Propiedades Físicas de Materiales Propiedades Físicas de Materiales

anoestructuradosanoestructuradosLaboratorio de Síntesis y Caracterización Laboratorio de Síntesis y Caracterización

Laboratorio de Propiedades Eléctricas y MagnéticasLaboratorio de Propiedades Eléctricas y Magnéticas

Grupo Materia Condensada, Departamento de Física, Centro AtómicoGrupo Materia Condensada, Departamento de Física, Centro Atómico

Constituyentes, CNEAConstituyentes, CNEA

Integrantes: Leticia Granja, Pablo Levy, Gabriela Leyva, Fernando Marlasca, Francisco Parisi, Griselda Polla, Mariano Quintero, Joaquin Sacanell

Becarios: Cecilia Albornoz, Néstor Ghenzi

Estudiantes: Joaquín Hernández Sánchez, Mariano Paulín

Propiedades Físicas de Materiales Propiedades Físicas de Materiales

anoestructuradosanoestructuradosLaboratorio de Síntesis y Caracterización Laboratorio de Síntesis y Caracterización

Laboratorio de Propiedades Eléctricas y MagnéticasLaboratorio de Propiedades Eléctricas y Magnéticas

Grupo Materia Condensada, Departamento de Física, Centro AtómicoGrupo Materia Condensada, Departamento de Física, Centro Atómico

Constituyentes, CNEAConstituyentes, CNEA

Diseño y Fabricaciónde Muestras

(nanopartículas, películas delgadas,

dispositivos)

Caracterización Estructural y

Morfológica

(RX, TEM, SEM, AFM, etc.)

PropiedadesFísicas

(ρ, M vs T, H, E)

Memoria magnetoresistiva y electroresistiva en Memoria magnetoresistiva y electroresistiva en óóxidosxidos

10000 15000 20000 25000

12

14

16

18

20

22

24

VBD (10-3 V)

time (s)

1.6

1.8

2.0

2.2

2.4

2.6

T = 125 K

VBC (10-3 V)

0.0

0.3

0.6

H (T)

1.00 1.25 1.50 1.750.0

-0.1

-0.2

-0.3

-0.4

ImZ

(Ω.c

m2 )

ReZ(Ω.cm2)

800 nmFast-firing 1100°C T = 700°C

Filtro

Llenado de

poros

Síntesis y Aplicaciones de anoestructurasSíntesis y Aplicaciones de anoestructuras

JACS, 2007, 129, 3066.

Cátodo para celdas de

combustible con nanotubos

Propiedades Estructurales, Eléctricas y Magnéticas de Propiedades Estructurales, Eléctricas y Magnéticas de

anoestructuras para espintrónicaanoestructuras para espintrónica

Conducción → Orientacion relativa entre M y el espin de los portadores de carga.

Densidad electrónica de estados

Potenciales aplicaciones en espintrónica

aislaciónelécticade SiO2

contacto de Au del electrodo superior

superior

pista de manganita

Conducción → Orientacion relativa entre M y el espin de los portadores de carga.

Arreglos de nanopartículas magnéticasArreglos de nanopartículas magnéticas

en matrices de óxidos en matrices de óxidos mesoporososmesoporosos

TEMTiO2, F127

Andres Zelcer, Grupo de Coloides y Nanomateriales, Gerencia Química (CAC-CNEA)

Arreglo ordenado de poros (TiO2, SiO2)

Control del diámetro de los poros (5 – 12 nm)

Partículas magnéticasMagnetita(Fe3O4)Manganita(Por ej. La2/3Sr1/3MnO3)

-1000 -750 -500 -250 0 250 500 750 1000

-4x10-5

-2x10-5

0

2x10-5

4x10-5

M (

emu)

B (Oe)

50 K

Fe3O4 - TiO2

Óxidos magnéticos

Ce+4 O+2

CeO2 TiO2No Magneticos

Aislantes

Defectos:

•Nanoestructuras (películas delgadas, nanopartículas, interfases)

•Dopaje con átomos magnéticos (<10%)

•Desoxigenando – creando vacancias de O

Motivación: Obtener semiconductores y aislantes magnéticos con potenciales aplicaciones en “spintrónica”

-4000 -3000 -2000 -1000 0 1000 2000 3000 4000

-0.00002

0.00000

0.00002

M

H (Oe)

ConsultasConsultas::

Leticia Granja: Leticia Granja: granja@cnea.gov.argranja@cnea.gov.ar

Joaquín Sacanell: Joaquín Sacanell: sacanell@cnea.gov.arsacanell@cnea.gov.ar

Retire a la salida su vale para

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