EJERCICIO DE ELECTRONICAANALOGICA. 5/3/2012.1°GS

1°. Un transistor está constituido por dos uniones P-N, polarizadas:

a) Ambas inversamente

@ Una directamente y otra inversamente

c) Ambas directamente

2°. La corriente de electrones que circula por la base de un transistor NPN:

a) Es del orden del 20% de la total

@ Es del orden del 4% de la total

e) Es la totalque pasa por el transistor

3°. El efecto transistor, consiste en:

a) Hacer pasar una débil corriente por una unión P-N polarizada inversamente

b) Hacer pasar una débil corriente por una unión P-N polarizada directamente

0' Hacer pasar una gran corriente por una unión P-N polarizada inversamente,polarizando directamene la otra unión

4°. La barrera de potencial que se crea en un transistor de Si, tiene un valor aproximadode: . ,

a) O,3V

b) 1V

@0,7V

5°. En la operación nonnal de un transistor, el diodo colector - base, tiene

a) Polarización directa

® Polarización inversa

e) La misma que la del diodo emisor - base

6°. La ganancia de corriente de un transistor es la razón entre:

a) La corriente de colector y la de emisor

b) La corriente de emisor y la de base

@La corriente colector y la de base

7°. Al aumentar el voltaje de fuente del colector en un transistor, aumentará:

a) La corriente de base

@ La corriente de colector

e) La corriente de emisor

8°. Si la ganancia de corriente de un transistor es de 200 y la corriente de colector es de100mA, la corriente de la base es de:

Gi)0,5mA

b) 2mA

e) 102mA

9°. Si la ganancia de corriente de un transistor es de 100 y la corriente de emisor es300mA, la corriente de la base es exactamente de:

. JE- ~ 1\"]'0 = -- ',,: qt v..r.../~f-rla) O,33mA

@2,97mA

e) 3,3mA

10°. En un transistor NPN se mide VBE = 0,7V, VCE = 10V, la VCB es:

a) 10,7V

b) -9,3V

@9,3V (-

110. La potencia disipada por un transistor es aproximadamente igual a la corriente delcolector multiplicada por.

a) Vse

~~-=._~- ~~ b} VCs - - ~~ -=--=~-~~~ ~~"Ic _\J~~_~~~'._.---~- _--~ -=_- '_

0Yee

12°. Si en el emisor de un transistor PNP se miden 5V, la tensión que se mide en la basees:

a) 5,7V

04,3Vc) 5V

13°. Si en la base de un transistor NPN se miden 5V, la tensión que se mide en el emisores:

a) 5,7V

@,3Ve) 5V

5

14°. Si en la base de un transistor NPN se miden SV, la tensión que se mide en el emisores:

a) 5,7V

@,3Vc) 5V

------

/

15°. Si entre colector y base de un transistor PNP de Silicio se miden 5,1V. .ía tensión quese mide entre colector y emisor es:

a) 5,1V

b) 4,4VGs,8V16°. La le de saturación es:

a) 20 mA~ 5,84mAc:D 6,06 mA

a} 1;8 VA16,11V ••(3)10 V

18°. ta I por el LED es:

~13mAb) 50 mAe) 30 mA

1SO. El valor mínimo de Vi para saturar el transistor es:2'-1-2 t: 1.L_","", /).~ 24V

<..9V 7,59 Ve) 8,22 V

~+i 5v'20°. El valor de RB es:

á)S90Kb) 2 Ke) 143 K

Ue:.. 2 - 0\ t -= 1, ~ V

. \JF \-;']t~J<..:-:~ ~n~

,"" O , ( (S) I \ - -=-

21°. La Ve es:

+ \'Ov

~

3,02Vb) 5,21 Ve 8,89 V u c. """- lo - \S .D '']c. ::- iJ'2 IJ

~.~

22°. La Ve es:

\1 \0'"7 VJ í3.::' Y3) J : Jti ~ 5c¿~

U't -:..VtJ.fD 1-1: lt I~::t\J

le ~'IL -: l~ _O \3C ,-~A~~)' - I . 3JK

Ve ;.. Tc~) D:::- ~ \ ')C \J.< ~

fa)) 1,36 V'6) 3,27 V

e) 1,09 V

. + iS\.!

23°. La Ve es:L iI-=¡. lA

25°. La I por el LEO es: T +12.V U¡] :: '-!-, oJJ{ : f,':}LJ

~ ~oo"- \1)Cf r ::Uf)"tD1:t :. 6(~? U

T{~3'L : I~_-_\)_('r -1.1~~JI. '2-'iJ-o. (

~

~ 20mA~27,88mA

e) 22,10 mA

- -