Caracteristicas transistor bipolar
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Curvas características ideales del transistor bipolar Partiendo de las ecuaciones de Ebers-Moll, se puede establecer una familia de curvas características que representan el comportamiento del transistor bipolar en régimen estacionario. Vamos a considerar las características de entrada y de salida en las configuraciones de Base Común y de Emisor Común. A. Características en Base Común del transistor PNP I C (mA) V CB (Volts) I E = 3 mA I E = 2 mA I E = 1 mA I E = 4 mA 1 2 3 4 +1 0 -2 -4 -6 I E = 0 mA Saturación Zona activa Corte I CBO Características de entrada del transistor PNP en Base Común Características de salida del transistor PNP en Base Común - - - V EB (V) E C B + - I B I E I C V CB V EB B (entrada) (salida) + -
-
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Curvas características ideales del transistor bipolar Partiendo de las ecuaciones de Ebers-Moll, se puede establecer una familia de curvas características que representan el comportamiento del transistor bipolar en régimen estacionario. Vamos a considerar las características de entrada y de salida en las configuraciones de Base Común y de Emisor Común. A. Características en Base Común del transistor PNP
IC (mA)
VCB (Volts)
IE = 3 mA
IE = 2 mA
IE = 1 mA
IE = 4 mA
1
2
3
4
+1 0 -2 -4 -6
IE = 0 mA
Saturación
Zona activa
Corte ICBO
Características de entrada del transistor PNP en Base Común
Características de salida del transistor PNP en Base Común
-
-
-
VEB (V)
E C
B
+
-
IB
IE IC
VCBVEB
B
(entrada) (salida)
+
-
B. Características en Emisor Común del transistor PNP
IC (mA)
VCE (Volts)
IB = 60 µA
IB = 40 µA
IB = 20 µA
IB = 80 µA
IB = 0 µA
2
4
6
8
0 -2 -4 -6
Saturación
Zona activa
Corte ICEO
Características de entrada del transistor PNP en Emisor Común
Características de salida del transistor PNP en Emisor Común
B
C
E
+
-
IB
IE
IC
VCE
E
VBE
+
- VBE (V)
C. Características en Base Común del transistor NPN
E C
B
+
-
IB
IE IC
VCBVEB
B
(entrada) (salida)
+
-
IC (mA)
VCB (Volts)
IE = 3 mA
IE = 2 mA
IE = 1 mA
IE = 4 mA
1
2
3
4
-1 0 2 4 6
IE = 0 mA
Saturación
Zona activa
Corte ICBO
Características de entrada del transistor NPN en Base Común
Características de salida del transistor NPN en Base Común
VEB (V)- - - - -
D. Características en Emisor Común del transistor NPN
IC (mA)
VCE (Volts)
IB = 60 µA
IB = 40 µA
IB = 20 µA
IB = 80 µA
IB = 0 µA
2
4
6
8
0 2 4 6
Saturación
Zona activa
Corte ICEO
B
C
E
+
-
IB
IE
IC
VCE
E
VBE
+
-
Características de entrada del transistor NPN en Emisor Común
Características de salida del transistor NPN en Emisor Común
Características aproximadas de entrada y salida del transistor PNP en Emisor Común
IC (mA)
VCE (Volts)
IB = 60 µA
IB = 40 µA
IB = 20 µA
IB = 80 µA
IB = 0 µA 2
4
6
8
0 -2 -4 -0,2 V
Saturación
Zona activa
Corte
VBE
IB
-0,7 VE
B
C
E
+
-
IB
IE
VCE
VBE
+
-
IC
Zona activa
VBE<0 VCE<0 IB,IC>0 VBE ≈ -0,7 V
IC ≈ βFIB
VCE < -0,2 V ( |VCE|> 0,2 V)
Zona de saturación (directa)
VCE<0 IB,IC>0 VBE ≈ -0,8 V
IC < βFIB VCE ≈ -0,2 V
Zona de corte
|VBE | < 0,7 V IC ≈ 0
IC (mA)
VCB (V)
IE = 6 mA
IE = 4 mA
IE = 2 mA
IE = 8 mA
IE = 0 mA
2
4
6
8
0 -2 -4
Saturación
Zona activa
Corte
+0,7
VEB
IE
0,7 V
E C
B
+
-
IB
IE IC
VCB VEB
B
+
-
Características aproximadas de entrada y salida del transistor PNP en Base Común
Zona activa
VEB>0 VCB<0 IE, IC>0 VEB ≈ 0,7 V
IC ≈ αFIE
Zona de saturación (directa)
VEB ≈ 0,8 V IC < αF IE
VCB ≈ 0,7 V
Zona de corte
VEB < 0,7 V IC ≈ 0
IC (mA)
VCB (V)
IE = 6 mA
IE = 4 mA
IE = 2 mA
IE = 8 mA
IE = 0 mA
2
4
6
8
0 2 4
Saturación
Zona activa
Corte
-0,7
VEB
IE
-0,7 V
E C
B
+
-
IB
IE IC
VCB VEB
B
+
-
Características aproximadas de entrada y salida del transistor NPN en Base Común
Región activa VEB<0 VCB>0 IE, IC>0
VEB ≈ -0,7 V IC ≈ αFIE
Región de saturación VEB ≈ -0,8 V
IC < αFIE VCB ≈ -0,7 V
Región de corte VEB > -0,7 V
IC ≈ 0
Características aproximadas de entrada y salida del transistor NPN en Emisor Común
IC (mA)
VCE (Volts)
IB = 60 µA
IB = 40 µA
IB = 20 µA
IB = 80 µA
IB = 0 µA 2
4
6
8
0 2 4 0,2 V
Saturación
Zona activa
Corte VBE
IB
0,7 V
B
C
E
+
-
IB
IE
VCE
E
VBE
+
-
IC
Zona activa VBE>0 VCE>0 IB,IC>0
VBE ≈ 0,7 V IC ≈ βFIB
VCE > 0,2 V
Zona de saturación (directa)
VCE>0 IB,IC>0 VBE ≈ 0,8 V
IC < βFIB VCE ≈ 0,2 V
Zona de corte VBE < 0,7 V
IC ≈ 0
