SCE 0110 - Elementos de Lógica Digital I

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SCE 0110 - Elementos de Lógica Digital I Tecnologia de Implementação Prof. Vanderlei Bonato

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SCE 0110 - Elementos de Lógica Digital I

Tecnologia de Implementação

Prof. Vanderlei Bonato

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Sumário

• Como os transistores operam e formam comutadores/chaves simples

• Tecnologia de CI (Circuito Integrado)• Portas lógicas CMOS

Page 3: SCE 0110 - Elementos de Lógica Digital I

Logic value 1

Undefined

Logic value 0

Voltage

V DD

V 1,min

V 0,max

V SS (Gnd)

Figure 3.1. Logic values as voltage levels.

VDD = VCC /positivo/tensão da fonte de alimentação (1 a 5V)

Vss = Gnd/negativo/ terra/comun (0V)

V0,max = tensão máxima para nível lógico 0

V1, min = tensão mínima para nível lógico 1

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Figure 3.2. NMOS transistor as a switch.

Drain Source

x = "low" x = "high"

(a) A simple switch controlled by the input x

V D V S

(b) NMOS transistor

Gate

(c) Simplified symbol for an NMOS transistor

V G

Substrate (Body)

MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor): NMOS (Canal N)

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Figure 3.3. PMOS transistor as a switch.

Gate

x = "high" x = "low"

(a) A switch with the opposite behavior of Figure 3.2 a

V G

V D V S (b) PMOS transistor

(c) Simplified symbol for a PMOS transistor

V DD

Drain Source

Substrate (Body)

MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor): PMOS (Canal P)

Page 6: SCE 0110 - Elementos de Lógica Digital I

(a) NMOS transistor

V G

V D

V S = 0 V

V S = V DD

V D

V G

Closed switch whenV G = V DD

V D = 0 V

Open switch whenV G = 0 V

V D

Open switch whenV G = V DD

V D

V DD

Closed switch whenV G = 0 V

V D = V DD

V DD

(b) PMOS transistor

Figure 3.4. NMOS and PMOS transistors in logic circuits.

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Histórico

• A construção de portas lógicas com MOSFET tornou-se popular nos anos 70

• Nessa época utilizava-se NMOS ou PMOS, mas não ambas

• Desde os anos 80 passou-se a utilizar uma combinação de NMOS e PMOS, conhecida como CMOS (Complementary MOS)

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(b) Simplified circuit diagram

V x

V f

V DD

x f

(c) Graphical symbols

x f

R

V x

V f

R + -

(a) Circuit diagram

5 V

Figure 3.5. A NOT gate built using NMOS technology.

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Figure 3.6. NMOS realization of a NAND gate.

V f

V DD

(a) Circuit

(c) Graphical symbols

(b) Truth table

f f

0 0 1 1

0 1 0 1

1 1 1 0

x 1 x 2 f

V x 2

V x 1

x 1 x 2

x 1 x 2

Page 10: SCE 0110 - Elementos de Lógica Digital I

Figure 3.7. NMOS realization of a NOR gate.

V x 1 V x 2

V f

V DD

(a) Circuit

(c) Graphical symbols

(b) Truth table

f

0 0 1 1

0 1 0 1

1 0 0 0

x 1 x 2 f

f x 1 x 2

x 1 x 2

Page 11: SCE 0110 - Elementos de Lógica Digital I

Figure 3.8. NMOS realization of an AND gate.

(a) Circuit

(c) Graphical symbols

(b) Truth table

f f

0 0 1 1

0 1 0 1

0 0 0 1

x 1 x 2 f

V f

V DD

A V x 1

V x 2

x 1 x 2

x 1 x 2

V DD

Page 12: SCE 0110 - Elementos de Lógica Digital I

Figure 3.9. NMOS realization of an OR gate.

(a) Circuit

(c) Graphical symbols

(b) Truth table

f

0 0 1 1

0 1 0 1

0 1 1 1

x 1 x 2 f

f

V f

V DD

V x 2 V x 1

x 1 x 2

x 1 x 2

V DD

Page 13: SCE 0110 - Elementos de Lógica Digital I

Figure 3.10. Structure of an NMOS circuit.

V f

V DD

Pull-down network V x 1

V x n

(PDN)

Page 14: SCE 0110 - Elementos de Lógica Digital I

Figure 3.11. Structure of a CMOS circuit.

V f

V DD

Pull-down network

Pull-up network

V x 1

V x n

(PUN)

(PDN)

O conceito de circuitos CMOS é baseado na troca do dispositivo “pull-up” (resistores ligados ao Vcc) por

transistores PMOS

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Implementação com CMOS

• PDN e PUN têm a mesma quantidade de transistores, arranjados de modo que haja uma dualidade entre as redes

• Sempre que PDN tiver transistores em série, a PUN terá transistores em paralelo e vice-versa

• Sob condições estáticas não há corrente fluindo entre o VDD e o Gnd

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Figure 3.12. CMOS realization of a NOT gate.

(a) Circuit

V f

V DD

V x

(b) Truth table and transistor states

onoff

off on

1 0

0 1

f x

T 1

T 2 T 1 T 2

Porta NOT com CMOS

Qual a vantagem de se utilizar CMOS?

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Figure 3.13. CMOS realization of a NAND gate.

(a) Circuit

V f

V DD

(b) Truth table and transistor states

onon

onoff

0 1

0 0 1 1

0 1

off off

onoff

off on

f

off on

1 1 1 0

off off onon

V x 1

V x 2

T 1 T 2

T 3

T 4

x 1 x 2 T 1 T 2 T 3 T 4

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(a) Circuit

V f

V DD

(b) Truth table and transistor states

onon

onoff

0 1

0 0 1 1

0 1

off off

onoff

off on

f

off on

1 0 0 0

off off onon

V x 1

V x 2

T 1

T 2

T 3 T 4

x 1 x 2 T 1 T 2 T 3 T 4

Figure 3.14. CMOS realization of a NOR gate.

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Figure 3.15. CMOS realization of an AND gate.

V f

V DD

V x 1

V x 2

V DD

Page 20: SCE 0110 - Elementos de Lógica Digital I

Figure 3.16. The circuit for Example 3.1.

V f

V DD

V x 1

V x 2

V x 3

f = x1 + x2 . x3

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• Construa o circuito CMOS para a seguinte funçãof = x1 + (x2 + x3 ) x4

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Figure 3.17. The circuit for Example 3.2.

V f

V DD

V x 1

V x 2

V x 3

V x 4

Resposta do exercício anterior

Note que é possível construir circuitos relativamente complexos usando a combinação de transistores em paralelo e em série, sem necessariamente implementar cada conexão paralela ou serial como portas AND ou OR completas

Page 23: SCE 0110 - Elementos de Lógica Digital I

Figure 3.18. Voltage levels in the circuit in Figure 3.13.

(a) Circuit

V f

V DD

(b) Voltage levels

L H

L L H H

L H

H H H L

V x 1

V x 2

V x 1 V x 2

V f

Page 24: SCE 0110 - Elementos de Lógica Digital I

Figure 3.19. Interpretation of the circuit in Figure 3.18.

(a) Positive logic truth table and gate symbol

f 0 0 1 1

0 1 0 1

1 1 1 0

x 1 x 2 f

x 1 x 2

(b) Negative logic truth table and gate symbol

1 1 0 0

1 0 1 0

0 0 0 1

x 1 x 2 f

f x 1 x 2

Page 25: SCE 0110 - Elementos de Lógica Digital I

Figure 3.20. Interpretation of the circuit in Figure 3.15.

(b) Positive logic

f 0 0 1 1

0 1 0 1

0 0 0 1

x 1 x 2 f

x 1 x 2

(c) Negative logic

1 1 0 0

1 0 1 0

1 1 1 0

x 1 x 2 f

f x 1 x 2

(a) Voltage levels

L H

L L H H

L H

L L L H

V x 1 V x 2 V f

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Figure 3.21. A 7400-series chip.

(a) Dual-inline package (DIP)

(b) Structure of 7404 chip

V DD

Gnd

Muito usado até meados de 1980

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Figure 3.22. An implementation of f = x1 x2 + x2 x3 .

V DD

x 1 x 2 x 3

f

7404

7408 7432

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Figure 3.23. The 74244 buffer chip.

Pin

2

Pin

4

Pin

6

Pin

8

Pin

1 Pi

n 12

Pin

14

Pin

16

Pin

18

Pin

11

Pin

13

Pin

15

Pin

17

Pin

19Pi

n 3

Pin

5

Pin

7

Pin

9

Buffer tri-state

Buffers são normalmente utilizados para aumentar a velocidade dos circuitos

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Avanço dos CIs

• SSI (Small-Scale Integration)• MSI (Medium-Scale Integration)

– Entre 10 e 100 portas lógicas• LSI (Large-Scale Integration)• VLSI (Very Large Scale Integration)

– Milhões/Bilhões de transistores– Essa é a tecnologia mais utilizada atualmente

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Processos usados pela Intel• Intel® Itanium® com 2 bilhões de transistores