7/24/2019 RESUMEN 4 capas

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RESUMEN

Seccin 111Los tiristores son dispositivos construidos con capas

semiconductoras (pnpn).Los tiristores incluyen diodos de 4 capas, SCR, LASCR, diacs, triacs, SCS y

PUT.

El diodo de 4 capas es un tiristor que conduce cuando el voltaje a travs de sus

terminales excede el potencial de ruptura.

Seccin 112El rectificador controlado de silicio (SCR) puede ser disparado

por un pulso en la compuerta y apagado reduciendo la corriente en el nodo pordebajo del valor de retencin especificado.

La luz acta como fuente de disparo en SCR activados por luz (LASCR).

Seccin 114El diac es capaz de conducir corriente en una u otra direccin y

se enciende cuando se excede el voltaje de ruptura. Se apaga cuando la corriente

se reduce por debajo del valor de retencin.

El triac, como el diac, es un dispositivo bidireccional. Puede ser encendido por

un pulso en la compuerta y conduce en una direccin segn la polaridad del

voltaje a travs de las terminales nodo.

Seccin 115El interruptor controlado de silicio (SCS) tiene dos terminales

compuerta y puede ser encendido por un pulso en la compuerta ctodo y apagado

por un pulso en la compuerta nodo.

Seccin 116La relacin de separacin intrnseca de un transistor de una sola

unin (UJT) determina el voltaje al cual el dispositivo se disparar.

Seccin 117El transistor de una sola unin programable (PUT) puede ser

externamente programado a un nivel de voltaje entre el nodo y la compuerta

deseado.

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TRMINOS CLAVE

Corriente de retencin (IH) El valor de la corriente en el nodo por debajo del

cual un dispositivo cambia de la regin de conduccin en directa a la regin de

bloqueo en directa.

Diac Dispositivo semiconductor de cuatro capas y dos terminales (tiristor) que

conduce corriente en una u otra direccin cuando est apropiadamente activado.

Diodo de 4 capas El tipo de tiristor de dos terminales que conduce corriente

cuando el voltaje entre el nodo y el ctodo alcanza un valor de ruptura

especificado.

LASCR Rectificador controlado de silicio activado por luz; un dispositivosemiconductor de cuatro capas (ms como un SCR que un UJT) activado para

que conduzca cuando el voltaje en el nodo excede el voltaje

en la compuerta.

PUT Transistor de montuna sola unin programable; un tipo de tiristor de tres

terminales (ms similar a un SCR que a un UJT) que es dispara para conducir

cuando el voltaje en el nodo excede el voltaje en la

compuerta.

Relacin de separacin La caracterstica de un UJT que determina su punto de

encendido.

SCR Rectificador controlado de silicio; un tipo de tiristor de tres terminales que

conduce corriente cuando es disparado por un voltaje en la terminal de compuerta

nica y permanece as hasta que la corriente en el nodo se reduce por debajo de

un valor especificado.

SCS Interruptor controlado de silicio; un tipo de tiristor de cuatro terminales que

tiene dos terminales de compuerta utilizadas para encender o apagar el

dispositivo.

Tiristor Clase de dispositivos semiconductores de cuatro capas (pnpn).

Triac Un tiristor de tres terminales que conduce corriente en una u otra direccin

cuando est apropiadamente activado.

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UJT Transistor de una sola unin; un dispositivo de una unin pn y tres terminales

que presenta una caracterstica de resistencia negativa.

Voltaje de ruptura en directa (VBR(F) Voltaje al cual un dispositivo entra a la

regin de bloqueo en directa.

Caractersticas y valores nominales de un SCR

Varias de las caractersticas y de valores nominales ms importantes del SCR se

definen como a continuacin se describe. Utilice la curva que aparece en la figura

11-10(a) como referencia en los casos en que sea apropiado.

Voltaje de ruptura en directa, VBR(F) ste es el voltaje al cual el SCR entra a la

regin de conduccin en directa. El valor de VBR(F) es mximo cuando IG = 0 y

se designa VBR(F). Cuando se incrementa la corriente en la compuerta, VBR(F)se reduce y se designa VBR(F1), VBR(F2), y as sucesivamente, con incrementos

graduales de la corriente en la compuerta ( IG1, IG2, y as sucesivamente).

Corriente de retencin,IHste es el valor de la corriente en el nodo por debajo

del cual el SCR cambia de la regin de conduccin en directa a la regin de

bloqueo en directa. El valor se incrementa con valores decrecientes de IG y es

mximo con IG = 0.Corriente de disparo en la compuerta, IGT ste es el valor de

la corriente en la compuerta necesario para cambiar el SCR de la regin de

bloqueo en directa a la regin de conduccin en directa en condiciones

especficas.

Corr iente en d irecta promedio, IF(prom) sta es la corriente mxima en forma

continua en el nodo (cd) que el dispositivo puede soportar en el estado de

conduccin en condiciones especficas.

Regin d e cond uccin en directaEsta regin corresponde a la condicin

encendido del SCR en la que la corriente fluye del nodo al ctodo gracias a la

muy baja resistencia (corto aproximado) del SCR.

Regiones de bloqueo en d irecta y en inversaEstas regiones corresponden a la

condicin apagado del SCR en la que la corriente que fluye del nodo al ctodo es

bloqueada por el circuito abierto efectivo del SCR.

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Voltaje de ruptu ra en inversa, VBR(R)Este parmetro especifica el valor de

voltaje en inversa del ctodo al nodo al cual el dispositivo irrumpe en la regin de

avalancha y comienza a conducir en exceso (igual que en un diodo de uninpn).

Identifique:

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