Previo 5 Respuesta de Alta Frecuencia

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  • 8/12/2019 Previo 5 Respuesta de Alta Frecuencia

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    UNIVERSIDAD NACIONAL

    MAYOR DE SAN MARCOS(Universidad del Per, Decana de Amrica)

    FACULTAD DE INGENIERA ELECTRNICA Y

    ELECTRCA

    RESPUESTA DE ALTA FRECUENCIA

    DE UN AMPLIFICADOR DE UNA

    SOLA ETAPA

    (Informe Previo)

    Curso : Laboratorio de Circuitos Electrnicos II

    Integrante : KEVIN OSORIO MIRANDA 10190082

    2014

  • 8/12/2019 Previo 5 Respuesta de Alta Frecuencia

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    a) Definir rbb, rbe, rbc, rce, Cbe, Cbc, gm, f y fT.rbb:Para esta resistencia se toma en cuenta la resistencia de contacto (conexin

    real de la base), la del volumen (incluye la resistencia desde el terminal externo

    hasta la regin activa de los transistores) y la resistencia de propagacin de la

    base(resistencia real dentro de la base). Su valor est entre 10 y 50 .rbe:(Solo cuando el ckto esta en la regin activa)Resistencia entre los

    terminales b y e.

    rbc:Resistencia entre los terminales b y c.

    rce:Resistencia entre los terminales c y e.

    Cbe:O capacitancia de difusin. Capacitancia entre los terminales b y e. Es el

    resultado del retardo, ocasionado por un hueco al pasar a travs de la base del

    emisor al colector.

    Cbc: O capacitancia de transicin. Capacitancia entre los terminales b y c. Su

    valor es empieza desde los 30pF para transistores en baja frecuencia hasta 1 pF

    para transistores en alta frecuencia.

    gm:Conductancia dinmica.

    mV

    Icgm

    26 .

    f:Frecuencia de corte en corto circuito para la configuracin emisor comn.

    cCbeCbrf

    emed ''2

    1

    fT:producto ganancia-anchura de banda del amplificador.

    hfeffT

    b) En el circuito del experimento (fig 5) de acuerdo al modelo del transistoren altas frecuencias, encontrar una expresin para f / fT.

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    Haciendo el anlisis en continua:

    100med

    mAIckk

    Ic 648.17.0)69.0100

    882.9(12.2

    65.157777.1526

    reIcc

    mVre

    Segn el manual de dispositivos:

    Cbe= 25 pF y Cbc=8 pFEntonces, con lo anterior:l

    cCbeCbrf

    emed ''2

    1

    Hz

    pFpFf 08.3096252

    82565.1577.21

    c) Considerando que Cbc , Cbe y rbe=Vihfe)/IEQ,encontrar el punto de corte superior aproximado en nuestro circuito.

    Entonces, con estas consideraciones, se tiene:

    Hz

    pFpFf 446.1020742

    1.010065.15772

    1

    d) En altas frecuencias Cul de las configuraciones del transistor ser msconveniente?Porqu?

    La configuracin ms conveniente ser la de emisor comn. Ya que la

    capacitancia de efecto millar al depender de Cce en base comn es muy

    pequeo. Por lo tanto, sta desaparece. De modo que Ci y Co, sern mucho mas

    pequeas, y la frecuencia de corte sera ms alta.

    Veamos:

    CceAvCbeCwiCmiCbeCwiCi )1(

    CceAvCbcCwiCmoCceCwoCo )/11(