TRANSISTORES

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El transistor es un dispositivo electrónico

semiconductor utilizado para entregar

una señal de salida en respuesta a una

señal de entrada. 1 Cumple funciones de

amplificador, oscilador, conmutador o

rectificador. El término «transistor» es la

contracción en inglés de transfer resistor

(«resistencia de transferencia»).

Actualmente se encuentran

prácticamente en todos los aparatos

electrónicos de uso diario: radios,

televisores, reproductores de audio y

video, relojes de cuarzo, computadoras,

lámparas fluorescentes, tomógrafos,

teléfonos celulares, entre otros.Modelos de Transistores

¿Qué son los Transistores?

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Transistor de Contacto Puntual

Transistor de Unión Bipolar

Transistor de Efecto de Campo

Foto Transistor

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Llamado también «transistor de punta de contacto», fue el primer transistor

capaz de obtener ganancia, inventado en 1947 por John Bardeen y Walter

Brattain. Consta de una base de germanio, semiconductor para entonces mejor

conocido que la combinación cobre-óxido de cobre, sobre la que se apoyan,

muy juntas, dos puntas metálicas que constituyen el emisor y el colector. La

corriente de base es capaz de modular la resistencia que se «ve» en el

colector, de ahí el nombre de transfer resistor. Se basa en efectos de

superficie, poco conocidos en su día. Es difícil de fabricar (las puntas se

ajustaban a mano), frágil (un golpe podía desplazar las puntas) y ruidoso. Sin

embargo convivió con el transistor de unión (W. Shockley, 1948) debido a su

mayor ancho de banda. En la actualidad ha desaparecido.

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Variedad de Transistores de Contacto Puntual

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El transistor de unión bipolar (o BJT, por sus siglas del inglés Bipolar Junction Transistor) se

fabrica básicamente sobre un monocristal de Germanio, Silicio o Arseniuro de galio, que

tienen cualidades de semiconductores, estado intermedio entre conductores como los

metales y los aislantes como el diamante. Sobre el sustrato de cristal, se contaminan en

forma muy controlada tres zonas, dos de las cuales son del mismo tipo, NPN o PNP,

quedando formadas dos uniones NP.

La zona N con elementos donantes de electrones (cargas negativas) y la zona P de

aceptadores o «huecos» (cargas positivas). Normalmente se utilizan como elementos

aceptadores P al Indio (In), Aluminio (Al) o Galio (Ga) y donantes N al Arsénico (As) o

Fósforo (P).

La configuración de uniones PN, dan como resultado transistores PNP o NPN, donde la letra

intermedia siempre corresponde a la característica de la base, y las otras dos al emisor y al

colector que, si bien son del mismo tipo y de signo contrario a la base, tienen diferente

contaminación entre ellas (por lo general, el emisor está mucho más contaminado que el

colector).

El mecanismo que representa el comportamiento semiconductor dependerá de dichas

contaminaciones, de la geometría asociada y del tipo de tecnología de contaminación

(difusión gaseosa, epitaxial, etc.) y del comportamiento cuántico de la unión.

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Transistores de Unión Bipolar

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El transistor de efecto de campo de unión (JFET), fue el primer transistor deefecto de campo en la práctica. Lo forma una barra de material semiconductor desilicio de tipo N o P. En los terminales de la barra se establece un contactoóhmico, tenemos así un transistor de efecto de campo tipo N de la forma másbásica. Si se difunden dos regiones P en una barra de material N y se conectanexternamente entre sí, se producirá una puerta. A uno de estos contactos lellamaremos surtidor y al otro drenador. Aplicando tensión positiva entre eldrenador y el surtidor y conectando la puerta al surtidor, estableceremos unacorriente, a la que llamaremos corriente de drenador con polarización cero. Conun potencial negativo de puerta al que llamamos tensión de estrangulamiento,cesa la conducción en el canal.

El transistor de efecto de campo, o FET por sus siglas en inglés, que controla lacorriente en función de una tensión; tienen alta impedancia de entrada.

Transistor de efecto de campo de unión, JFET, construido mediante una uniónPN.

Transistor de efecto de campo de compuerta aislada, IGFET, en el que lacompuerta se aísla del canal mediante un dieléctrico.

Transistor de efecto de campo MOS, MOSFET, donde MOS significa Metal-Óxido-Semiconductor, en este caso la compuerta es metálica y está separada delcanal semiconductor por una capa de óxido.

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Imagen de Diodo Zener

Transistores de Efectos de Campo

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El diodo Varicap conocido como diodo de capacidad variable o varactor, es undiodo que aprovecha determinadas técnicas constructivas para comportarse, antevariaciones de la tensión aplicada, como un capacitor (o condensador) variable.Polarizado en inversa, este dispositivo electrónico presenta características que sonde suma utilidad en circuitos sintonizados (L-C), donde son necesarios los cambiosde capacidad.

Diodo de capacidad variable, esto es el diodo varicap, también llamado Varactor.Este diodo forma una capacidad en los extremos de la unión PN, que resulta deutilidad, cuando se busca utilizar esa capacidad en provecho del circuito en el cualdebe de funcionar el diodo.

Cuando polarizamos un varicap de forma directa, observamos que además de laszonas constitutivas de la capacidad que buscamos, en paralelo con ellas apareceuna resistencia de muy bajo valor óhmico, conformando con esto un capacitor depérdidas muy elevadas. En cambio si lo polarizamos en sentido inverso, laresistencia en paralelo mencionada, es de un valor relativamente alto, dando comoresultado que el diodo se comporte como un capacitor de pérdidas bajas.

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Los fototransistores son sensibles a la radiación electromagnética en

frecuencias cercanas a la de la luz visible; debido a esto su flujo de corriente

puede ser regulado por medio de la luz incidente. Un fototransistor es, en

esencia, lo mismo que un transistor normal, sólo que puede trabajar de 2

maneras diferentes:

Como un transistor normal con la corriente de base (IB) (modo común);

Como fototransistor, cuando la luz que incide en este elemento hace las veces

de corriente de base. (IP) (modo de iluminación).

Sensible a la luz, normalmente a los infrarrojos. La luz incide sobre la región de

base, generando portadores en ella. Esta carga de base lleva el transistor al

estado de conducción. El fototransistor es más sensible que el fotodiodo por el

efecto de ganancia propio del transistor.

Un fototransistor es igual a un transistor común, con la diferencia que el primero

puede trabajar de 2 formas:

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Como transistor normal con la corriente de base Ib (modo común).

Como fototransistor, cuando la luz que incide en este elemento hace las veces

de corriente de base. Ip (modo de iluminación).

Puede utilizarse de las dos en formas simultáneamente, aunque el fototransistor

se utiliza principalmente con el pin de la base sin conectar.

En el mercado se encuentran fototransistores tanto con conexión de base como

sin ella y tanto en cápsulas plásticas como metálicas (TO-72, TO-5) provistas de

una lente.

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FotoTransistores

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Referencias Bibliográficas http://es.wikipedia.org/wiki/Transistor

Imágenes http://commons.wikimedia.org/wiki/File:Transistor-photo.JPG

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