Transistores Fets y Mosfets

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TRANSISTORES FETS Y MOSFETS TRANSISTOR FET Los transistores más conocidos son los llamados bipolares (NPN y PNP), llamados así porque la conducción tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad en gran nmero de aplicaciones pero tienen ciertos inconvenientes, entre los que se encuentra su impedancia de entrada bastante ba!a" #$isten unos dispositivos que eliminan este inconveniente en particular y que pertenece a la %amilia de dispositivos en los que e$iste un solo tipo de portador de cargas, y por tanto, son unipolares" &e llama transistor de e%ecto campo"  #l transistor de !untura bipolar es un dispositivo operado por corriente y requieren que halla cambios en la corriente de base para producir cambios en la corriente de colector" ') #$plicación de la combinación de portadores" Puesto que hay una tensión positiva entre el drenador y el surtidor, los electrones %luirán desde el surtidor al drenador (o viceversa segn la con%iguración del mismo), aunque hay que notar que tambin %luye una corriente despreciable entre el surtidor (o drenador) y la puerta, ya que el diodo %ormado por la unión canal puerta, esta polarizado inversamente" #n el caso de un diodo polarizado en sentido inverso, donde inicialmente los huecos %luyen hacia la terminal negativa de la batería y los electrones del material N, %luyen hacia el terminal positivo de la misma" Lo anteriormente dicho se puede aplicar al transistor *#+, en donde, cuando se aumenta -& aumenta una región con empobrecimiento de cargas libres .uando seleccionamos un transistor tendremos que conocer el tipo de encapsulado, así como el esquema de identi%icación de los terminales" +ambin

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TRANSISTORES FETS Y MOSFETS

TRANSISTOR FET

Los transistores más conocidos son los llamados bipolares (NPN y PNP), llamados

así porque la conducción tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de

dos polaridades (huecos positivos y electrones negativos), y son de gran utilidaden gran nmero de aplicaciones pero tienen ciertos inconvenientes, entre los que

se encuentra su impedancia de entrada bastante ba!a"

#$isten unos dispositivos que eliminan este

inconveniente en particular y que

pertenece a la %amilia de dispositivos en los

que e$iste un solo tipo de portador de cargas,

y por tanto, son unipolares" &e llama transistor

de e%ecto campo" #l transistor de !untura

bipolar es un dispositivo operado por corriente y

requieren que halla cambios en la corriente debase para producir cambios en la

corriente de colector"

') #$plicación de la combinación de portadores"

Puesto que hay una tensión positiva entre el drenador y el surtidor, los electrones

%luirán desde el surtidor al drenador (o viceversa segn la con%iguración del

mismo), aunque hay que notar que tambin %luye una corriente despreciable entre

el surtidor (o drenador) y la puerta, ya que el diodo %ormado por la unión canal

puerta, esta polarizado inversamente"

#n el caso de un diodo polarizado en sentido inverso, donde inicialmente los

huecos %luyen hacia la terminal negativa de la batería y los electrones del material

N, %luyen hacia el terminal positivo de la misma"

Lo anteriormente dicho se puede aplicar al transistor *#+, en donde, cuando se

aumenta -& aumenta una región con empobrecimiento de cargas libres

.uando seleccionamos un transistor tendremos que conocer el tipo de

encapsulado, así como el esquema de identi%icación de los terminales" +ambin

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tendremos que conocer una serie de valores má$imos de tensiones, corrientes y

potencias que no debemos sobrepasar para no destruir el

dispositivo" #l parámetro de la potencia disipada por el transistor es

especialmente crítico con la temperatura, de modo que esta potencia

decrece a medida que aumenta el valor de la temperatura, siendo

a veces necesaria la instalación de un radiador o aletare%rigeradora" +odos estos valores críticos

los proporcionan los %abricantes en las

ho!as de características de los distintos

dispositivos" 

Fundamento de transistores de efecto

de campo:

Los transistores son tres zonas

semiconductoras !untas dopadas

alternativamente con purezas donadoras oaceptadoras de electrones"

&u estructura y representación se muestran en

la tabla"

/odelo de transistor *#+ canal n /odelo de transistor *#+ canal p

 

Las uniones Puerta -renador y la &urtidorPuerta están polarizadas en

inversa de tal %orma que no e$iste otra corriente que

la inversa de saturación de la unión PN"

La zona n (en el *#+ canal n) es peque0a y la

amplitud de la zona de deple$ión a%ecta a la

longitud e%ectiva del canal" La longitud de la zona de

deple$ión y depende de la tensión inversa (tensión

de puerta)"

TRANSISTOR MOSFET

¿Qué hace un Mosfet?

1n transistor mos%et conduce corriente elctrica entre dos patillas cuando

aplicamos tensión en la otra patilla" #s un interruptor que se activa por tensión" 2sí

de sencillo" 2quí puedes ver dos tipos de mos%et3 

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4ecuerda que un transistor pnp o npn (basados en la unión pn)

hace lo mismo, pero la di%erencia es que en los npn o

pnp la conducción se produce cuando le llega una

peque0a corriente a la base, en el mos%et es

por tensión, se activa cuando ponemos a una

tensión mínima la patilla del transistor llamada5ate" las otras dos patillas se llaman sumidero (entrada) y drena!e (salida)"

 

Estructura de un Mosfet

  +enemos 6 partes pero solo 7 patillas, ya que el sustrato está unido siempre a la

puerta (gate), %ormando una nica patilla del transistor"

& y - 8 semiconductor9es" 2 un lado está la patilla llamada sumidero o %uente (&)"

 2l otro lado la patilla llamada -rena!e (-), drenador o salida" #ntre estos dos

terminales pasa la corriente cuando activamos 5 por medio de tensión" La

corriente cuando se activa el transistor entra por & y sale por -, siempre que 5

tenga una tensión mínima, llamada tensión 1mbral o threshold 8 th"

5 8 puerta o gate" La parte de arriba es un metal conductor y la de aba!o el ó$ido"

P 8 capa de semiconductor base o sustrato contrario al semiconductor de & y -"

#n la imagen de la izquierda es de tipo N y entonces el sustrato debe ser P" Podría

ser al revs, como puedes ver en la imagen de la derecha"

#l canal que queda entre & y - es del material del sustrato y se llama canal" #s la

zona que hace de aislante impidiendo el paso de corriente cuando aplicamos

tensión entre & y -" 

*í!ate que el sustrato, la %uente y el drenador %orman dos uniones NP o PN"

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1no se llama mos%et de canal N y el otro mos%et

de canal P" 2qui puedes ver los símbolos

para los circuitos3

 #sta es la estructura %ísica" &i viramos un mos%et

real sería como el de la siguiente %igura3

 

¿Cómo funciona un Transistor Mosfet?

#l /os%et controla el paso de la corriente entre una entrada o terminal llamado

%uente sumidero (source) y una salida o terminal llamado drenador (drain),

mediante la aplicación de una tensión (con un valor mínimo llamada tensión

umbral) en el terminal llamado puerta (gate)" #s un interruptor controlado por

tensión" 2l aplicar tensión conduce y cuando no hay tensión en la puerta no

conduce"

 #l transistor de e%ecto de campo se comporta como un interruptor controlado por

tensión, donde el volta!e aplicado a la puerta permite hacer que %luya o no

corriente entre drenador y %uente"#l movimiento de carga se produce

e$clusivamente por la e$istencia de campos elctricos en el interior del dispositivo"

¿Qué significa Mosfet?

  La palabra /:& signi%ica ;/etal :$ido &emiconductor;, y hace re%erencia a untipo de estructura muy usada en electrónica, donde se usa un ó$ido como

dielctrico o aislante"

;*ield #%%ect +ransistor; signi%ica +ransistor de e%ecto de campo, es decir

transistores que conducen por un campo elctrico, parecido a un condensador"

.onclusión3 un /:&*#+ es un transistor de e%ecto de campo por medio de un

semiconductor ó$ido que se usa como dielctrico" -e otra %orma, es un transistor

(conduce o no conduce la corriente) en el que se utiliza un campo elctrico para

controlar su conducción y que su dielctrico es un metal de ó$ido"