Presentacin de PowerPoint

Transistores FET y MOSFETFsica de Semiconductores

Integrantes:Carlos Alberto Bernal LpezChristian Jess Cano GonzalesAngel Hernndez Contreras

Transistor de efecto de campo (FET)ElFETes un dispositivo semiconductor que controla un flujo de corriente por un canal semiconductor, aplicando un campo elctrico perpendicular a la trayectoria de la corriente.

Esta formado por una barra de semiconductor N o P que se llama el canal, tiene un cinturn o estrechamiento del otro tipo de semiconductor, los extremos del canal se unen a terminales D(drain, drenaje) y S (Source, surtidor o fuente), el cinturn se une al terminal G (Gate, compuerta).

Al aplicar voltaje entre D y S (VDS) se forma una corriente IDque depende de la resistencia del canal, si se aplica un voltaje VGSnegativo (G = -, S = +) el diodo formado por el cinturn y el canal queda en inverso y no hay corriente de compuerta (IG= 0) pero el voltaje negativo es G repele las cargas negativas que pasan por el canal que aparece como un aumento de resistencia y la corriente IDdisminuye, haciendo mayor o menor la magnitud de VGSharemos que IDdisminuya o aumente, as se obtiene un control de ID, siendo la variable de control del voltaje VGS.Funcionamiento.En el FET la relacin entre IDy VGSest dada por la ecuacin de Schotkley:ID= IDSS(1 - (VGS/VP))

IDSSy VPson constantes caractersticas de cada tipo o referencia de transistor, se obtienen en las hojas de especificaciones del fabricante.MOSFET.La estructura de un MOSFET (Metal Oxido Semiconductor FET), consta de cuatro terminales: Drenador (D), Fuente (S), Puerta (G) y Sustrato (B).En los NMOS (MOSFET de canal N), el sustrato es un semiconductor tipo p. Generalmente, el sustrato se conecta a la fuente.

Curva Caracterstica MOSFET

Circuitos amplificadores.