TIRISTORES 3

ELECTRONICA DE POTENCIA

TIRISTORES

Osciladores de Relajación Dispositivos UJT, PUT, SUS/SBS y DIAC

Antonio Nachez

A-4-32-2 ELECTRONICA IV

A-4.32.2 Electrónica IV

Osciladores de Relajación

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INDICE 1.- Introducción 2.- Funcionamiento generalizado 3.- Teoría y características del Transistor Unijuntura 3.1.- Teoría de Operación 3.2.- Oscilador a Relajación con UJT 4.- Teoría y características del Transistor Unijuntura Programable 4.1.- Teoría de Operación 4.2.- Oscilador a Relajación con PUT 5.- Teoría y características de las Llaves Unilaterales y Bilaterales de Silicio 6.- Teoría y características de los DIAC


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OSCILADORES DE RELAJACIÓN

1.- Introducción. Un Oscilador de Relajación es un circuito generador de pulsos, separados por intervalos regulares, y cuyo principio de funcionamiento se encuentra basado en la utilización de dispositivos que presenten una zona de operación con resistencia negativa. Dado que los Osciladores de Relajación son ampliamente utilizados en el disparo de dispositivos semicontrolados como SCRs y TRIACS, se realiza el estudio de su funcionamiento en forma general para luego aplicarlo en implementaciones con diversos elementos del mercado.

2.- Funcionamiento generalizado. A modo de análisis general se considera el circuito de la figura 2.1 cuyo elemento no lineal presenta la característica V/I indicada en la figura 2.2.

Figura 2-1

Figura 2.2

Vi = Vcc

R1

+

-

V

+

-

C R2V

R2

+

-

Elemento conResistencia Negativa

1

2

3

4Q

VH

IH

IP

VS

IS

V

I


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Si en t=0 se aplica Vi = Vcc a la entrada del circuito de la figura 2.1, el condensador C

se carga con una constante de tiempo τ = R1C, despreciando la corriente que toma el elemento de resistencia negativa. Esta tensión se aplica al circuito serie compuesto por dicho dispositivo y la resistencia R2, por lo que el punto de trabajo Q se desplaza sobre la característica V/I, determinado por su intersección con la recta de pendiente R2. De la figura 2.2 puede verificarse que inicialmente la corriente por el circuito serie es despreciable, toda la tensión aplicada cae sobre el elemento de resistencia negativa y en consecuencia la tensión de salida es prácticamente nula. Cuando la tensión del condensador de entrada es la suficiente para que dispositivo alcance la zona de resistencia negativa determinada por el punto 1, éste comienza a conducir y el punto de trabajo se desplaza del punto 1 al punto 2. La corriente máxima por el circuito serie es IP y el pico de la tensión de salida R2IP. Esta corriente es provista principalmente por el capacitor C, que al descargarse provoca que el punto de trabajo se desplace de 2 a 3. Al llegar a 3 el dispositivo ingresa nuevamente en la zona de resistencia negativa, su resistencia aumenta y el punto de trabajo pasa del punto 3 al punto 4. El dispositivo vuelve a la condición de alta resistencia no derivando mas corriente, por lo que el condensador C vuelve a cargarse y recomienza el ciclo. Del funcionamiento descrito se observa que el primer pulso, a partir del momento que se aplica tensión al circuito, se produce al cabo de un intervalo de tiempo mayor que los restantes. En el primer caso el condensador C se carga desde cero a la tensión que lleva al dispositivo al punto 1, en cambio todos los pulsos posteriores se producen luego de transcurrido el tiempo necesario para hacer pasar el dispositivo del punto 4 al punto 1. Cabe destacar que si bien el punto 1 es prácticamente coincidente con el correspondiente a VS/IS, el primero se encuentra fijado cuando la recta R2 es tangente a la característica V/I del dispositivo, mientras que VS/IS es donde la tensión V sobre el dispositivo es máxima. Para que el circuito oscile el valor de la resistencia de temporización R1 debe encontrarse en un entorno fijado por sus valores máximo y mínimo. Considerando que el punto 1 y el de VS/IS coinciden, el máximo valor de R1 se encuentra fijado por la necesidad de poder cargar el condensador a VS. Si R1 es de un valor tal que la corriente de entrada pueda ser inferior a IS en un momento de la operatoria, el condensador C no puede cargarse a VS y el dispositivo nunca alcanza la zona de resistencia negativa. Por el contrario, si R1 es de un valor tan bajo que una vez disparado el dispositivo, circule una corriente superior a IH, éste permanece en conducción sin alcanzar el punto 3 (despreciando la caída en R2). De las condiciones anteriores puede fijarse:

R1max = Vi – VS / IS R1min = Vi – VH / IH Para una correcta operación de un circuito Oscilador de Relajación, además de sus características estáticas debe tenerse en cuenta su comportamiento dinámico. Un dispositivo con elevados tiempos de conmutación, que pase lentamente del punto 1 al punto 2, en realidad nunca lo alcanza dado que durante este lapso el condensador ya se ha ido descargando. El resultado es que el valor de IP es menor y en consecuencia

lo es también la amplitud del pulso de salida. En general, para τ = R2C mayores a diez veces los tiempos de conmutación, puede considerarse que se alcanza el valor de IP y


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la máxima amplitud de salida. Para constantes de tiempo R2C menores, hay que prever la degradación del pulso de salida debido a las consideraciones anteriores. Múltiples dispositivos reales se utilizan en la implementación de Osciladores de Relajación, los mas usuales son:

UJT Transistores Unijuntura PUT Transistores Unijuntura Programables SUS Llaves Unilaterales de Silicio SBS Llaves Bilaterales de Silicio DIAC Diodos para Corriente Alterna

3.- Teoría y características del Transistor Unijuntura. El transistor unijuntura, UJT de sus denominación en inglés Unijunction Transistor, es un dispositivo introducido en forma teórica en el año 1948 y cuyas características fueron descriptas por Skockley y Haynes al año siguiente. Su primer fabricación comercial fue realizada en al año 1952. 3.1.- Teoría de Operación El UJT es un dispositivo de tres terminales denominados emisor (E), Base Uno (B1) y Base Dos (B2). Su símbolo, característica, tensiones y corrientes se indican en la figura 3.1

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Figura 3.1

Como indica su nombre, el UJT tiene solo una juntura PN, por lo que presenta una característica completamente diferente a un transistor convencional. Para explicar su funcionamiento, es conveniente modelizarlo por una estructura de barra como se indica en la figura 3.2. (a), cuyo circuito equivalente se indica en la figura 3.2 (b). Circuito válido para corrientes de emisor iguales o inferiores a las de la corriente de pico.

VB2B1

IB2

E

B1

B2

IE

VE


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Figura 3.2

E

B2

B1

VD

rB2

rB1

A VB2B1

+

.

E

B2

B1

VD

rB2

rS

A VB2B1

+

.

E

B2

B1

VD

rB2

rB1

A VB2B1

+

.

(b) Circuito equivalente válido para IE menor o igual a I

P

(c) Circuito equivalente válido para la regiónde resistencia negativa

rS

rN

(d) Circuito equivalente válido para la regiónde saturación

E Estructura de Silicio

Tipo N

(a) Estructura simplificada del UJT

P

B2

B1


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Al aplicarse una tensión VB2B1 circula una corriente en la barra de silicio entre los dos terminales de base. Como la barra es una resistencia de valor rBB, la corriente interbase resulta

I B2 = VB2B1 / rBB

Una fracción de esta tensión aparece en el punto A, donde se encuentra el terminal de emisor, fracción conocida como coeficiente intrínseco e identificada por la letra griega

η. Sin tensión aplicada al emisor, la tensión del punto A es ηVB2B1, por lo que la juntura PN se encuentra inversamente polarizada y solo circula una pequeña corriente inversa. Si se incrementa la tensión de emisor hasta al alcanzar el valor que justo inicia la conducción de a la juntura PN, este valor se corresponde con el valor de pico de la tensión de emisor Vp. Cuyo valor constituye la ecuación fundamental de los UJT trabajando como osciladores de relajación:

Vp = VD + ηVB2B1

A partir de este valor, al polarizarse en sentido directo la juntura PN, se inyectan huecos desde el emisor hacia la barra de silicio. El campo eléctrico dentro de la barra tiene la polaridad adecuada para transportar a los huecos hacia el terminal de base uno. Como la conductividad de un material semiconductor es una función directa de la concentración y movilidad de los portadores, la inyección de huecos aumenta la conductibilidad en la zona, dando origen a un proceso de realimentación positiva denominado modulación de la conductividad. El incremento de portadores, reduce la resistividad, causando a su vez un aumento en la caída de tensión entre el emisor y base uno. Proceso que a su vez permite que mas huecos sean inyectados desde el emisor, volviendo a disminuir la resistividad. Mientras el UJT está sometido a este proceso entre los terminales de emisor y base uno se encuentra en la zona de resistencia negativa. En la figura 3.2 (c), se grafica esta situación. Para corrientes de emisor iguales o inferiores a su valor de pico, la resistencia rBB puede considerarse dividida en dos partes rB1 y rB2 de acuerdo a las siguientes expresiones:

rB1 = η rBB

rB2 = rBB - rB1 En la zona de resistencia negativa, la resistencia rB1 puede considerarse compuesta por una parte fija rs (resistencia de saturación) y una variable rn (resistencia negativa) , siendo rs el mínimo valor de rB1 una vez finalizado el proceso de realimentación positivo y rn se haya hecho nula. Cuando rB1 = rs, el UJT ya no se encuentra en la zona de resistencia negativa y el punto de la característica donde rB1 alcanza su valor mínimo es el punto de valle, determinado por el par de valores IV y VV de la característica de emisor. Pasado este punto, el UJT entra en la zona de saturación, donde la corriente de emisor es una función lineal de la tensión de emisor. El circuito equivalente en esta región se indica en la figura 3.2 (d) En la curva característica del UJT de la figura 3.1 pueden diferenciarse las tres zonas; de corte, de resistencia negativa y de saturación. La primera de ellas no está dibujada a escala para poder visualizar el punto de pico, ya que mientras Ip es del orden de los


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nA/uA, la Iv es del orden de los mA. A la izquierda del punto de pico se encuentra la región de corte, donde la juntura PN se encuentra inversamente polarizada a excepción de las cercanías del punto de pico, y solo circula la pequeña corriente de pérdidas. A la derecha de este punto, y hasta el punto de valle, se encuentra la zona de modulación de conductividad que da origen al comportamiento de resistencia negativa del UJT. A la derecha del punto de valle se encuentra la zona de saturación donde la corriente de emisor está limitada por rs. La característica de emisor para corriente nula de base dos es esencialmente igual a la de un diodo de silicio. En la siguiente tabla se indican valores típicos de un transistor unijuntura.

Parámetro Símbolo Valores típicos Coeficiente intrínseco η 0,7

Resistencia interbase rBB 7 Kohm Corriente de pico Ip 1 uA

Corriente de valle Iv 10 mA Corriente inversa de emisor IEO 0,1 uA Tensión de saturación de emisor VEB1 (SAT) 1,5 V

Caída directa de la juntura de emisor VD 0,6 V Tensión de valle Vv 1,5 V

3.2.- Oscilador a Relajación con UJT El la figura 3.3. se indica el circuito de aplicación típico de un UJT trabajando como un oscilador a relajación:

Figura 3.3

Cuando se aplica la tensión de alimentación, CE se carga exponencialmente a través de RE hasta alcanzar el valor de disparo Vp. A esta tensión, la juntura PN entre emisor y base uno, se polariza en forma directa y la característica de emisor entra en la zona de resistencia negativa. El capacitor CE se descarga al circular una corriente de emisor, produciendo un pulso positivo en el terminal B1. Este pulso se produce sobre la resistencia R1, que puede existir físicamente o bien representar la impedancia de entrada de la compuerta del tiristor que se desea disparar mediante el oscilador de relajación.

R2

R1 CE

RE RE = 10 K CE = 0,01 uF R2 = 270 ohm

R1 = 27 ohm

Vcc = 12 V


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Antes de dispararse, una corriente IB2 se encuentra circulando entre las dos bases. Cuando el UJT entra en la zona de resistencia negativa, la IB2 se incrementa, dado que rB2 disminuye al valor de rs, dando origen a un pulso negativo en el terminal de B2. Cuando la tensión en el emisor decrece al valor de valle por la descarga del capacitor, el UJT se corta, el capacitor CE vuelve a cargarse y el ciclo se repite, si se satisface que el valor de R1 se encuentra entre los máximos y mínimos permitidos. Para el cálculo del período en régimen permanente, la tensión en el capacitor CE sigue una evolución dada por:

VCE = Vv + (Vcc – Vv) (1 –e –t/τ) con τ = RE CE El disparo se produce cuando

VCE = Vp = VD + η VB1B2 Por lo que resulta un período

T = RE CE ln (Vcc – Vv) / (Vcc – VD – η VB1B2) Usualmente, despreciando Vv y VD, el período queda expresado por:

T = RE CE ln 1 / (1- η) = τ ln 1 / (1- η) Para la correcta operación de un oscilador a relajación en el disparo de tiristores, debe asegurarse que el período se mantenga constante y la amplitud del pulso de salida sobre R1 sea de la energía requerida El período calculado se ve afectado por la variación de la temperatura. Variación que puede minimizarse mediante la adecuada elección del valor de la resistencia R2 en el circuito de la figura 3.3. La ecuación básica del UJT operando como oscilador de relajación es

Vp = VD + η VB1B2 La presencia de R2, y despreciando R1, la modifica como:

Vp = VD + Vcc / (rBB + R2) η VB1B2

Sin la presencia de R2, si la temperatura aumenta, como VD y η tienen un coeficiente negativo de variación con la temperatura, Vp disminuye con la temperatura. La inclusión de R2 introduce a rBB en la expresión de Vp. rBB presenta un coeficiente positivo de variación con la temperatura, tendiendo a compensar la disminución de Vp

debidos a VD y η, al incrementarse la temperatura. Si R2 no varía con la temperatura, puede elegirse un valor adecuado, que permite alcanzar una variación del 1% en Vp sobre una variación en 50º C. El valor de R2 puede calcularse a partir de la información de los fabricantes sobre la variación de los parámetros con la temperatura, pero como primer aproximación en circuitos no críticos, para independizar el período de los cambios de temperatura se toma::

R2 = 15 % rBB


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En cuanto a la energía entregada en el pulso de descarga del capacitor CE durante la zona de resistencia negativa, en principio la tensión en el mismo no puede variar instantáneamente, tendiendo a establecer una corriente dada por el valor de Vp al cual se ha cargado CE y las resistencias rs (resistencia de saturación emisor base 1) y R1. El tiempo que tarda en establecerse esta corriente es del orden de los microsegundos. Durante este tiempo de conmutación, CE puede ir descargándose y producir un pulso de amplitud menor que el esperado en función de los valores del circuito. Estas variaciones se encuentran graficadas en la figura 3.4, para distintos valores de CE y de VB1B2, ensayado en un circuito como el de la figura 3.3 con los siguientes valores

RE = 10 ohm

R2 = 1 Kohm

R1 = 27 ohm

En la figura puede observarse como para distintos valores de CE y VB1B2 se obtienen diferentes valores de corriente de emisor

Figura 3.4

4.- Teoría y características del Transistor Unijuntura Programable. El transistor unijuntura programable, PUT de sus denominación en inglés Programmable Unijunction Transistor, es un dispositivo de cuatro capas, perteneciente a la familia de los tiristores, con acceso al terminal de compuerta de ánodo y utilizado en aplicaciones de osciladores de relajación. Su nombre se deriva de su uso en este tipo de circuitos en lugar de los UJT, y denominados programables por no tener un

coeficiente intrínseco η fijo, sino que puede ser modificado por el circuito.


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4.1.- Teoría de Operación El PUT, como el UJT, es un dispositivo de tres terminales, que por pertenecer a la familia de los tiristores, utilizan los usuales de ánodo, cátodo y compuerta. Su símbolo, y circuito equivalente se indican en la figura 4.1.

Figura 4.1 De la figura puede observarse que el disparo se produce por el terminal de ánodo en lugar del de cátodo, haciendo a la compuerta negativa con respecto al ánodo para pasar del estado de corte al de conducción. El uso de los PUTs se encuentra casi limitado a su utilización en osciladores de relajación para disparo de tiristores de potencia en aplicaciones de control de fase. Su alta sensibilidad, les permite trabajar con elevados valores de resistencia de temporización o pequeños valores de capacidad, en aplicaciones de baja corriente, tales como temporizaciones muy largas o en circuitos alimentadas con baterías. Adicionalmente, por su conmutación debido a un proceso de realimentación positiva de elementos activos, presentan menores tiempos de conmutación que los UJT donde este proceso se debe a un cambio en la conductividad de la barra de silicio por inyección de portadores. En consecuencia menores valores de capacidad producen pulsos de disparo de la potencia adecuada En la figura 4.2. se indica un oscilador a relajación típico implementado con PUT. En el mismo puede apreciarse que se fija el potencial de la compuerta de ánodo a un valor Vs determinado por el divisor resistivo R1 y R2. La resistencia y capacidad de temporización RT y CT, fijan la evolución de la tensión del ánodo. Cuando alcance el potencial de la compuerta, mas la necesaria para vencer la caída directa de la juntura ánodo compuerta, el PUT se encuentra con tensión ánodo cátodo positiva y corriente de compuerta, por lo que pasa del estado de corte al de conducción como cualquier miembro de la familia de los tiristores.


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Figura 4.2 En este circuito, la curva característica que vincula la tensión ánodo cátodo con la corriente de ánodo del PUT es como se indica en la figura 4.3. Pueden observarse los puntos estables de pico y de valle en ambos extremos de la zona de resistencia negativa.

Figura 4.3


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La tensión de pico Vp es prácticamente la fijada por el divisor resistivo, mas la caída en un diodo polarizado directamente. Como la referencia es fijada por el circuito y no por el dispositivo en si, puede ser modificada a voluntad, y en este sentido la tensión de pico Vp es programable. Al caracterizar a un PUT, se acostumbra referirlas a la tensión y resistencia de Thevenin Vs y RG, visto desde el terminal de compuerta:

Vs = V1 R1 / (R1 + R2) RG = R1R2 / (R1 + R2)

La mayoría de los parámetros de un PUT son función de los valores de Vs y RG, como de hecho lo es la curva de la figura 4.3. Disminuir RG produce un aumento en los valores de las corrientes de pico y de valle, dado que por encontrarse RG en paralelo con el PUT, la disminución de RG torna al PUT mas insensible. En la siguiente tabla se suministran valores de pico y de valle de los PUT Motorola tipos 2N6027 y 2N6028 para distintos valores de RG

Símbolo RG 2N6027 2N6028 Unidades Ip RG = 1 mohm

RG = 10 Kohm 1,25 4

0,08 0,70

uA uA

Iv RG = 1 Mohm RG = 10 Kohm

18 150

18 150

uA uA

Otros valores típicos son: Símbolo Descripción Valor Típico Observaciones VAG Caída directa ánodo

compuerta 25 °C 0,3 V @ IAG 0,1 uA 0,7 V @ IAG 1 mA

Coeficiente negativo con la temperatura, -2,4 V/°C @ 10 nA y -1,6 V/°C @ 10 mA

IGKS Corriente inversa compuerta cátodo con el ánodo cortocircuitado

5 nA

IGAO Corriente inversa compuerta ánodo con cátodo abierto

1 na @ 25° Se duplica cada 10 °C

VF Caída directa ánodo cátodo 0.8 V

4.2.- Oscilador a Relajación con PUT El la figura 4.2 se indica el circuito de aplicación típico de un UJT trabajando como un oscilador a relajación. Su funcionamiento es análogo al explicado para los UJT. Dadas las características constructivas y funcionales de los PUT, en su aplicación en osciladores de bloqueo deben tenerse en cuenta las siguientes consideraciones: � Al igual que en los UJT, la resistencia de temporización RT debe ser lo

suficientemente baja para que pueda alcanzar a circular Ip y lo suficientemente alta


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para que no pueda circular la Iv en forma permanente. Para el caso de los PUT debe tenerse en cuenta que los valores de Ip e Iv dependen del valor de RG.

� El valor de Vp en los PUT es fijado por el circuito exterior, por ejemplo mediante un

divisor resistivo como el de la figura 4.2. � La ecuación básica del PUT es:

Vp = VT + Vs

Siendo Vs la tensión de Thevenin vista desde la compuerta y VT una tensión de offset compuesta por la caída directa de la juntura ánodo compuerta VAG mas la caída producida en RG por la corriente Ip justo antes del disparo.

� Como VT = VAG + Ip RG, un cambio en RG afecta a ambos términos en forma

opuesta. Si RG aumenta, Ip disminuye y hace decrecer a VAG, pero como Ip no se reduce tan rápido como RG se incrementa, el producto Ip RG aumenta, aumentando el valor de VT. Como estas variaciones son difíciles de estimar, es de uso generalizado tomar para la mayoría de las aplicaciones.

VT = 0,5 V

� El período de un oscilador a relajación basado en PUT resulta:

VCT = Vp = VT + Vs Por lo que resulta un período

T = RT CT ln (Vcc – Vv) / (Vcc – VT - Vs)

Despreciando Vv y VT, se reduce a una expresión equivalente a la ya obtenida para los UJT.

T = RT CT ln (1 + R1 / R2)

� Al igual que con los UJT, la amplitud del pulso de salida depende de la velocidad de

conmutación, especialmente para capacidades inferiores a 0,01 uF.

� Valores típicos de frecuencias de oscilación se encuentran comprendidas entre los 0,003 Hz y 2,5 KHz.

� El PUT operando como oscilador de bloqueo presenta una baja dependencia de su frecuencia con la temperatura debido a que su tensión de compuerta se encuentra fijada exteriormente. Para aplicaciones críticas deben implementarse circuitos de compensación

5.- Teoría y características de las Llaves Unilaterales y Bilaterales de Silicio. Estos dispositivos, conocidos por sus siglas SBS y SUS de sus denominaciones en inglés Silicon Unilateral Switch y Silicon Bilateral Switch, también pertenecen a la familia de los tiristores, integrando PUT y diodos zener para fijar el valor de la tensión de referencia.


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En la figura 5.1 se indica el símbolo, el circuito equivalente y la curva característica de los SUS.

Figura 5.1 La figura 5.2 presenta los mismos datos para los SBS.

Figura 5.2

De las figuras precedentes puede observarse que son dispositivos de tres terminales con una característica equivalente a la de los PUT, por lo que su utilización en circuitos osciladores de relajación es similar al de la figura 4.2, pero con la tensión de referencia de compuerta fijada por el diodozener interno en lugar de serlo por el circuito exterior. La tabla siguiente presenta algunos valores típicos de un SUS como el D13D1

Símbolo Descripción Valor Típico Vs Tensión de disparo 6 a 10 V Is Corriente de disparo 0,5 mA máximo VH Tensión de mantenimiento 0,7 V @ 25º IH Corriente de mantenimiento 1,5 mA VF Caída directa 1,75 V @ 200 mA Vo Tensión de pico del pulso 3,5 V mínimo El valor de Vo se obtiene sobre una resistencia de cátodo de 20 ohms, con un circuito de temporización alimentado desde 15 V y con valores de resistencia y capacitor de 100 K y 0,1 uF. Puede observarse que presentan un valor relativamente elevado de la corriente de pico, y que ésta no difiere significativamente de la de valle, por lo que las frecuencias


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máximas y mínimas de operación se encuentran limitadas. Por estas razones, actualmente se disponen dispositivos integrados que presentan características similares y mejores valores de sus parámetros. Los SBS, como por ejemplo el D13E1, son esencialmente dos SUS idénticos en anti paralelo. Como puede operar con polaridades opuestas de la tensión de alimentación, su principal uso se encuentra en el disparo de tiristores bidireccionales como los TRIAC. Esta operación se logra excitando el circuito del oscilador con tensiones alternas en vez de continuas.

6.- Teoría y características de los DIAC. Los DIAC son dispositivos de solo dos terminales, cuyo símbolo y características se indican en la figura 6.1.

Figura 6.1

Estos dispositivos pertenecen a la familia de los tiristores, se encuentran construidos con las cuatro capas típicas de la familia, pero con la particularidad que su disparo no se produce por la inyección de portadores en el terminal de compuerta, sino por tensión de ruptura. Forma de disparo que generalmente resulta destructiva para la mayoría de los miembros de la familia de tiristores, pero que es la utilizada en los DIAC. Puede observarse de su característica, que la zona de resistencia negativa comienza al superarse la tensión de ruptura y luego permanece permanentemente en esta zona, por lo que no existe un punto de valle. La siguiente tabla contiene valores típicos del DIAC ST-2:


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Símbolo Descripción Valor Típico V(BR) Tensión de ruptura 28 a 36 V I(BR) Corriente de ruptura 200 uA máximo ep Tensión de pico del pulso 3 V mínimo El valor de ep se mide en un circuito con los mismos valores que los utilizados para la determinación del pulso de disparo de los SUS. A aplicación típica de los DIAC es para el disparo de TRIAC.

TIRISTORES 3

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