Practica Fundamentos de electronica

1. Cuantos protones tienen un ncleo de tomo de cobre?a. 1b. 4c. 18d. 292. La carga neta de un tomo de cobre neutro es:a. 0b. +1c. -1d. +43. Suponiendo que se elimina el electro de valencia de un tomo de cobre. La carga neta del tomo ser:a. 0b. +1c. =1d. +44. Qu tipo de atraccin experimenta el electrn de valencia de un tomo de cobre hacia el ncleo:a. Ningunab. Dbilc. Fuerted. Imposible saberlo5. Cuantos electrones de valencia tiene un tomo de silicio?a. 0b. 1c. 2d. 46. Cul es el semiconductor cuyo uso est ms extendido?a. Cobreb. Germanioc. Siliciod. Ninguno de los anteriores7. Cuantos protones contiene el ncleo de un tomo de silicio?a. 4b. 14c. 29d. 328. Los tomos de silicio se combinan formando un patrn ordenado denominadoa. Enlace covalenteb. Cristalc. Semiconductord. Orbital de valencia

9. Un semiconductor intrnseco tiene algunos huecos a temperatura ambiente. Que causa esos huecos?a. Dopajeb. Electrones libresc. Energa trmicad. Electrones de valencia10. Cuando un electrn se mueve a un orbital de nivel mayor, su nivel de energa con respecto al ncleo:a. Aumentab. Disminuyec. Permanece iguald. Depende del tipo de tomo11. La unin de un electrn libre y de un hueco se denominaa. Enlace covalenteb. Tiempo de vidac. Recombinacind. Energa termina12. A temperatura ambiente, un cristal de silicio intrnseco se comporta de manera similar a:a. Una baterab. Un conductorc. Un aislanted. Un fragmento de cable de cobre13. El tiempo transcurrido entre la creacin de un hueco y su desaparicin se denomina:a. Dopajeb. Tiempo de vidac. Recombinacind. Valencia14. El electrn de valencia de un conductor tambin se puede llamar:a. Electrn de enlaceb. Electrn librec. Ncleod. Protn15. Cuantos tipos de flujo tiene un conductor:a. 1b. 2c. 3d. 416. Cuantos tipos de flujo tiene un semiconductor?a. 1b. 2c. 3d. 4

17. Cuando se aplica una tensin aun semiconductor, los huecos fluyen:a. Alejndose del potencial negativob. Hacia el potencial positivoc. En el circuito externod. Ninguna de las anteriores18. En un material semiconductor, el orbital de valencia se satura cuando contiene:a. Electrnb. Los mismo iones (+) y (-)c. 4 electronesd. 8 electrones19. En un semiconductor intrnseco, el nmero de huecos esa. Igual al nmero de electrones libresb. Mayor que el nmero de electrones libresc. Menor que el nmero de electrones libresd. Ninguna de las anteriores20. La temperatura de cero absoluto es igual a:a. -273 grados Celsiusb. 0 grados Celsiusc. 25 grados Celsiusd. 50 grados Celsius21. A la temperatura de cero absoluto , un semiconductor intrnseco tiene:a. Pocos electrones libresb. Muchos huecosc. Muchos electrones libresd. Ni huecos ni electrones libres22. A temperatura ambiente, un semiconductor intrnseco tiene:a. Unos pocos electrones libres y huecosb. Muchos huecosc. Muchos electrones libresd. Ningn hueco23. El nmero de electrones libres y huecos en un semiconductor intrnseco disminuye cuando la temperatura:a. Disminuyeb. Aumentac. No variad. Ninguna de las anteriores24. El flujo delos electrones de valencia hacia la derecha indica que los huecos se mueven hacia:a. La izquierdab. La derechac. Cualquier ladod. Ninguna delas anteriores

25. Los huecos son como:a. tomosb. Cristalesc. Cargas negativasd. Cargas resistivas26. Cuantos electrones de valencia tiene tomos trivalentes:a. 1b. 3c. 4d. 527. Cuantos electrones de valencia tiene un tomo receptor:a. 1b. 3c. 4d. 528. Para producir un semiconductor de tipo n, que utilizara?a. tomos receptoresb. tomos donantesc. Impurezas pentavalentesd. Silicio29. En qu tipo de semiconductor los portadores minoritarios son electrones?a. Extrnsecob. Intrnsecoc. Tipo nd. Tipo p30. Cuantos electrones libres contiene un semiconductor de tipo p?a. Muchosb. Ningunoc. Solo los producidos por la energa trmica d. Los mismos que huecos31. La plata es el mejor conductor, cuantos electrones de valencia cree que tiene?a. 1b. 4c. 18d. 2932. Suponiendo que un semiconductor intrnseco tiene 1000 de millones de electrones libres a temperatura ambiente, si la temperatura disminuye a 0 grados Celsius, cuantos huecos tendr?a. Menos de 1000 millonesb. 1000 millonesc. Ms de 1000 millonesd. Imposible decirlo

33. Se aplica una fuente de tensin externa a un semiconductor de tipo p. Si el extremo izquierdo del cristal es positivo, como fluyen los portadores mayoritarios?a. Hacia la izquierdab. Hacia la derechac. No fluyend. Imposible decirlo34. Cul de las siguientes respuestas no se ajusta al grupo?a. Conductorb. Semiconductorc. Cuatro electrones de valenciad. Estructura de cristal35. Cul de las temperaturas siguientes es aproximadamente igual a la temperatura ambiente (expresada en grados Celsius)?a. 0b. 25c. 50d. 7536. Cuantos electrones hay en el orbital de valencia de un tomo de silicio que est dentro de un cristas?a. 1b. 4c. 8d. 1437. Los iones negativos son tomos que han:a. Ganado un protnb. Perdido un protnc. Ganado un electrnd. Perdido un electrn38. Cul de los siguientes trminos describe a un semiconductor de tipo n:a. Neutrob. Positivamente cargadoc. Negativamente cargadod. Tiene muchos huecos39. Un semiconductor de tipo p contiene huecos y:a. Iones positivosb. Iones negativosc. tomos pentavalentesd. tomos donantes40. Cul de los siguientes trminos describe a un semiconductor de tipo p?a. Neutrob. Positivamente cargadoc. Negativamente cargadod. Tiene muchos electrones libres41. Comparado a con un diodo de germanio, la corriente inversa de saturacin de un diodo de silicio es:a. Igual a altas temperaturasb. Menorc. Igual a bajas temperaturasd. Mayor42. Que es lo que genera la zona de deplexin:a. Dopajeb. Recombinacinc. Barrera de potenciald. Iones43. Cual es la barrera de potencial de un diodo de silicio a temperatura ambiente:a. 0.3vb. 0.7vc. 1vd. 2mV por grado Celsius44. Al comparar las bandas prihibidas de los tomos de germanio y de silicio, un tomo de silicio tiene una banda prohibidas:a. Aproximadamente igualb. Menor c. Mayord. Impredecible45. Normalmente en un diodo de silicio la corriente inversa:a. Es muy pequeab. Es muy grandec. Es igual a acerod. Est en la regin de disrupcin46. Manteniendo la temperatura constante, la tensin de polarizacin inversa de un diodo de silicio aumenta. La corriente de saturacin del diodo:a. Aumentarab. Disminuirc. Permanecer constanted. Sera igual a la corriente superficial de fugas\47. La tensin a la que se produce el efecto de avalancha se denominaa. Barrera de potencialb. Zona de deplexinc. Tensin de codod. Tensin de disrupcin48. La barrera de energa de la unin de un diodo pn disminuir cuando el diodo:a. Este polarizado en directab. Se fabriquec. Este polarizado en inversad. No conduzca

49. Cuando la tensin inversa disminuye de 10 a 5 v, la zona de deplexin a. Se hace ms pequeab. Se hace ms grandec. No se ve afectadad. Entra en disrupcin50. Cuando un diodo esta polarizado en directa, la recombinacin de electrones libres y huecos puede producir:a. Calorb. Luzc. Radiacind. Todas las anteriores51. Una tensin inversa de 10v cae en un diodo. Cul es la tensin existente en la zona de deplexin?a. 0vb. 0.7vc. 10vd. Ninguna delas anteriores52. La banda prohibida de un tomo de silicio es la distancio entre la banda de valencia y:a. El ncleob. La banda de conduccinc. La parte interna del tomod. Los iones positivos53. La corriente inversa de saturacin se duplica cuando la temperatura de la unin aumenta ( en grados Celsius):a. 1b. 2c. 4d. 1054. La corriente superficial de fugas se duplica cuando la tensin inversa aumenta:a. 7%b. 100%c. 200%d. 2mV

1. Cul es la carga neta de un tomo de cobre si gana dos electrones?

2. Cul es la carga neta de un tomo de silicio si gana dos electrones de valencia?

3. Clasificar cada uno delos siguientes elementos como conductor o semiconductor:a. Germaniob. Platac. Siliciod. Oro

4. Si un cristal de silicio puro tiene en su interior 500000 huecos, cuantos electrones libres tendr?

5. Un diodo esta polarizado en directa. Si la corriente es de 5mA en el lado n, cual ser cada una de las siguientes corrientes:a. En el lado pb. En los cables de conexin al exteriorc. En la unin

6. Clasifique cada uno delos siguientes elementos como semiconductor de tipo n o de tip p:a. Dopado con tomos aceptoresb. Cristal con impurezas pentavalentesc. Portadores mayoristas y huecosd. tomos donantes aadidos aun cristase. Portadores minoritarios y electrones libres

7. Un diseador va a emplear un diodo de silicio en un rango de temperatura comprendido dentro 0 y 75 grados Celsius, cules sern los valores mnimos y mximo de la barrera de potencial?

8. Si un diodo de silicio tiene una corriente de saturacin de 10 nA en un rango de 25 a 75 grados, cules sern los valores mnimo y mximo dela corriente de saturacin?

9. Un diodo tiene una corriente superficial de fugas de 10nA cuando la tensin inversa es 10v. cul ser la corriente superficial de fugas si la tensin inversa se aumenta a 100 v?

Practica Fundamentos de electronicaChristopher Del Rosario