PROCESO de disolucion de los cristaqles y cristalizacion por fusion disolucion

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  • 7/26/2019 PROCESO de disolucion de los cristaqles y cristalizacion por fusion disolucion

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    UNIVERSIDAD NACIONAL DEL

    CALLAOFACULTAD DE CIENCIAS NATURALES

    Y MATEMTICA

    CURSO: INTRODUCCIN A LA

    CRISTALOGRAFA

    TEMA: PARTICULARIDADES DEL PROCESO DEDISOLUCIN DE LOS CRISTALES

    MTODOS PRCTICAS DE OBTENCIN DE

    MONOCRISTALES A PARTIR DE UNA FUSINMTODO DE CRISTALIZACIN POR SOLUCIN

    EVANGELIO VERGARAY,JOS ANDRS 122912!"#

    NDICE

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    !

    INTRODUCCION A LA

    CRISTALOGRAFA

    $%&':

    INTRODUCCIN #

    TEMA 1: PARTICULARIDADES DEL PROCESO DE DISOLUCIN DE LOSCRISTALES !

    1'1V()*+-.- -( -/*)0+ !1'23(--04./ $*)5-4+./ 6+4*/+$+./

    7

    1'#L80-*/ +4/.)*/ 9

    TEMA 2: METODOS PRCTICOS DE OBTENCIN POR FUSIN DEMONOCRISTALES 1

    2'1 ;05 (/ 0 6**+4/.) 12'2 E) .$.4.* -(

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    INTRODUCCION A LA

    CRISTALOGRAFA

    FUENTES Y BIBLIOGRAFA

    2#

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    INTRODUCCION A LA

    CRISTALOGRAFA

    INTRODUCCIN

    Muchos procesos que ocurren en esta vida pueden dejar perplejos a sus

    espectadores, sean estos por su alto grado de complejidad o por su gran

    simpleza. De todos modos, todo ello se relaciona en un todo; as lo mismo en la

    cristalografa, la forma en cmo ocurre un proceso determinado nos puede dar

    pistas y funcionar como pruebas para ideas concebidas del funcionamiento de

    lo observado, para la cristalografa los cristales.

    !l proceso de disolucin de los cristales y su formacin, puede llegar a ser una

    herramienta muy "til en estas #pocas. $on dichos conocimientos, la

    manipulacin de los elementos resulta de una manera ya no compleja, si no

    natural para quien lo recurra. %e ha observado que los cristales se encuentran

    presentes en muchas partes de nuestra vida, y no nos referimos a slo los

    cristales vistosos que podemos encontrar, si no tambi#n a nuestra biologa

    &rotenas, enzimas, el 'D(, etc.; as tambi#n en la industria se ha acrecentado

    su uso por las propiedades que estos presentan. )os cristales por su

    disposicin y su forma han logrado desarrollar grandes facilidades para el ser

    humano como en la inform*tica, joyera, panales fotovoltaicos, etc.

    &or ello, revisaremos aquellas particularidades que se han podido observar al

    diluir un cristal y que e+plican y se pueden e+plicar de acuerdo a la teoraestablecida.

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    INTRODUCCION A LA

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    TEMA 1: PARTICULARIDADES DEL

    PROCESO DE DISOLUCIN DE LOS

    CRISTALES

    emos podido observar

    mediante e+perimentos como

    un cristal colocado en un

    disolvente puro o en una

    solucin no saturada del

    compuesto del cristal,

    disolver* al cristal.

    !sto ocurre, por la

    interaccin entre la disolucin del material con el cristal, las fuerzas de

    interaccin entre los distintos elementos lograr*n separar al cristal.

    )as caractersticas de como se diluye un cristal dependen de su composicin y

    estructura interna.

    1.1 Velocidad de disolucin

    'hora bien, se ha observado que al disolverse los v#rtices y las aristas lo

    hacen con mayor rapidez que las caras, adquiriendo una forma redondeada yderretida en el proceso.

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    (imagen del NaCl disolvindose)

    Durante el proceso de disolucin se ve claramente como el cristal obtiene una

    forma redondeada, derretida. !sto se puede entender de la siguiente manera,

    imaginemos la representacin del cristal en celdas

    !l cubo sombreado ser* su celda unitaria y los puntos sus puntos de red, los

    cuales representan un *tomo. )a fuerza que

    mantenga unidos a *tomos contiguos ser* la

    energa de interaccin que e+ista entre uno y

    otro *tomo, su fuerza de adhesin

    intermolecular, el cual podra graficarse como la

    unin entre puntos de red. !ntonces si hay

    interaccin con un mayor n"mero de *tomos

    contiguos, tendr* una mayor resistencia ante la

    accin del disolvente para e+traerlo de la celda.

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    &ara una celda que se encuentre en las aristas o los v#rtices, estos disponende una mayor libertad, lo cual mostrar* una disolucin m*s acelerada que en

    las caras.

    (Representacin de la accin del disolvente)

    -tro rasgo caracterstico al diluir los cristales es la velocidad con la que se

    diluye una cara del cristal )as caras que crecieron con mayor rapidez se

    diluir*n tambi#n con mayor rapidez.

    &ara el caso de un cristal de (a$l, que presenta una estructura de

    empaquetamiento c"bico compacto, con los *tomos de Na+1

    bolas blancas/

    y Cl1

    bolas negras/.

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    0maginemos que un cristal tiene que crecer y que los iones cargados en

    solucin pueden depositarse en las caras el#ctricamente neutras o en losplanos m*s cargados. )os iones preferir*n depositarse sobre una cara con la

    carga opuesta que sobre una cara neutra. &or lo tanto, las caras 1diagonales2

    crecer*n mucho m*s r*pido que las caras neutras y la forma final ser* la de un

    cubito. 'l disolverse se comenzar* por las esquinas dando espacio para que el

    disolvente ingrese a las *reas e+puestas, de manera inversa a como se

    gener.

    !stas esquinas tienen un origen de creacin.

    !sta figura representa una capa de puntos reticularesen una red c"bica. )as lneas representan los planos

    posibles en un cristal, y resulta que de estos planos

    aquellos que incluyen el m*+imo n"mero de puntos

    reticulares son los m*s frecuentes, tales como '3 y

    '$.

    !l plano '3 tiene una densidad de puntos mucho mayor que el plano 'D, '! y

    '4. )os c*lculos de la energa implicada indican que le energa de las

    partculas en un plano tal como el '3, en el que e+iste una elevada densidad

    de nodos es menor que la energa de las partculas en planos menosdensamente poblados, tal como el '4. De aqu que el plano '3 sea el m*s

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    estable, puesto que en el proceso laconfiguracin de m*s baja energa es la de

    m*+ima estabilidad. )os planos '4, 'D, '!,

    etc... crecer*n, sin embargo m*s de prisa

    que el '3 ya que se necesitan a5adir

    menos partculas por unidad de *rea. !n el

    proceso de crecimiento, estas caras

    inestables, tienden a eliminarse por su

    acelerado crecimiento y las caras m*s

    estables crecer*n de manera casi perfecta.

    'n*logamente, al diluirse las caras

    inestables con mayor velocidad de

    crecimiento/ que pudieron terminar como

    caras o como aristas se eliminar*n m*s

    r*pido, mientras que las caras de lenta

    disolucin en el proceso resultar*n opacas.

    %e puede definir que la velocidad de disolucin del cristal ser* una funcin

    continua de la direccin de crecimiento de la cara del cristal, por la relacin quee+iste entre su velocidad y el *ngulo con que se forma.

    1.2 Hendiduras polidricas microscpicas

    Debido a que los cristales poseen una estructura regularmente ordenada,

    diferentes planos y direcciones contenidos dentro de ellos tienen diferentes

    alrededores atmicos. !stas diferentes disposiciones atmicas a lo largo de los

    diferentes planos o direcciones cristalinas dan lugar a las propiedades

    vectoriales, dureza, conductividad t#rmica y el#ctrica, dilatacin t#rmica,

    velocidad de la luz, velocidad de crecimiento y disolucin. &uesto que la

    magnitud de la propiedad depende de la direccin, vara al cambiar de

    direccin cristalogr*fica.

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    6n proceso vectorial discontinuo, corresponden slo a ciertos planos odirecciones definidas dentro del cristal, no e+isten valores intermedios de tales

    propiedades relacionadas con direcciones cristalogr*ficas intermedias. !sto

    quiere decir que no e+iste un rango continuo de direcciones que presenten una

    propiedad vectorial de este tipo como funcin continua del *ngulo.

    )a velocidad de disolucin se considera como un proceso vectorial discontinuo,

    y la disolucin de un cristal o de alg"n fragmento de cristal puede suministrar

    un poliedro m*s o menos definido. 6n ejemplo m*s claro de la naturaleza

    vectorial de la velocidad de disolucin lo suministran las figuras de corrosin. %i

    un cristal es tratado brevemente con un disolvente qumico que lo ataca, las

    caras se corroen.

    )as forma de las marcas que se forman es regular y depende de la estructura

    del cristal, de la cara que es atacada, de la presencia de impurezas qumicas e

    inclusiones y de la naturaleza del disolvente. &uede incluso obtenerse valiosa

    informacin acerca de la geometra de la organizacin interna de los cristales a

    partir del estudio de tales figuras de corrosin. 'parecen con mayor facilidad

    cuando los disolventes son d#biles.

    Superficies y bordes

    corrodos por la hidrlisis

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    un grano de anfbol(ncoles paralelos).

    )os antpodas de las figuras de corrosin, salientes de crecimiento, aparecen

    m*s raramente y tienen un origen completamente diferente, ya que no slo los

    origina el crecimiento si no tambi#n el cambio peridico de crecimiento y

    disolucin.

    1.3 Lquidos Cristalinos

    )os cristales de ciertas sustancias org*nicas, al calentarlos, se transforman enlquidos con las mismas propiedades pticas que los cristales unia+iles

    unia+iales o uni*+icos/. !sto quiere decir que pueden presentar una absorcin

    general o selectiva de la luz dependiendo de la direccin de vibracin. !n la

    actualidad se conocen unas 789 formaciones de esta especie.

    (e!tura de un cristal l"uido

    en fase nem#tica)

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    %e suele atribuir el descubrimiento

    de los cristales lquidos al

    bot*nico 4riedrich :einitzer que en

    .

    )a principal caracterstica de estoscompuestos es que sus mol#culas son

    altamente anistropas en su forma,

    pueden ser alargadas, en forma de

    disco u otras m*s complejas como forma

    de pi5a. ' diferencia de los cristales

    orientacin a largo alcance y

    posiciones ordenadas a largo

    alcance/, los cristales lquidos tienen

    una orientacin a largo alcance,

    pero posiciones ordenadas a

    corto alcance. 'dem*s, contienen intrnsecas propiedades fsicas anistropas.

    !n funcin de esta forma el sistema puede pasar por una o m*s fases

    intermedias mesofases/ desde el estado cristalino hasta el lquido. !n estas

    mesofases el sistema presenta propiedades intermedias entre un cristal y un

    lquido.

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    TEMA 2:METODOS PRCTICOS DEOBTENCIN POR FUSIN DE

    CRISTALES AISLADOS.

    !l cultivo de fusin de grandes cristales aislados en forma de poliedros

    naturales es una tarea muy difcil, por eso generalmente se limitan a obtenerbloques monocristalinos.

    (monocristal de cuar$o sinttico)

    QU ! U" #$"$C%&!'(L)

    6n monocristales un material en el que la red cristalina es continua y no est*

    interrumpida por bordes de grano hasta los lmites de la muestra. Dicho de otro

    modo es un cristal "nico generado de un n"cleo sin uniones que no

    concuerden con su estructura inicial.

    !n la pr*ctica han adquirido cuatro m#todos de cultivo

    %iropulos

    &ridgman (mtodo del tubo estirado)

    'erneuil

    C$ochralsi

    !stos cuatro m#todos se basan en el fenmeno de seleccin se5alado por

    ?ross y Moeller.

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    %i por ejemplo en el fondo del recipiente surge al mismo tiempo una grancantidad de cristales peque5os, en su crecimiento ulterior su n"mero disminuye

    y, al fin y al cabo @sobreviveA un cristal que continua creciendo. )as causas de

    la seleccin se deben buscar principalmente en la misma geometra del

    crecimiento de los cristales y en su orientacin preliminar.

    MTODOS:

    1. l aparato de *iropulos.+consta de un horno el#ctrico de resistencia,', un crisol de platino, 3, y el refrigerante, $. el refrigerante es una

    probeta de platino con un tubito de cobre en el interior, a trav#s del cualse puede insuflar aire, mediante cualquier mecanismo el refrigerante se

    puede introducir en el crisol y sacarlo lentamente del mismo.

    Despu#s de fundir en el crisol con gran sobrecalentamiento la sustancia

    destinada a la cristalizacin, se introduce el refrigerante en la fusin y

    se empieza a hacer pasar el aire por #l. Despu#s de formarse en el

    e+tremo en el e+tremo del refrigerante una peque5a e+cresencia

    cristalina de la sustancia a modo de semiesfera se intensifica el

    soplado y se empieza a sacar el refrigerante. $uando la semiesfera

    llega a la altura de la superficie del ba5o de la fusin, de los numerosos

    cristales de la semiesfera sobrevive generalmente uno, que contin"a

    creciendo al seguir sacando el refrigerante.!l proceso fue desarrollado por %pyro Byropoulos para hacer crecer

    monocristrales de haluros alcalinos. !l crecimiento sumergido como

    este permite que la gradiente de crecimiento sea menor que para el

    proceso $zchoralzCy.

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    2. Crecimiento por la tcnica ,rid-man+!toc/ar-er 0ertical.+ paraobtener monocristales de metales de bajo punto de fusin. 6n tubo de

    metal duro o cuarzo con el e+tremo inferior estirado en forma capilar se

    llena de la sustancia fundida y se suspende verticalmente en el horno

    el#ctrico de forma de tubo.!l enfriamiento del metal se efect"a dejando bajar gradualmente el tubo

    de cristal hacia el interior de otro tubo de temperatura inferior. )a

    cristalizacin empieza en el capilar, donde se produce el fenmeno de

    seleccin. $omo resultado de ello todo el metal se llena de metal

    monocristalinos.

    Despu#s de haber realizado varios ensayos y probado la t#cnica de

    crecimiento de los semiconductores de la familia 0000E07 hemos

    establecido varios par*metros adecuados que consisten en mantener

    una zona caliente y otra m*s fra con una diferencia de 99 9 cre*ndoseentre ella un gradiente de temperatura de F 9 por centmetro. $ada

    capsula tiene una longitud apro+imada entre = y cm y el lingote

    crecido tiene una longitud apro+imada de G cm, por lo que e+iste una

    diferencia de temperatura de apro+. 899$ entre la punta y la cola del

    lingote.

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    ' medida que se desplaza el perfil de temperatura a lo largo de la c*psula, la

    punta se coloca ligeramente por debajo del punto de fusin y el semiconductor

    en estado lquido se congela form*ndose una semilla en esa punta. 's a

    medida que el perfil de temperatura baja lentamente, usualmente 9$Hh, seespera que la semilla crezca en la direccin definida.

    $omo se mencion anteriormente, es necesario conocer el diagrama de fases

    de estos materiales para elaborar el programa de crecimiento adecuado,

    considerando el punto de fusin, el cambio estructural en el estado slido y

    cualquier otro proceso t#rmico que pueda presentar estos compuestos.

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    &or ejemplo, el procedimiento aplicado para el crecimiento del $0IG8

    a/ %e incrementa la temperatura en las < zonas del horno desde 789$

    hasta

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    e/ $omo todava se est* sobre el punto de fusin del $0IG8KLL

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    3. roceso de Verneuil.+ 6tilizado en su origen para la fabricacinde corindonessint#ticos ruby zafiro/, se emplea tambi#n en la

    actualidad para la fabricacin de espinelas. !n sntesis, consiste endejar caer polvo de al"mina con el colorante adecuado a trav#s de unallama o+hdrica, que por su elevada temperatura 7799 $,

    apro+imadamente/ funde la mezcla. para sustancias de elevado punto

    de fusin en particular para el corindn 'l7-G, se utiliza el m#todo

    proceso/ de Eerneuil.

    )a sustancia a cristalizar en forma de polvo muy fino, se coloca en el

    recipiente ) de fondo reticular. ?olpeando peridicamente con el

    martillo M, la pared lateral de la tolva 3, el polvo cae por el tubo ',

    sobre la buja !, de material refractario, donde por coccin de la mezcladetonante forma una mesa desmenuzable. )a mezcla detonante se

    forma uniendo el o+geno que pasa a la mufla por el tubo ', con el

    hidrogeno que entra por el tubo 4. cuando el cono ( de la masa

    calcinada alcanza una determinada dimensin y forma, las condiciones

    de combustin del gas y la posicin del cono cambian, el v#rtice del

    cono se funden un poco, creando con ello el germen cristalino.

    6lteriormente la temperatura de la llama en el v#rtice del cono se

    regula de manera que los granitos de polvo fundido caigan en el

    germen cristalino, que, creciendo gradualmente hacia arriba, forma elmonocristal esf#rico.

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    ' pesar de algunas mejoras en el m#todo, el proceso Eerneuil se

    mantiene pr*cticamente inalterado hasta nuestros das, manteniendo

    una posicin de liderazgo en la fabricacin de corindn sint#tico y

    espinela. %u rev#s m*s importante lleg en =L, cuando Nan

    $zochralsCi present el proceso $zochralsCi, que ha encontrado

    numerosas aplicaciones en la industria de los semiconductores, donde

    se requiere un aumento de la calidad de los cristales que el proceso

    Eerneuil en parte no puede producir.

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    .+ roceso de Coc4ralsi.+ !l m#todo consiste en un crisolgeneralmente de cuarzo/ que contiene el semiconductor fundido, por

    ejemplo germanio. )a temperatura se controla para que est# justamente

    por encima del punto de fusin y no empiece a solidificarse. !n el crisol

    se introduce una varilla que gira lentamente y tiene en su e+tremo un

    peque5o monocristal del mismo semiconductor que act"a como semilla.

    'l contacto con la superficie del semiconductor fundido, #ste se agrega a

    la semilla, solidific*ndose con su red cristalina orientada de la misma

    forma que aquella, con lo que el monocristal crece. )a varilla se va

    elevando y, colgando de ella, se va formando un monocristal cilndrico.4inalmente se separa el lingote de la varilla y pasa a la fusin por zonas

    para purificarlo.

    (&reve e!plicacin del proceso C$ochralsi)(ingote de silicio

    monocristalino)

    )as situaciones de inestabilidad indeseables en la masa fundida se pueden

    evitar mediante la monitorizacin y la visualizacin de los campos de

    temperatura y la velocidad durante el proceso de crecimiento de cristales.

    $uando la temperatura asciende, el propio lingote se va fundiendo, pero sidesciende, se forman agregados que no son monocristalinos.

    !ste proceso se realiza normalmente en una atmsfera inerte, como argn, y

    en una c*mara inerte, como cuarzo.

    !ste m#todo es utilizado para la obtencin de silicio monocristalino mediante

    un cristal semilla depositado en un ba5o de silicio. !s de amplio uso en la

    industria electrnica para la obtencin de Oafers u obleas, destinadas a la

    fabricacin de transistores y circuitos integrados.

    Eentajas del m#todo

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    INTRODUCCION A LA

    CRISTALOGRAFA

    !l crecimiento de una superficie libre tan opuesta a la solidificacin enuna configuracin confinada/ acomoda la e+pansin volum#trica sin

    mayor problema, esto elimina complicaciones que podran surgir cuando

    el fundente moja el contenedor. &or este m#todo se pueden obtener monocristales grandes a altas

    velocidades. 'ctualmente el di*metro de los cristales puede variarse

    cambiando los par*metros t#rmicos. Iambi#n puede alcanzarse alta

    perfeccin cristalina.

    )imitaciones

    ' pesar de que puede llevarse a cabo bajo presiones moderadas, #ste no se

    presta para el crecimiento de materiales cuya presin de vapor en el punto de

    fundicin de alguno de sus constituyentes sea alta.

    )as dificultades primarias est*n asociadas con problemas del manejo de la

    rotacin y de la sujecin del cristal; y con los requerimientos de la configuracin

    t#rmica para mantener el equilibrio termodin*mico entre el vapor y el fundente.

    )a necesidad de utilizar un crisol en el proceso de crecimiento $zochralsCi

    implica el riesgo de contaminar el fundente. 'dem*s, este m#todo no se prestapara el crecimiento continuo.

    (Crisoles usados en el proceso

    C$ochralsi) (Crisoles despus de serusados)

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    INTRODUCCION A LA

    CRISTALOGRAFA

    TEMA 3: METODO POR

    CRISTALIZACIN POR DISOLUCION

    !l proceso de cristalizacin por disolucin consiste en ceder al disolvente ele+ceso e sustancia disuelta. De esto se deduce que los cristales pueden

    desprenderse solamente de una solucin sobresaturada.

    %e denomina solubilidad o coeficiente de solubilidad/ el n"mero que indica la

    cantidad de gramos de sustancia que puede ser disuelta en 99g de disolvente.

    )a sobresaturacin se puede obtener de dos maneras

    / Mediante la evaporacin del disolvente.7/ 3ajando la temperatura, ya que para la inmensa mayora de las

    sustancias, la solubilidad disminuye en este caso.

    !n un caso B(-G, la solubilidad aumenta r*pidamente con la temperatura de

    solucin. !n otro caso (a$l, al contrario, con una elevacin de temperatura

    desde 99 hasta 999, la cantidad de sustancia que puede ser disuelta, aumenta

    solamente en 8g. &or lo tanto para obtener nuevamente cristales de salitre, hay

    que disolverlo en agua hirviendo y despu#s enfriar la solucin, est* claro que

    no es conveniente hacer lo mismo para obtener cristales de cloruro sdico; en

    este caso se debe provocar una intensa evaporacin del disolvente.

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    INTRODUCCION A LA

    CRISTALOGRAFA

    !n la inmensa mayora de los casos, la variacin de la temperatura influye

    altamente en el grado de solubilidad de la sustancia. &or eso la cristalizacin se

    tiene que realizar en termostato, aparatos que autom*ticamente se mantieneinvariable la temperatura determinada. )os termostatos son de varios tipos. !n

    los termostatos a#reos, el medio que mantiene constante la temperatura, es el

    aire.

    !n los termostatos de agua, este es el medio. !n la cristalizacin se usan

    principalmente termostatos de agua, los esquemas de construccin los elaboro

    el profesor ?. Pulff y despu#s los perfecciono su discpulo el profesor

    sh"bniCov. &ara el calentamiento se puede utilizar el gas o la corriente

    el#ctrica.

    !l termostato de agua calentado a gas construido por ?. Pulff, es un recipiente

    met*lico de varias decenas de litros de capacidad con paredes cubiertas de

    material termoaislante. %e calienta por la parte inferior con uno o varios

    mecheros a gas. !n estos mecheros se instalan unos casquetes de chacota

    con varios agujeros peque5os .!stas boquillas casquetes/ impiden que la

    llama pase al interior del mechero cuando la afluencia del gas se reduce

    consideradamente.

    De la red de retribucin, en direccin hacia los mecheros, el gas debe pasar

    por un termorregulador la parte ensanchada M del tubo del vidrio curvado est*lleno de un lquido de elevado coeficiente de dilatacin con lo cual en volumen

  • 7/26/2019 PROCESO de disolucion de los cristaqles y cristalizacion por fusion disolucion

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    INTRODUCCION A LA

    CRISTALOGRAFA

    de la parte M es muy sensible la variacin de temperatura. !n los termostatosde ?. Pulff la parte ensanchada M del termorregulador se llena de tolueno. !n

    tubo & est* lleno de mercurio, cuyo e+cedente se haya en la parte superior

    ensanchada 3. !l gas viene por el tubo pasando por la parte ensanchada 3,

    se dirige hacia el mechero. 'l elevarse la temperatura, el tolueno se dilata, el

    mercurio del tubo 3 haciende, con lo cual disminuye el espacio libre para el

    paso del gas. !l mechero empieza a calentar menos, la temperatura baja,

    desciende el mercurio y el paso del gas hacia el mechero aumenta. !n la parte

    superior ensanchada 3 hay un peque5o orificio hasta el cual no puede llegar el

    mercurio. !ste orificio se ha hecho para que pase cierta cantidad de gas y nose apague el mechero , aun cuando el mercurio intersecte la boca del tubo

    en el interior del termostato hay un dispositivo para que se mezcle

    continuamente el agua que llena el termostato .)os cristalizadores se colocan

    en unos soportes especiales de manera que la mayor parte de su volumen se

    halle sumergida en el agua del termostato , el nivel de agua evidentemente,

    debe ser inferior a la altura en las paredes de los cristalizadores .

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    INTRODUCCION A LA

    CRISTALOGRAFA

    FUENTES Y BIBLIOGRAFA &rincipios de cristalografa !. 4lint

    $ristalografa y mineraloga $elia marcos

    0ntroduccin a la cristalografa Q )ic. $arlos 'lberto Rui5ones

    Monteverde

    Manual de minerologa $ornelis Blein, $ornelius %. urlbut

    WEBS BIBLIOGRFICAS:

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