 5 Curvas Características Transistor Bipolar OBJETIVOS Graficar la curva característica de entrada de un transistor bipolar, a partir de valores medidos. Graficar la familia de curvas características de salida de un transistor bipolar, a partir de valores medidos. MATERIALES Y EQUIPOS Protoboard, cables, resistencias, transistor NPN (2N2222A), fuentes de alimentación, multimetro. PROCEDIMIENTO 1. Para el transistor NPN (2N2222A), identifique sus terminales (emisor, base, colector) y con la utilización del multimetro realice la prueba del estado de este. 2. Busque el datasheet del transistor NPN (2N2222A) y en la siguiente tabla anote el valor correspondiente a cada parámetro proporcionado en la hoja de especificaciones del fabricante. Máxima Corriente de Colector (ICMAX): Si se supera esta corriente los diodos internos sufren daños. 0.8 A Factor de Amplificación o Ganancia (HFE ó Beta): Este factor indica la cantidad de veces que se amplifica la corriente de base. 190 h FE Máximo Voltaje Colector Emisor (VCEMAX): Similar al voltaje de ruptura en los diodos, pasado de este límite sufre daños internamente el transistor. 40v Máximo Voltaje Base Emisor (VBEMAX): Es el máximo voltaje que se puede aplicar a la unión base emisor. 6v Máxima Potencia de Disipación (PD): En general depende del tipo de empaque utilizado. .500W 3. Monte el circuito de la Figura 1. SHIRLEY RODRIGUEZ SHIRLEY RODRIGUEZ INSTRUCTORA C.E.E.T INSTRUCTORA C.E.E.T SENA SENA Bogotá, D.C. Bogotá, D.C. 2009 2009

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PRACTICA DE LABORATORIO # 5

Curvas Características Transistor Bipolar

OBJETIVOS

Graficar la curva característica de entrada de un transistor bipolar, a partir de valores medidos.

Graficar la familia de curvas características de salida de un transistor bipolar, a partir de valores medidos.

MATERIALES Y EQUIPOS

Protoboard, cables, resistencias, transistor NPN (2N2222A), fuentes de alimentación, multimetro.

PROCEDIMIENTO

1. Para el transistor NPN (2N2222A), identifique sus terminales (emisor, base, colector) y con la utilización del multimetro realice la prueba del estado de este.

2. Busque el datasheet del transistor NPN (2N2222A) y en la siguiente tabla anote el

valor correspondiente a cada parámetro proporcionado en la hoja de especificaciones del fabricante.

Máxima Corriente de Colector (ICMAX): Si se supera esta corriente los diodos internos sufren daños.

0.8 A

Factor de Amplificación o Ganancia (HFE ó Beta): Este factor indica la cantidad de veces que se amplifica la corriente de base.

190 h FE

Máximo Voltaje Colector Emisor (VCEMAX): Similar al voltaje de ruptura en los diodos, pasado de este límite sufre daños internamente el transistor.

40v

Máximo Voltaje Base Emisor (VBEMAX): Es el máximo voltaje que se puede aplicar a la unión base emisor.

6v

Máxima Potencia de Disipación (PD): En general depende del tipo de empaque utilizado.

.500W

3. Monte el circuito de la Figura 1.

Figura 1

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PRACTICA DE LABORATORIO # 5

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4. Ajuste el potenciómetro (RV1) para obtener los valores de corriente de base (IB =microamperios) que se indican en la siguiente tabla y complétela.

IB (uA) Nominal 5 ─ 10 16 ─ 25 30 ─ 50 120 ─ 200

IB (uA) Real 8uA 23.3uA 40uA 130.4u A

VBE (Voltios) 0.6v 0.62v 0.64v 0.67v

5. Graficar los valores obtenidos en la tabla del punto anterior, en los ejes de

IB Vs VBE (Curva característica de entrada del transistor NPN).

6. Monte el circuito de la Figura 2.

Figura 2

7. Para el circuito de la Figura 2, ajuste el voltaje de la fuente “VCC” para que el

Voltaje Colector─Emisor (VCE) tome cada uno de los valores indicados para cada valor de corriente de base (IB), si es necesario ajuste el voltaje de la fuente “VBB” para mantener IB constante, anotando el valor correspondiente de IC (Corriente colector), llenando la siguiente tabla.

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PRACTICA DE LABORATORIO # 5

Curvas Características Transistor Bipolar

VCE

(Voltios)IB0 = 0uAIc0 (mA)

IB1 = 10uAIc1 (mA)

IB2 = 20uAIc2 (mA)

IB3 = 30uAIc3 (mA)

IB4 = 40uAIc4 (mA)

IB5 = 50uAIc5 (mA)

0V 0 1.18 2.96 2.37 4.74 2.38

1V 0 2.25 4.50 5.95 8.48 10.4

2V 0 2.27 4.53 6.05 8.57 10.5

3V 0 2.29 4.57 6.10 8.64 10.5

4V 0 2.31 4.66 6.14 8.73 10.6

5V 0 2.34 4.68 6.18 8.81 10.7

6V 0 2.36 4.72 6.25 8.98 10.8

7V 0 2.39 4.76 6.30 9.00 10.9

8V 0 2.41 4.80 6.39 9.06 11

9V 0 2.43 4.84 6.45 9.14 11.1

10V 0 2.45 4.89 6.50 9.25 11.3

11V 0 2.47 4.92 6.57 9.32 11.3

12V 0 2.49 4.97 6.61 9.40 11.4

8. Graficar los valores obtenidos de las curvas IB en los ejes de IC Vs VCE (Curva característica de salida del transistor NPN).

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