Tecnología de Materiales - UVmunozv/Teaching/tecnologia materiales...Tecnología de Materiales...
Transcript of Tecnología de Materiales - UVmunozv/Teaching/tecnologia materiales...Tecnología de Materiales...
![Page 1: Tecnología de Materiales - UVmunozv/Teaching/tecnologia materiales...Tecnología de Materiales Métodos de obtención de capas delgadas 2 VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ Other line Reactor](https://reader035.fdocuments.ec/reader035/viewer/2022081411/60ac608a7fd84432d010cf5f/html5/thumbnails/1.jpg)
1
VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ
Tecnología de Materiales
Métodos de obtención de capas delgadas
![Page 2: Tecnología de Materiales - UVmunozv/Teaching/tecnologia materiales...Tecnología de Materiales Métodos de obtención de capas delgadas 2 VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ Other line Reactor](https://reader035.fdocuments.ec/reader035/viewer/2022081411/60ac608a7fd84432d010cf5f/html5/thumbnails/2.jpg)
2
VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ
Other line Reactor
Exit
Valve
bubblers
A-Precursor B-Precursor
Mass flowcontrollers
Purifier
Carrier gas
Basis of MOCVD
![Page 3: Tecnología de Materiales - UVmunozv/Teaching/tecnologia materiales...Tecnología de Materiales Métodos de obtención de capas delgadas 2 VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ Other line Reactor](https://reader035.fdocuments.ec/reader035/viewer/2022081411/60ac608a7fd84432d010cf5f/html5/thumbnails/3.jpg)
3
VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ
Metal-OrganicChemical Vapour Deposition
Reactor
![Page 4: Tecnología de Materiales - UVmunozv/Teaching/tecnologia materiales...Tecnología de Materiales Métodos de obtención de capas delgadas 2 VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ Other line Reactor](https://reader035.fdocuments.ec/reader035/viewer/2022081411/60ac608a7fd84432d010cf5f/html5/thumbnails/4.jpg)
4
VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ
Metal-OrganicChemical Vapour Deposition
Control de
gasesal
reactor
![Page 5: Tecnología de Materiales - UVmunozv/Teaching/tecnologia materiales...Tecnología de Materiales Métodos de obtención de capas delgadas 2 VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ Other line Reactor](https://reader035.fdocuments.ec/reader035/viewer/2022081411/60ac608a7fd84432d010cf5f/html5/thumbnails/5.jpg)
5
VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ
Generaloverview
Metal-OrganicChemical Vapour Deposition
![Page 6: Tecnología de Materiales - UVmunozv/Teaching/tecnologia materiales...Tecnología de Materiales Métodos de obtención de capas delgadas 2 VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ Other line Reactor](https://reader035.fdocuments.ec/reader035/viewer/2022081411/60ac608a7fd84432d010cf5f/html5/thumbnails/6.jpg)
6
VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ
Metal-OrganicChemical Vapour Deposition
Control
![Page 7: Tecnología de Materiales - UVmunozv/Teaching/tecnologia materiales...Tecnología de Materiales Métodos de obtención de capas delgadas 2 VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ Other line Reactor](https://reader035.fdocuments.ec/reader035/viewer/2022081411/60ac608a7fd84432d010cf5f/html5/thumbnails/7.jpg)
7
VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ
•Choice of precursors to avoid parasitic reactions
•MOCVD reactor design to facilitate the process
•Substrate and effects on the morphology
•Experimental conditions : Temperature, pressure, carrier gas and so on
•Others...
Problems as regard the MOCVD process
![Page 8: Tecnología de Materiales - UVmunozv/Teaching/tecnologia materiales...Tecnología de Materiales Métodos de obtención de capas delgadas 2 VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ Other line Reactor](https://reader035.fdocuments.ec/reader035/viewer/2022081411/60ac608a7fd84432d010cf5f/html5/thumbnails/8.jpg)
8
VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ
The ethyl radicals have lower reactivity as regard the methyl’sones. Lower C pollution using ethyl radicalsA very important problem is the strong reactivity betweenZn and Oxygen. We need to avoid parasitic reactions that can pollute and damage the layer
Some general considerations
Lower temperatures are easier to manage for technical reasonsThey reduce the effect of tensions in the heating andcooling processes. They also can reduce the concentrationof puntual deffects
If we use sapphire as substrate, we have a large mismatch. In order to avoid the induced problems a good way isthe analyse of the different effects related with different substrateorientations and, additionally, the use of buffer layers
![Page 9: Tecnología de Materiales - UVmunozv/Teaching/tecnologia materiales...Tecnología de Materiales Métodos de obtención de capas delgadas 2 VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ Other line Reactor](https://reader035.fdocuments.ec/reader035/viewer/2022081411/60ac608a7fd84432d010cf5f/html5/thumbnails/9.jpg)
9
VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ
¿Que precursores elegir?
BBB versus ASE
![Page 10: Tecnología de Materiales - UVmunozv/Teaching/tecnologia materiales...Tecnología de Materiales Métodos de obtención de capas delgadas 2 VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ Other line Reactor](https://reader035.fdocuments.ec/reader035/viewer/2022081411/60ac608a7fd84432d010cf5f/html5/thumbnails/10.jpg)
10
VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ
Precursores
Typical values for the molar flow are in the order of 10-20µmol/min
For TMGaFor TEGa
4.8 sccm at 0ºC
100 sccm at 20ºC
![Page 11: Tecnología de Materiales - UVmunozv/Teaching/tecnologia materiales...Tecnología de Materiales Métodos de obtención de capas delgadas 2 VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ Other line Reactor](https://reader035.fdocuments.ec/reader035/viewer/2022081411/60ac608a7fd84432d010cf5f/html5/thumbnails/11.jpg)
11
VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ
Diethylzinc
![Page 12: Tecnología de Materiales - UVmunozv/Teaching/tecnologia materiales...Tecnología de Materiales Métodos de obtención de capas delgadas 2 VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ Other line Reactor](https://reader035.fdocuments.ec/reader035/viewer/2022081411/60ac608a7fd84432d010cf5f/html5/thumbnails/12.jpg)
12
VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ
DIMETHYLZINCPHYSICAL PROPERTIES
Formula Weight: 95.44
Boiling Point: 46ºC
Freezing Point: -42ºC
Density @ 10ºC: 1.386g/ml
V.P. @ 0ºC:V.P. @ 20ºC:
123mmHg300mmHg
V.P. Equation:Log10P(mmHg)=7.80-1560/T(K)
Appearance: Clear Liquid
Dimethylzinc
![Page 13: Tecnología de Materiales - UVmunozv/Teaching/tecnologia materiales...Tecnología de Materiales Métodos de obtención de capas delgadas 2 VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ Other line Reactor](https://reader035.fdocuments.ec/reader035/viewer/2022081411/60ac608a7fd84432d010cf5f/html5/thumbnails/13.jpg)
13
VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ
Dimethylzinc-Triethylamine
DIMETHYLZINC-TRIETHYLAMINEPHYSICAL PROPERTIES
Formula Weight: 196.4
Boiling Point @ (760mmHg):
95ºC
Melting Point: Not Available
Density @ 20ºC: Not Available
V.P. @ 20ºC:V.P. @ 40ºC:
35mmHg94mmHg
V.P. Equation:Log10P(mmHg)=8.27-1970/T(K)
Appearance: Clear Liquid
![Page 14: Tecnología de Materiales - UVmunozv/Teaching/tecnologia materiales...Tecnología de Materiales Métodos de obtención de capas delgadas 2 VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ Other line Reactor](https://reader035.fdocuments.ec/reader035/viewer/2022081411/60ac608a7fd84432d010cf5f/html5/thumbnails/14.jpg)
14
VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ
OxygenAlcoholsNONO2COCO2Others
For the oxygen:
![Page 15: Tecnología de Materiales - UVmunozv/Teaching/tecnologia materiales...Tecnología de Materiales Métodos de obtención de capas delgadas 2 VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ Other line Reactor](https://reader035.fdocuments.ec/reader035/viewer/2022081411/60ac608a7fd84432d010cf5f/html5/thumbnails/15.jpg)
15
VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ
Los radicales ethyl tienen mucha menor reactividad comparado con los radicales Methyl.
Menor contaminación con Carbono para los radicales Ethyl
Un problema en el crecimiento del ZnO es la fuerte reactividad del Zn y el oxigeno.
Hay que evitar reacciones parásitas que pueden contaminar y deteriorar la capa.
Algunas consideraciones
![Page 16: Tecnología de Materiales - UVmunozv/Teaching/tecnologia materiales...Tecnología de Materiales Métodos de obtención de capas delgadas 2 VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ Other line Reactor](https://reader035.fdocuments.ec/reader035/viewer/2022081411/60ac608a7fd84432d010cf5f/html5/thumbnails/16.jpg)
16
VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ
Estudio de la pirolisis de los precursores
![Page 17: Tecnología de Materiales - UVmunozv/Teaching/tecnologia materiales...Tecnología de Materiales Métodos de obtención de capas delgadas 2 VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ Other line Reactor](https://reader035.fdocuments.ec/reader035/viewer/2022081411/60ac608a7fd84432d010cf5f/html5/thumbnails/17.jpg)
17
VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ
Metal-OrganicChemical Vapour Deposition
Spectrometer
![Page 18: Tecnología de Materiales - UVmunozv/Teaching/tecnologia materiales...Tecnología de Materiales Métodos de obtención de capas delgadas 2 VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ Other line Reactor](https://reader035.fdocuments.ec/reader035/viewer/2022081411/60ac608a7fd84432d010cf5f/html5/thumbnails/18.jpg)
18
VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ
Pyrolysis data for tertiarybutanol
(a) Room temperature(b) At 480 ºC
![Page 19: Tecnología de Materiales - UVmunozv/Teaching/tecnologia materiales...Tecnología de Materiales Métodos de obtención de capas delgadas 2 VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ Other line Reactor](https://reader035.fdocuments.ec/reader035/viewer/2022081411/60ac608a7fd84432d010cf5f/html5/thumbnails/19.jpg)
19
VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ
Decomposition of Tertiarybutanol
![Page 20: Tecnología de Materiales - UVmunozv/Teaching/tecnologia materiales...Tecnología de Materiales Métodos de obtención de capas delgadas 2 VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ Other line Reactor](https://reader035.fdocuments.ec/reader035/viewer/2022081411/60ac608a7fd84432d010cf5f/html5/thumbnails/20.jpg)
20
VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ
Decomposition of DEZn
![Page 21: Tecnología de Materiales - UVmunozv/Teaching/tecnologia materiales...Tecnología de Materiales Métodos de obtención de capas delgadas 2 VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ Other line Reactor](https://reader035.fdocuments.ec/reader035/viewer/2022081411/60ac608a7fd84432d010cf5f/html5/thumbnails/21.jpg)
21
VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ
Co-pyrolysis of Tertiarybutanol and DEZn
![Page 22: Tecnología de Materiales - UVmunozv/Teaching/tecnologia materiales...Tecnología de Materiales Métodos de obtención de capas delgadas 2 VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ Other line Reactor](https://reader035.fdocuments.ec/reader035/viewer/2022081411/60ac608a7fd84432d010cf5f/html5/thumbnails/22.jpg)
22
VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ
Comparison of co-pyrolysis and pyrolysis
![Page 23: Tecnología de Materiales - UVmunozv/Teaching/tecnologia materiales...Tecnología de Materiales Métodos de obtención de capas delgadas 2 VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ Other line Reactor](https://reader035.fdocuments.ec/reader035/viewer/2022081411/60ac608a7fd84432d010cf5f/html5/thumbnails/23.jpg)
23
VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ
What substrate to use?
SapphireZnOMgOGlassSilicaOthers
![Page 24: Tecnología de Materiales - UVmunozv/Teaching/tecnologia materiales...Tecnología de Materiales Métodos de obtención de capas delgadas 2 VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ Other line Reactor](https://reader035.fdocuments.ec/reader035/viewer/2022081411/60ac608a7fd84432d010cf5f/html5/thumbnails/24.jpg)
24
VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ
Substratos para el GaN
![Page 25: Tecnología de Materiales - UVmunozv/Teaching/tecnologia materiales...Tecnología de Materiales Métodos de obtención de capas delgadas 2 VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ Other line Reactor](https://reader035.fdocuments.ec/reader035/viewer/2022081411/60ac608a7fd84432d010cf5f/html5/thumbnails/25.jpg)
25
VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ
Sapphire as substrate
Wurzite structure:
aSapphire= 4.77 Å
cSapphire= 13.04 Å
Crystallographicplanes:
C (0 0 0 1)
R (1 -1 0 2)
A (1 1 -2 0)
M (1 -1 0 0)
![Page 26: Tecnología de Materiales - UVmunozv/Teaching/tecnologia materiales...Tecnología de Materiales Métodos de obtención de capas delgadas 2 VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ Other line Reactor](https://reader035.fdocuments.ec/reader035/viewer/2022081411/60ac608a7fd84432d010cf5f/html5/thumbnails/26.jpg)
26
VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ
La baja temperatura es importante por razones técnicas
Efecto de tensiones en el calentamiento y enfriamiento
Concentración de defectos...
El crecimiento es tridimensional
Aparece una gran diferencia de parámetro de red con elsubstrato mas utilizado:El zafiro
Una posibilidad sería la utilización de una capa de transición
Algunas consideraciones de carácter general
![Page 27: Tecnología de Materiales - UVmunozv/Teaching/tecnologia materiales...Tecnología de Materiales Métodos de obtención de capas delgadas 2 VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ Other line Reactor](https://reader035.fdocuments.ec/reader035/viewer/2022081411/60ac608a7fd84432d010cf5f/html5/thumbnails/27.jpg)
27
VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ
La velocidad de crecimiento puede ser controlada por dos tipos de mecanismos:Reacciones superficiales. La velocidad de crecimiento crece exponencialmente con T. Proceso activado térmicamenteProceso limitado por la llegada de los reactantes al substrato: En el rango de alta temperatura (sin descomposición del cristal) las reacciones químicas son suficientemente rápidas y la velocidad de crecimiento esta limitada por la llegada de los reactantes a la superficie. Estamos en el caso limitado por la difusión
El valor optimo depende de la fuerza de enlace del cristal, la estabilidad térmica, la química de los precursores.
Velocidad de crecimiento
![Page 28: Tecnología de Materiales - UVmunozv/Teaching/tecnologia materiales...Tecnología de Materiales Métodos de obtención de capas delgadas 2 VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ Other line Reactor](https://reader035.fdocuments.ec/reader035/viewer/2022081411/60ac608a7fd84432d010cf5f/html5/thumbnails/28.jpg)
28
VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ
Velocidad de crecimiento
Caso del GaN Caso del ZnO
![Page 29: Tecnología de Materiales - UVmunozv/Teaching/tecnologia materiales...Tecnología de Materiales Métodos de obtención de capas delgadas 2 VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ Other line Reactor](https://reader035.fdocuments.ec/reader035/viewer/2022081411/60ac608a7fd84432d010cf5f/html5/thumbnails/29.jpg)
29
VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ
Growth rate
TH. GRUBER, et al.phys. stat. sol. (b) 229, No.2, 841-844 (2002)
![Page 30: Tecnología de Materiales - UVmunozv/Teaching/tecnologia materiales...Tecnología de Materiales Métodos de obtención de capas delgadas 2 VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ Other line Reactor](https://reader035.fdocuments.ec/reader035/viewer/2022081411/60ac608a7fd84432d010cf5f/html5/thumbnails/30.jpg)
30
VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ
Algunos resultados de caracterización
FWHM muy ancha >300 Arcs.
Concentración de portadores alta (tipo n) 1019
Morfologías muy variadas
Parece que los problemas vienen de un crecimiento tridimensional. Crecimiento de islas (Volmer-Weber)
![Page 31: Tecnología de Materiales - UVmunozv/Teaching/tecnologia materiales...Tecnología de Materiales Métodos de obtención de capas delgadas 2 VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ Other line Reactor](https://reader035.fdocuments.ec/reader035/viewer/2022081411/60ac608a7fd84432d010cf5f/html5/thumbnails/31.jpg)
31
VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ
Control de la morfologia:influencia de las condiciones de
crecimiento
Densidad de la nucleación inicial
Cociente entre el crecimiento lateral y el vertical
![Page 32: Tecnología de Materiales - UVmunozv/Teaching/tecnologia materiales...Tecnología de Materiales Métodos de obtención de capas delgadas 2 VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ Other line Reactor](https://reader035.fdocuments.ec/reader035/viewer/2022081411/60ac608a7fd84432d010cf5f/html5/thumbnails/32.jpg)
32
VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ
Control de la densidad de nucleación inicial
Temperatura
Presión parcial del precursor de Zinc: Altas presiones parciales provocan alta nucleación
Efecto del carrier gas y velocidad del mismo, lo que afecta al grosor de la capa de contacto
Efecto de la presión en el reactor
![Page 33: Tecnología de Materiales - UVmunozv/Teaching/tecnologia materiales...Tecnología de Materiales Métodos de obtención de capas delgadas 2 VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ Other line Reactor](https://reader035.fdocuments.ec/reader035/viewer/2022081411/60ac608a7fd84432d010cf5f/html5/thumbnails/33.jpg)
33
VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ
Hay cierta controversia en el análisis, pero el efecto esta ahí
Control de la nucleación inicial
A presión atmosférica no es posible crecer una capa continua debido a la baja densidad de nucleación inicial
![Page 34: Tecnología de Materiales - UVmunozv/Teaching/tecnologia materiales...Tecnología de Materiales Métodos de obtención de capas delgadas 2 VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ Other line Reactor](https://reader035.fdocuments.ec/reader035/viewer/2022081411/60ac608a7fd84432d010cf5f/html5/thumbnails/34.jpg)
34
VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ
La condición para mejorar la nucleación inicial y la condición para promover el crecimiento lateral son contrapuestas.
No parece posible obtener excelentes films creciendo directamente sobre el substrato
Control del crecimiento lateral
![Page 35: Tecnología de Materiales - UVmunozv/Teaching/tecnologia materiales...Tecnología de Materiales Métodos de obtención de capas delgadas 2 VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ Other line Reactor](https://reader035.fdocuments.ec/reader035/viewer/2022081411/60ac608a7fd84432d010cf5f/html5/thumbnails/35.jpg)
35
VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ
Crecimiento usando una capa bufferEl caso de GaN
![Page 36: Tecnología de Materiales - UVmunozv/Teaching/tecnologia materiales...Tecnología de Materiales Métodos de obtención de capas delgadas 2 VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ Other line Reactor](https://reader035.fdocuments.ec/reader035/viewer/2022081411/60ac608a7fd84432d010cf5f/html5/thumbnails/36.jpg)
36
VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ
Efecto de la capa buffer:caso del GaN
Debido a la baja energía interfa-cial se obtiene una alta densidadde nucleación.
![Page 37: Tecnología de Materiales - UVmunozv/Teaching/tecnologia materiales...Tecnología de Materiales Métodos de obtención de capas delgadas 2 VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ Other line Reactor](https://reader035.fdocuments.ec/reader035/viewer/2022081411/60ac608a7fd84432d010cf5f/html5/thumbnails/37.jpg)
37
VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ
Orientación C
BufferT=350R=10<(25)(30)>
Orientación R
1.0µm400nm
AFM
SEM
Capas buffer de ZnO
![Page 38: Tecnología de Materiales - UVmunozv/Teaching/tecnologia materiales...Tecnología de Materiales Métodos de obtención de capas delgadas 2 VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ Other line Reactor](https://reader035.fdocuments.ec/reader035/viewer/2022081411/60ac608a7fd84432d010cf5f/html5/thumbnails/38.jpg)
38
VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ
CrecimientoDirecto aT=400<(22)
(6)>
CrecimientoCon buffer a T = 350 , Crecimiento a T=400<(28 ) (18)>
Orientación C Orientación R
SEM
![Page 39: Tecnología de Materiales - UVmunozv/Teaching/tecnologia materiales...Tecnología de Materiales Métodos de obtención de capas delgadas 2 VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ Other line Reactor](https://reader035.fdocuments.ec/reader035/viewer/2022081411/60ac608a7fd84432d010cf5f/html5/thumbnails/39.jpg)
39
VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ
Efecto de la capa buffer sobre los parámetros del crecimiento
¿Por qué baja temperatura?
Se produce un deposito mas uniforme como consecuencia de laalta supersaturacion de las especies en el sustrato y las bajas movilidades. Por supuesto, la calidad cristalina es mala
El grosor óptimo de la capa buffer no esta determinado a priori.Experienicas de reflectividad.
Idéntico comentario para la ratio entre los precursores: no necesariamente la misma que para el crecimiento
Puede ser interesante un annealing pre-growth
![Page 40: Tecnología de Materiales - UVmunozv/Teaching/tecnologia materiales...Tecnología de Materiales Métodos de obtención de capas delgadas 2 VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ Other line Reactor](https://reader035.fdocuments.ec/reader035/viewer/2022081411/60ac608a7fd84432d010cf5f/html5/thumbnails/40.jpg)
40
VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ
Effecto de la Nitridación.
Caso del GaN
Efecto del grosor de la capa buffer
![Page 41: Tecnología de Materiales - UVmunozv/Teaching/tecnologia materiales...Tecnología de Materiales Métodos de obtención de capas delgadas 2 VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ Other line Reactor](https://reader035.fdocuments.ec/reader035/viewer/2022081411/60ac608a7fd84432d010cf5f/html5/thumbnails/41.jpg)
41
VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ
Efecto de la relación entre los precursores
Efecto del recocido antes del crecimiento
Caso del GaN
![Page 42: Tecnología de Materiales - UVmunozv/Teaching/tecnologia materiales...Tecnología de Materiales Métodos de obtención de capas delgadas 2 VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ Other line Reactor](https://reader035.fdocuments.ec/reader035/viewer/2022081411/60ac608a7fd84432d010cf5f/html5/thumbnails/42.jpg)
42
VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ
Efecto de la temperatura de crecimiento GaN
Influencia de los parámetros de crecimiento
![Page 43: Tecnología de Materiales - UVmunozv/Teaching/tecnologia materiales...Tecnología de Materiales Métodos de obtención de capas delgadas 2 VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ Other line Reactor](https://reader035.fdocuments.ec/reader035/viewer/2022081411/60ac608a7fd84432d010cf5f/html5/thumbnails/43.jpg)
43
VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ
Influencia de los parámetros de crecimiento
![Page 44: Tecnología de Materiales - UVmunozv/Teaching/tecnologia materiales...Tecnología de Materiales Métodos de obtención de capas delgadas 2 VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ Other line Reactor](https://reader035.fdocuments.ec/reader035/viewer/2022081411/60ac608a7fd84432d010cf5f/html5/thumbnails/44.jpg)
44
VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ
![Page 45: Tecnología de Materiales - UVmunozv/Teaching/tecnologia materiales...Tecnología de Materiales Métodos de obtención de capas delgadas 2 VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ Other line Reactor](https://reader035.fdocuments.ec/reader035/viewer/2022081411/60ac608a7fd84432d010cf5f/html5/thumbnails/45.jpg)
45
VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ
Dependencia de la morfologiacon la temperatura de
crecimiento
SEM
![Page 46: Tecnología de Materiales - UVmunozv/Teaching/tecnologia materiales...Tecnología de Materiales Métodos de obtención de capas delgadas 2 VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ Other line Reactor](https://reader035.fdocuments.ec/reader035/viewer/2022081411/60ac608a7fd84432d010cf5f/html5/thumbnails/46.jpg)
46
VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ
Efecto de la presión del reactor sobre la
velocidad de crecimiento
TH. GRUBER, et al.phys. stat. sol. (b) 229, No.2, 841-844 (2002)
![Page 47: Tecnología de Materiales - UVmunozv/Teaching/tecnologia materiales...Tecnología de Materiales Métodos de obtención de capas delgadas 2 VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ Other line Reactor](https://reader035.fdocuments.ec/reader035/viewer/2022081411/60ac608a7fd84432d010cf5f/html5/thumbnails/47.jpg)
47
VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ
Fig.2. 0-20 scans of ZnO grown on GaN template (a), c-planesapphire (b), and ZnO substrate (c)
Fig.3. PL spectra at 5 K of ZnO grown on ZnO substrate (a), GaNtemplate (b), and c-plane sapphire (c)
Efecto de la capa buffer
TH. GRUBER, et al.phys. stat. sol. (b) 229, No.2, 841-844 (2002)
![Page 48: Tecnología de Materiales - UVmunozv/Teaching/tecnologia materiales...Tecnología de Materiales Métodos de obtención de capas delgadas 2 VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ Other line Reactor](https://reader035.fdocuments.ec/reader035/viewer/2022081411/60ac608a7fd84432d010cf5f/html5/thumbnails/48.jpg)
48
VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ
Velocidad de crecimiento en funciónde diferentes parámetros
![Page 49: Tecnología de Materiales - UVmunozv/Teaching/tecnologia materiales...Tecnología de Materiales Métodos de obtención de capas delgadas 2 VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ Other line Reactor](https://reader035.fdocuments.ec/reader035/viewer/2022081411/60ac608a7fd84432d010cf5f/html5/thumbnails/49.jpg)
49
VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ
Efecto de la ratio
![Page 50: Tecnología de Materiales - UVmunozv/Teaching/tecnologia materiales...Tecnología de Materiales Métodos de obtención de capas delgadas 2 VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ Other line Reactor](https://reader035.fdocuments.ec/reader035/viewer/2022081411/60ac608a7fd84432d010cf5f/html5/thumbnails/50.jpg)
50
VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ
TH. GRUBER, et al.phys. stat. sol. (b) 229, No.2, 841-844 (2002)
Efecto de la ratio
![Page 51: Tecnología de Materiales - UVmunozv/Teaching/tecnologia materiales...Tecnología de Materiales Métodos de obtención de capas delgadas 2 VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ Other line Reactor](https://reader035.fdocuments.ec/reader035/viewer/2022081411/60ac608a7fd84432d010cf5f/html5/thumbnails/51.jpg)
51
VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ
SEM images of ZnO layers grown (A} with VI/II = 3.5 and (8} VI/II = 16 at 360 oC.
TH. GRUBER, et al.phys. stat. sol. (b) 229, No.2, 841-844 (2002)
![Page 52: Tecnología de Materiales - UVmunozv/Teaching/tecnologia materiales...Tecnología de Materiales Métodos de obtención de capas delgadas 2 VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ Other line Reactor](https://reader035.fdocuments.ec/reader035/viewer/2022081411/60ac608a7fd84432d010cf5f/html5/thumbnails/52.jpg)
52
VICENTE MUÑOZ SANJOSÉ
Efecto de la ratio entre los precursores