Transistores de efeito de campo (FET)
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Transistores de efeito de
campo (FET)
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Classificação dos transistores
TRANSISTOR
BIPOLAR (BJT) UNIPOLAR (UJT)
NPN PNP MOSFETJFET
DEPLEÇÃOENRIQUECI-
MENTO
CANAL
N
CANAL
P
CANAL
N
CANAL
P
CANAL
N
CANAL
P
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Transistor de Efeito de Campo: JFET
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Funcionamento do JFET
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Funcionamento do JFET
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Transistor de Efeito de Campo: JFET
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Curvas características do JFET
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Curvas características do JFET
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Efeito da temperatura sobre as
características do JFET
Efeito da temperatura sobre a curva característica IC vs. VG
do JFET.
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Circuito de polarização do JFET
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Ganho de tensão do amplificador JFET
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Transistor de Efeito de Campo: JFET
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Saída de CorrenteEntrada de Corrente Amplificador
de
Tensão
O JFET é
um aplificador
de tensão
controlada.
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DrenoFonte
Dreno
Fonte
Gatilho
Gatilho
Estrutura de umcanal N JFET
Substrato do tipo P
P
Canal N
O canal possui portadores para que se possa conduzir da fonte para o dreno.
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DrenoFonte
Dreno
Fonte
Gatilho
Gatilho
P
Canal N
Substrato do tipo P
Uma tensão de gatilhonegativa pode empurraros portadores do canal
e desligar o JFET.
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0VDS em volts
ID em mA
-4 V
-5 V
0 V
-1 V
-2 V
-3 VVGS
Família de curvas características de um canal N de dreno JFET
Isto é conhecido como um dispositivo de modo depleção.
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n
Fonte
Gatilho
Dreno
VDD
p
n
É possível fazer transistores de efeito de campode potência também.
G
S
D
VGG
Polarização de gatilhos potencializa o canal e liga o dispositivo.
Isolador deóxido metálico
Canal NMOSFET
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0VDS em volts
ID em mA
1 V
0 V
5 V
4 V
3 V
2 VVGS
Família de curvas características de um dreno MOSFET
em modo de intensificação
Dreno
Fonte
Gatilho
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Aplicação de JFET: fonte de corrente
JFET com o fonte de corrente constante: (a) circuito
básico; (b) adição de RS para corrigir efeito de
temperatura; (c) referência de tensão de baixo ruído
usando JFET canal P.
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Transistor de Efeito de Campo: JFET
Curva característica do JFET
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Transistor de Efeito de Campo de
Óxido Metálico: MOSFET
Transistor de efeito de campo de porta isolada
ou FET óxido metálico semicondutor
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MOSFET
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MOSFETDispositivo semicondutor de quatro terminais: Gate (G),
Source (S), Dreno (D) e Substrato ou Body (B), controla
a corrente IDS por meio da tensão VGS.
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MOSFET
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Funcionamento do MOSFET
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Modos de operação do MOSFET
(a) Curvas I-V características e (b) curva de transferência (para VDS
= 10 V) para um NMOSFET que tanto pode ser usado no modo de
depleção quanto no modo de enriquecimento.
Curvas características Curva de transferência
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Curvas características do CMOSFET
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O MOSFET como Amplificador
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MOSFET de potência
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Portas lógicas e circuitos digitais
Porta lógica OU
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Porta lógica AND
Portas lógicas e circuitos digitais
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Porta lógica NAND
O transistor como chave: portas
lógicas e circuitos digitais
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O transistor como chave: portas
lógicas e circuitos digitais
Porta lógica inversora
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Circuitos com transistor:
amplificador e porta lógica
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Transistores FET complementares: CMOS
Par complementar de MOSFETs canal N e canal P = CMOS
Corpo tipo P
P PN + +- N-
Cavidade tipo N
SiO2
SiO2 SiO
2
SiO2 SiO
2
Poli-
silício
DD GGS S
PMOSNMOS
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Transistor CMOS: porta lógica inversora
Vin
+VDD
Vout
Q1
Q2
VDD = 3 a 15 V
Pd = 0,3 mW,
d = 200 ns,
VNM = 0,4 VDD
Estado lógico “1” Vo VDD
Estado lógico “0” Vo = 0 V.
Parâmetros operacionais:
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Transistores MOSFET: memória RAM
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Comparação de circuitos chave com
transistor: bipolar (BJT) e JFET
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Comparação de transistores: bipolar
(BJT) vs. FET
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Comparação de transistores: bipolar
(BJT), JFET e MOSFET
Corrente de polarização e impedância de entrada
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Símbolos FET
![Page 42: Transistores de efeito de campo (FET)](https://reader035.fdocuments.ec/reader035/viewer/2022072102/62d853e2eb7fec24cb0f7575/html5/thumbnails/42.jpg)
A
B
C
D
A B C D
MOTOR STEPPER
Energia do modo de intensificação
de MOSFETs usada como chaves
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Amplificador BJT x FET
Um diodo zener deve ser colocado no terminal gate do
MOSFET se a tensão no gate vindo da fonte for maior
que 20V.
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Amplificador BJT x FET
BJT PNP PMOSFET