La memoria ZRAM debe a su nombre a ZERO CAPACITOR RAM, es decir memoria sin capacitores. En cambio la memoria DRAM convencional utiliza un capacitor y un transistor por cada celda, que represe4nta un bit.

La actual memoria SRAM, empleada en la caché, tiene 6 transistores por celda. En cambio , la ZRAM utiliza tan sólo un transistor por celda, lo que dispara la densidad de celdas que podrían caber en el mismo espacio. Asila ZRAM duplica la densidad de la DRAM y sextuplica la de la SRAM.

MEMORIAS ZRAM Y PRAM

Técnicamente es mucho más rápida q la DRAM y SRAM. El problema radica q al usar este tipo de memoria RAM como principal, los circuitos que se emplean poseen largas líneas por recorrer, que es lo que retrasaría la comunicación y la limitaría unos 3 nanosegundos.

La memoria PRAM de cambio de fase (phase-change RAM), emplea un tipo de material especial, el mismo usado en discos

regrabables como los cd-rw y los dvd-rw, que pueden tener dos estados: cristalino y amorfo, los cuales cambian según se les

aplique calor. El estado cristalino posee una resistencia prácticamente nula al paso de la corriente y representa el “1”, mientras que el estado amorfo impone una alta resistencia al paso de ésta, mientras que el estado amorfo impone una alta

resistencia al paso de ésta, lo que se usa para indicar “0”

Otro tipo de memoria que quiere imponerse como la sucesora de las memorias noor y nand es la MRAM, la cual es una de las favoritas para consagrarse triunfadora, Cada celda de estas memorias utiliza una dupla de placas ferros magnéticas separados por una fina capa de material aislante. Las ventajas de la MRAM son su menor consumo, su menor tiempo de respuesta, y mayor vida útil.

MEMORIA-MRAM

RAMs Estáticas → (SRAMs)

• Celda de memoria Todas las SRAMs se→caracterizan por celdas de memoria de latch.• Mientras tenga alimentación continua puederetener indefinidamente un estado de 1 o 0. Sequita la alimentación, se pierde el bit almacenado.

Celda dememoria SRAMde latch →

• Las celdas de memoria en una SRAM seorganizan en renglones y columnas.

• Cada grupo de lineas data in y data out va acada celda en una columna dada.

• Escribir una unidad de datos , La línea de row→select se lleva a estado activo y se ponen 4 bitsde datos en las lineas de I/O, después la línea deescritura se lleva al estado activo lo que causaque se almacene cada bit en una celda.

TIPOS DE SRAM

No Volátiles Por FunciónAsíncrona Por Tipo de Transistor

Salvaguarda información crítica Muy rápidos4Kb hasta 32Mb. Async Sync

Conservar datos

No es posible uso de batería

Tiempo de acceso rápido

Consumo muyAlto

No depende

De la Frecuencia

De reloj

OperaciónControla

Reloj

No Volátiles Asíncrona

• SRAM Asíncrona su →operación no estasincronizada con el reloj del sistema.

Diagrama lógicopara una SRAMAsíncrona de32k x 8 →

Organización Básica de la SRAM Asíncrona

SRAM de ráfaga síncrona SB SRAM

• En una computadora, la SRAM síncronaopera con la misma señal de reloj que opera el microprocesador, con lo que se consigue una operación mas rápida.

• Caché Una de las mayores aplicaciones de las →SRAMs

http://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/e/e8/Memoria_RAM.JPG

DRAM(Dynamic Random Acces Memory)

Es un tipo de memoria dinámica de acceso aleatorio que se usa principalmente en los módulos de memoria RAM y en otros dispositivos, como memoria principal del sistema.

Se denomina dinámica, ya que para mantener almacenado un dato, se requiere revisar el mismo y recargarlo, cada cierto período, en un ciclo de refresco.

Su principal ventaja es la posibilidad de construir memorias con una gran densidad de posiciones y que todavía funcionen a una velocidad alta: en la actualidad se fabrica en integrados con millones de posiciones y velocidades de acceso medidos en millones de bit por segundo.

Es una memoria volátil, es decir cuando no hay alimentación eléctrica, la memoria no guarda la información. Inventada a finales de los sesenta, es una de las memorias más usadas en la actualidad.

Funcionamiento:

La celda de memoria es la unidad básica de cualquier memoria, capaz de almacenar un Bit en los sistemas digitales. La construcción de la celda define el funcionamiento de la misma, en el caso de la DRAM moderna, consiste en un transistor de efecto de campo y un condensador. El principio de funcionamiento básico, es sencillo: una carga se almacena en el condensador significando un 1 y sin carga un 0.

El transistor funciona como un interruptor que conecta y desconecta al condensador. Este mecanismo puede implementarse con dispositivos discretos y de hecho muchas memorias anteriores a la época de los semiconductores, se basaban en arreglos de celdas transistor-condensador.

http://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/3/3d/Square_array_of_mosfet_cells_read.png

Su ventaja sobre las SRAM es la simplicidad de su estructura: sólo un transistor y un capacitor son requeridos por bit, comparado a los cinco transistores en las SRAM. Esto permite a las DRAM alcanzar muy alta densidad.

Ventajas de las DRAM

La memoria DRAM es más lenta que la memoria SRAM, pero por el contrario es mucho más barata de fabricar y por ello es el tipo de memoria RAM más comúnmente utilizada como memoria principal.

Diferencias entre la DRAM y la SRAM

• Tanto la DRAM como la SRAM pierden la informaciónalmacenada cuando la alimentación se elimina y por lotanto son memorias volátiles.

• Velocidad de lectura SRAMs > DRAMs→

• DRAMs pueden almacenar mucha mas información quelas SRAMs en un tamaño físico determinado y costo (lacelda DRAM es mucho mas simple y se pueden metermas celdas en un area de chip dada).