Unidad 2 amplificación y conmutación. el transistor bjt
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Unidad 2:Amplificación y Conmutación
(El Transistor BJT)
UNIVERSIDAD ALONSO DE OJEDA
FACULTAD DE INGENIERÍAESCUELA DE COMPUTACIÓNASIGNATURA: ELECTRÓNICA
PROFESOR: ING. GERARDO ALBERTO LEAL, MSc
EL TRANSISTOR DE UNION BIPOLAR (BJT):
Numero de Electrones: E > C y C >> B
EL TRANSISTOR DE UNION BIPOLAR (BJT):Estructura Interna y Simbología
Diodo Colector Base(Salida)
Diodo Emisor Base(Entrada) Aspecto
EL TRANSISTOR DE UNION BIPOLAR (BJT):Corrientes en los Diodos de Entrada y Salida
e
e
e
Diodo BE (Pol Directa)Diodo BC (Pol Inversa)La mayor cantidad de electronesse mueven del Emisor al Colector yuna pequeña cantidad salen por laBase.
Diodo BE (Pol Directa)Diodo BC (Pol Inversa)La mayor cantidad de electronesse mueven del Emisor al Colector yuna pequeña cantidad salen por laBase.
IC
IE
IB
IC
IE
IB
Según LKC: IE = IB + ICIB << IC IE es aproximadamente igual a IC
β = Ganancia de CorrienteRelación de corriente de salida sobre la corriente de entrada.
Análisis de Corrientes del BJT
β = IC / IB
EL TRANSISTOR DE UNION BIPOLAR (BJT):Circuito básico de polarización en
Configuración Emisor Común polarizado por la base
Parámetros Etapa de Entrada:VBB = Voltaje de la Fuente de BaseRB = Resistencia de polarización por la BaseIB = Corriente de BaseVBE = Voltaje Diodo Base-Emisor (0,6 V) Silicio
Parámetros Etapa de Salida:VCC = Voltaje de la Fuente de ColectorRC = Resistencia limitadora de ColectorIC = Corriente de ColectorVCE = Voltaje Colector-EmisorIE = Corriente de Emisor
EL TRANSISTOR DE UNION BIPOLAR (BJT):Curva característica del BJT y Zonas de Operación
Zona Saturación
Zona Corte
Zona Activa
Punto de Operación (Q)
Recta de Carga
EL TRANSISTOR DE UNION BIPOLAR (BJT):Funciones básicas del BJT en Emisor Común
Amplificación: BJT Trabajando en la Zona Activa
Conmutación: BJT Trabajando en las Zonas de Corte y Saturación