DISPOSITIVOS DE LA ELECTRONICA DE POTENCIA
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DIODO
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SCR
TRIAC
UJT
LASCR
GTO
DIAC
TRANSISTOR
PUT
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DIODO
ElDIODOes uno de los dispositivo mas importantes de los circuitos de potencia, aunque tienen, entre otras, las
siguientes limitaciones: son dispositivos unidireccionales, no pudiendo circular la corriente en sentido contrario
al de conduccin. El nico procedimiento de control es invertir el voltaje entre nodo y ctodo. Los diodo de potencia
e caracterizan porque en estado de conduccin, deben ser capaces de soportar una alta intensidad y una pequea
TIPO Especificacin de
Voltaje/corriente
Alta Frecuencia
(Hz)
Tiempos de
conmutacin
(S)
Resistencia en
estado activo
()
Smbolo caractersticas
Uso general 5000 V / 5000 A 1K 100 0.16 m
Alta
velocidad
3000 V / 1000 A 10K 2-5 1 m
Schouky 40 V / 60 A 20K 0.23 10 m
Tabla de especificaciones, circuito y patillaje
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tensin. En sentido inverso, deben de ser capaces de soportar una fuerte tensin negativa de nodo con una
pequea Intensidad de fuga.
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SCR
ElSCRes un dispositivo electrnico rectificador controlado de silicio. Es un dispositivo triterminal (A o nodo, C octodo, G o gate o puerta de control muy similar al diodo de cuatro capas (shockley) que posee una entrada
adicional (G) que permite disparar el dispositivo antes del VBO.
TIPO Especificacin de
Voltaje/corriente
Alta Frecuencia
(Hz)
Tiempos de
conmutacin
(S)
Resistencia en
estado activo
()
Smbolo caractersticas
Tiristores de
control de
fase
1200 V / 5500 A 5K 40 2.1 m
Tiristores de
conmutacinrpida
1000 V / 1000 A 10K 20 0.47 m
Tabla de especificaciones, circuito y patillaje
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ElTRIAC
es un SCR bidireccional que se comporta como dos SCR en paralelo e invertido de tal manera que estedispositivo puede controlar corriente en cualquier direccin. Normalmente tiene una tensin de ruptura y elprocedimiento normal de hacer entrar en conduccin a un TRIAC es a travs de un pulso de disparo de puerta(positivo o negativo).
Tabla de especificaciones, circuito y patillaje
TIPO Especificacin de
Voltaje/corriente
Alta Frecuencia
(Hz)
Tiempos de
conmutacin
(S)
Resistencia en
estado activo
()
Smbolo caractersticas
TRIAC 1200 V / 300 A 400 200 - 400 3.57 m
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TRIAC
Q1TRIAC
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ElUJTes un dispositivo que tambin se le llama transistor de un unin esta constituido por dosregiones contaminadas con tres terminales externas: dos bases y un emisor. El emisor esta fuertemente
dopado con impurezas p y la regin n dbilmente dopado con n. Por ello la resistencia entre las dosbases, RBB o resistencia o interbase es elevada (de 5 a 10 k ohms estando el emisor abierto). Elfuncionamiento delUJTes muy similar al del SCR.
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UJT
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ElLASCR
tambin se le conoce como foto SCR o SCR activado por luz es como su propio nombre lo indica un SCRcuyo disparo es controlado por luz. Cuando la luz incidente es suficientemente intensa, el SCR se dispara y permaneceen conduccin aunque desaparezca esa luz.
Tabla de especificaciones, circuito y patillaje
TIPO Especificacin de
Voltaje/corriente
Alta Frecuencia
(Hz)
Tiempos de
conmutacin
(S)
Resistencia en
estado activo
()
LASCR 6000 V / 1500 A 400 200 - 400 0.53 m
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LASCR
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ElGTOes un tiristor que pude ser disparado por un pulsa positivo a su terminal gate y bloqueado si se aplica un impulsonegativo a esa misma terminal. El GTO se emplea actualmente en muchas aplicaciones interesantes en el dominio de altas
potencias cuyo control se realiza fcilmente mediante transistores bipolares. Los bajos requerimientos de potencia de sucontrol facilitan la aplicacin de tcnicas de modulacin de anchura de pulso.
Tabla de especificaciones, circuito y patillaje
TIPO Especificacin
de
Voltaje/corrient
e
Alta Frecuencia
(Hz)
Tiempos de
conmutacin
(S)
Resistencia en
estado activo
()
Smbolo caractersticas
Transistores
desactivados
automaticamente
GTO
4500 V / 3000 A 10K 15 2.5 m
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GTO
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PUT
El PUT (transistor uni-union programable) es un dispositivo de disparo nodo puerta (anode gate)puesto que su disparo se realiza cuando la puerta tenga una tencion mas negativa que el nodo, es
decir, la conduccion del PUTse realiza por control de sus terminales. El PUT es un dispositivoperteneciente a la familia de los dispositivos de uni-union y sus caracteristicas son muy similares alSCR
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DIAC
ElDIAC
es un de dos terminales que permite la conduccion en ambos sentidos sobrepasando ciertoumbral de tencion. El diac ( diffused silicon actrigger diode ) tiene una estructura hibrida entre la de untransistor y la de dos tiristores en antiparalelo.cuando conduce en sentido A2-A1, las capas operativasson P1N2P2N3 y cuando lo hacen en sentido contrario, las P2N2P1N1.
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TRANSISTOR
El funcionamiento y utilizacin del transistor de potencia es idntico al de las transistores normales,teniendo como caractersticas especiales las altas tenciones e intensidades que tienen que soportary por tanto, las altas potencias en disparar.
Existen tres tipos de transistores de potencia:
- Bipolar
- unipolar o FET ( transistor de efecto de campo)
- IGBT
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