1. POR: GLENY JOS ANTONIO CONDORICARLOSFICHA TCNICA DE 5 DIODOS

2. Su construccin est basada en la unin PN siendo su principalaplicacin como rectificadores. Este tipo de diodos(normalmente de silicio) soportan elevadas temperaturas (hasta200C en la unin), siendo su resistencia muy baja y la corrienteen tensin inversa muy pequea. Gracias a esto se puedenconstruir diodos de pequeas dimensiones para potenciasrelativamente grandes, desbancando as a los diodostermoinicos desde hace tiempo. Sus aplicaciones van desdeelemento indispensable en fuentes de alimentacin como entelevisin, aparatos de rayos X y microscopios electrnicos,donde deben rectificar tensiones altsimas. En fuentes dealimentacin se utilizan los diodos formando configuracin enpuente (con cuatro diodos en sistemas monofsicos), outilizando los puentes integrados que a tal efecto se fabrican yque simplifican en gran medida el proceso de diseo de unaplaca de circuito impreso. Los distintos encapsulados de estosdiodos dependen del nivel de potencia que tengan que disipar.Hasta 1w se emplean encapsulados de plstico. Por encima deeste valor el encapsulado es metlico y en potencias mselevadas es necesario que el encapsulado tenga previsto unarosca para fijar este a un radiador y as ayudar al diodo a disiparel calor producido por esas altas corrientes. Igual le pasa a los 3. Diodo Rectificador 3A1000V (DIODO 3A)1N5408 Equivale alECG5809 = NTE5809Encapsulado DO-201AD 4. Se emplean para producir entresus extremos una tensinconstante e independiente de lacorriente que las atraviesa segnsus especificaciones. Paraconseguir esto se aprovecha lapropiedad que tiene la unin PNcuando se polariza inversamenteal llegar a la tensin de ruptura(tensin de Zener), pues, laintensidad inversa del diodosufre un aumento brusco. Paraevitar la destruccin del diodopor la avalancha producida por elaumento de la intensidad se lepone en serie una resistenciaque limita dicha corriente. Seproducen desde 3,3v y con unapotencia mnima de 250mW. Losencapsulados pueden ser deplstico o metlico segn lapotencia que tenga que disipar.Curva caracterstica de un diodo Zene 5. Es un diodo que presenta un comportamientoparecido al de un diodo rectificador sin embargo, sutensin de umbral, se encuentra entre 1,3 y 4vdependiendo del color del diodo. Color Tensin en directo Infrarrojo 1,3v Rojo 1,7v Naranja 2,0v Amarillo 2,5v Verde 2,5v Azul 4,0v 6. Lugar del origen:China(continente)Marca: pinxinNmero deModelo:Px - 5aw3uc2 Tipo: LEDTipo del paquete:MontajesuperficialVoltaje delanteromximo:3.4vVoltaje reversomximo:5vCorrientedelantera mxima:50maCorriente reversamxima:10ua de la forma:Sombrero de paja, ronda,de cabeza plana y assucesivamentede color: blancodisponible dengulo del haz:(18,25,30,60,80,90,120 )material de chip: Ingan/gaasp led tipo: dip ledde la lente:transparente odifusala fuente deiluminacin deenerga:80mwtemperatura desoldadura:260temperatura dealmacenamiento:- 30 - 85tipo de producto:led diodo hoja dedatos 7. Lugar delorigen:China(continente)Marca: lijieNmero deModelo:elptica leddiodo emisorde luzTipo:Diodo derectificadorTipo delpaquete:agujeroperforado2-12mm gamacompleta decolor rojobrillante:De color amarillo,amarillo verde,azul, la luz verde,la luz blanca talescomo led.De color rojoy azul dual -flash, decolor rojo yverde:Mm 3,4mm,5mm, 8mm,10mmdoble flash:Colorido develocidad de flashled intermitente.0.5 w, 1w,3w, 5w, 10w:O ms de altapotencia led.varios tipos deemisininfrarroja tubo:La recepcin detubo, la recepcinde la cabeza.Led de luzdel arco iris,led lmparasdebarandas,:Cascada deluz led deiluminacinled.toda la serie:De flujoestupendo led.El proyecto de 8. Son dispositivos semiconductores construidos conuna unin PN, sensible a la incidencia de la luz visibleo infrarroja. Para que su funcionamiento sea correctose polarizarn inversamente, con lo que producirnuna cierta circulacin de corriente cuando seanexcitados por la luz. Debido a su construccin secomportan como clulas fotovoltaicas, es decir, enausencia de tensin exterior, generan una tensinmuy pequea con el positivo en el nodo y elnegativo en el ctodo. Tienen una velocidad derespuesta a los cambios bruscos de luminosidadmayores a las clulas fotoelctricas. Actualmente, yen muchos circuitos ests ltimas se estnsustituyendo por ellos, debido a la ventaja 9. Tipo de embalaje: con plomo Paquete forma: T-1 Dimensiones (mm): 5 rea de Radiant sensible (en mm2):0,78 Conduce con stand-off Sensibilidad radiante de alta Horario de bloqueo de filtroadaptado con 870 nm a 950 nmemisores Ancho de banda de alta:> 100 MHz aVR = 12 V Tiempos de respuesta rpidos ngulo de media sensibilidad: = 20 Cumple con la directiva RoHS2002/95/CE y en conformidad conWEEE 2002/96/CE