UNMSMFacultad de Ingeniera Electrnica,Elctrica y de Telecomunicaciones

Apellidos y NombresN de Matricula

Montes Carranza Julio Anibal13190178

CursoTema

Dispositivos Electrnicos ITransistor bipolar NPNCaractersticas Bsicas

InformeFechasNota

PrevioRealizacinEntrega

Nmero23 de octubre del 201430 de octubre del 2014

7

GrupoProfesor

6Ing. Luis Paretto Q.

Transistor bipolar NPN

Transistor C828:

Codigo de transistorDescripcion y aplicacionCasoEstilo Diag.NMaxima corriente en el colector(Amp) IcColector a emisor (volts)BVceoColector a Base (volts) BVcboColector a Base (volts)BVeboHfe Disipaciion mxima del colector (watts)Frecuencia (M Hz) ft

C828NPN-SiTO920.470704120min0.625200

PROCEDIMIENTO:a) Medir las corrientes que circulan por el colector (Ic) y la base (Ib).Obtener el (P1 = 0 ).b) Medir los voltajes entre colector emisor (Vce), entre base emisor(Vbe), y entre emisor tierra (Ve).c) Colocar los datos obtenidos en la Tabla 2Tabla 2Valores (R1= 56 K)Ic (mA.)Ib (A.)Vce(v.)Vbe(v.)Ve(v.)

Teoricos7.636641202.6840.71.694

Datos:R1= 56 KR2= 22 KRe= 0.22 k Rc= 1 K

+12vVBE= 0.7 v (Por ser silicio)P1= 0 K = 120

Formulas a usar:

V=

Rb=

Ib=

Ve=Ie.Re

Ic=Ib.

Ie=Ic+Ib

Resolviendo:

V== 3.385 v

Rb== 15.795 k

Ib==0.064mA

Ic=120(0.100)=7.636mA

Ie=7.69998mA

Vce=-(7.636)(1+0.22)+12=2.684v

Ve=(0.22)(7.69998)=1.694 v

d) Cambiar R1 a 68K , repetir los pasos (a) y (b), anotar los datosobtenidos en la Tabla 3 (por ajuste de P1).Tabla 3Valores (R1= 56 K)Ic (mA.)Ib (A.)Vce(v.)Vbe(v.)Ve(v.)

Teoricos6.684561203.8460.72.408

Resolviendo:

V== 2.933 v

Rb== 13.689 k

Ib==0.056mA

Ic=120(0.090)=6.684mA

Ie=10.943mA

Vce=-(6.684)(1+0.22)+12=3.846

Ve=(0.22)(10.943)=2.408 v

e) Aumentar la resistencia de P1 a 100K , 250K , 500K y 1M .Observar lo que sucede con las corrientes Ic e Ib y con el voltaje Vce(Usar Re=0). Llenar la Tabla 5.

P1100K250K 500K1M

Ic(mA.) 4.8730.614- 1.378- 2.534

Ib(uA.)415.116 - 11-21

Vce(v.)6.05511.25113.68115.091

Para P1=100K:

V== 1.483 v

Rb== 19.281 k

Ib==-0.041mA

Ic=120(0.061)=4.873mA

Ie=4.914mA

Vce=-(4.873)(1+0.22)+12=6.055

Para P1=250K:

V== 0.805v

Rb== 20.524 k

Ib==5.116 A

Ic=50(0.025)=0.614mA

Ie=0.614mA

Vce=-(0.614)(1+0.22)+12=11.251v

Para P1=500K:

V== 0.457v

Rb== 21.163 k

Ib==- 0.011 mA

Ic=120(-0.011)=- 1.378mA

Ie=-1.389mA

Vce=-(-1.378)(1+0.22)+12=13.681v

Para P1=1000K:

V== 0.245v

Rb== 21.551k

Ib==- -0.021mA

Ic=120(-0.021)=- 2.534mA

Ie=-2.555mA

Vce=-(-2.534)(1+0.22)-12=15.091v