REPÚBLICA BOLIVARIANA DE VENEZUELAMINISTERIO DEL PODER POPULARA PARA LA EDUCACIÓN

E.T.R “CARLOS JOSÉ MUJICA”YARITAGUA- YARACUY

Transistor BJTCURSO: Electrónica

básica

Prof. Leonardo Araujo

El transistores de unión bipolar Los inventores del primer transistor en los

Bell Laboratories fue el Doctor Williams Shockley, Doctor John Bardeen y Doctor Walter H. (1947)

ESTRUCTURA DE UN BJT

La capa del emisor se encuentra fuertemente dopada, la base ligeramente dopada y el colector solo muy poco dopado.

El transistores de unión bipolarLas capas exteriores tienen espesores

mayores que el material tipo “p” o “n” al que circundan.

El dopado de la capa central es también mucho menor que el dopado de las capas exteriores (casi siempre 10:1 ó menos)

Este nivel bajo de Dopado disminuye la conductividad (aumenta la resistencia) de este material al limitar el numero de portadores “libre”.

Simbología

Polarización

En ambos casos la unión base-emisor(BE) esta polarizada en directa y la unión base-colector(BC) polarizada en inversa. (Polarización directa-inversa)

Parámetros de un BJT.

Beta de CD (βCD). La ganancia de corriente de cd de un

transistor es el cociente de la corriente de cd del colector (IC) entre la corriente de cd de la base(IB) y se expresa como beta de cd(CD)

β CD=IC/IValores Típicos de CD van desde 20 hasta

200 o más

hFE = βCD

Parámetros de un BJT. alfa de CD (αCD).

El cociente de la corriente de cd del colector (IC) entre la corriente de cd del emisor (IE) es el alfa de cd α CD.

αCD = IC/IE

Valores Típicos van desde 0.95 hasta 0.99 o más, aunque por lo general es menor a 1.

Curva Característica