INSTITUTO TECNOLOGICO DE OCOTLAN

CONCEPTOS DE ESTRUCTURA CRISTALINA DE LOS MATERIALES

INGENIERIA ELECTROMECANICA

JOSE ALFREDO NAVARRO 14630394ANTONIO MISAEL HERNANDEZ RODRIGUEZ 14630325ANTONIO VELAZQUEZ VALADEZ 14630310RUBEN HERNANDEZ GONZALEZ 14630287

OCOTLAN, JALISCO 17/ FEB /2015

INSTITUTO TECNOLOGICO DE OCOTLANCristales perfectos?Realmente no existen cristales perfectos sino que contienen varios tipos de imperfecciones y defectos, que afectan a muchas de sus propiedades fsicas y mecnicas y tambin influyen en algunas propiedades de los materiales a nivel de aplicacin ingenieril tal como la capacidad de formar aleaciones en fro, la conductividad elctrica y la corrosin.

1.1ESTRUCTURA Y ARREGLO CRISTALINOS Y NO CRISTALINOSEstructura cbica centradaFormada por un tomo del metal en cada uno de los vrtices de un cubo y un tomo en el centro. Los metales que cristalizan en esta estructura son: hierro alfa, titanio, tungsteno, molibdeno, niobio, vanadio, cromo, circonio, talio, sodio y potasio. Estructura cbica centrada en el cuerpo:Cada tomo de la estructura, est rodeado por ocho tomos adyacentes y los tomos de los vrtices estn en contacto segn las diagonales del cubo

Estructura cbica centrada en las caras:Cada tomo est rodeado por doce tomos adyacentes y los tomos de las caras estn en contacto. Los metales que cristalizan en esta estructura son: hierro gama, cobre, plata, platino, oro, plomo y nquel.

Estructura hexagonal compactaEsta estructura est determinada por un tomo en cada uno de los vrtices de un prisma hexagonal, un tomo en las bases del prisma y tres tomos dentro de la celda unitaria. Cada tomo est rodeado por doce tomos y estos estn en contacto segn los lados de los hexgonos bases del prisma hexagonal.Los metales que cristalizan en esta forma de estructura son: titanio, magnesio, cinc, berilio, cobalto, circonio y cadmio.

1.2IMPERFECCIONESEs el elemento o compuesto dentro de la solucin slida, que se encuentra en menor concentracin. Es el elemento dentro de la solucin slida, que se encuentra en mayor concentracin.Los defectos puntuales de impurezas dentro de las soluciones slidas pueden generarse por dos mecanismos: - Sustitucin: Aqu el soluto o las impurezas reemplazan a tomos originales.Las imperfecciones se clasifican segn su geometra y forma as:a) Defectos puntuales o de dimensin cerob) Defectos lineales o de una dimensin llamados tambin dislocacionesc) Defectos de dos dimensiones.Tambin deben incluirse los defectos macroscpicos tales como fisuras, poros y las inclusiones extraas.

1.3MOVILIDAD DE LOS ATOMOS (DIFUSION).Difusin Fenmeno de transporte de masa por movimiento atmico

Mecanismos Gases y Lquidos movimiento aleatorio (Browniano) Slidos difusin por vacancias o difusin intersticial.

Difusin en slidosInter difusin o difusin de impurezas: Los tomos de un metal difunden en el otro.Los tomos migran de las regiones de alta concentracin a la de baja concentracin.

Mecanismos de difusin.

Difusin por vacancias: Intercambio de un tomo de una posicin reticular normal a una vacanciaO lugar reticular vecino vaco applies to substitutional impurities atoms La tasa depende de:--nmero de vacancias--la energa de activacin para el intercambio.