ESTRUCTURA CRISTALINA: Cúbica centrada en las caras .

Si     SILICIO  14Peso atómico  28,0855 g/molEstados oxidación  4, 2Punto de fusión  1683 KPunto de ebullición  2630 KDensidad  2,33 g/cm³Configuración electrónica  [Ne] 3s2p2

Propiedades ácido/base   AnfóteroEstructura cristal  Cúbico, centrado en caraElectronegatividad  1,90Calor de vaporización  359 kJ/molCalor de fusión  50,2 kJ/molConductividad eléctrica  2,5·10-4 W-¹m-¹Conductividad térmica  148 Wm-¹K-¹ (a 300 K)Calor específico  0,70 Jg-¹K-¹ (a 300 K)Primer potencial ionización  8,151Volumen atómico  12,1 cm³/molRadio atómico  1,32 ÅRadio covalente  1,11 ÅSintético  No

ESTRUCTURA CRISTALINA: Cúbica centrada en las caras

Ge     GERMANIIO  32Peso atómico  72,64 g/molEstados oxidación  4Punto de fusión  1211,5 KPunto de ebullición  3107 KDensidad  5,32 g/cm³Configuración electrónica  [Ar] 3d10 4s2p2

Propiedades ácido/base   AnfóteroEstructura cristal  Cúbico, centrado en caraElectronegatividad  2,01Calor de vaporización  334,3 kJ/molCalor de fusión  31,8 kJ/molConductividad eléctrica  0,0  W-¹m-¹Conductividad térmica  59,9 Wm-¹K-¹ (a 300 K)Calor específico  0,32 Jg-¹K-¹ (a 300 K)Primer potencial ionización  7,899Volumen atómico  13,60 cm³/molRadio atómico  1,37 ÅRadio covalente  1,22 ÅSintético  No

ESTRUCTURA CRISTALINA: Ortorrómbica

Ga     GALIO  31

Peso atómico  69,723 g/mol

Estados oxidación  3

Punto de fusión  302,92 K

Punto de ebullición  2478 K

Densidad  5,91 g/cm³

Configuración electrónica  [Ar] 3d10 4s2p1

Propiedades ácido/base   Anfótero

Estructura cristal  Ortorómbico

Electronegatividad  1,81

Calor de vaporización  256,06 kJ/mol

Calor de fusión  5,59 kJ/mol

Conductividad eléctrica  1,8 106 W-¹m-¹

Conductividad térmica  40,6 Wm-¹K-¹ (a 300 K)

Calor específico  0,371 Jg-¹K-¹ (a 300 K)

Primer potencial ionización  5,999

Volumen atómico  11,80 cm³/mol

Radio atómico  1,41 Å

Radio covalente  1,26 Å

Sintético  No

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