El circuito a estudiar es el siguiente:

V1, representa una fuente de tensin contina que realizar un barrido continuo entre

0V y 10V.

Tomamos el modelo simplificado del diodo, entonces tenemos que:

De esta ecuacin deducimos que la intensidad crecer linealmente con la tensin, con

un valor 100 veces menor (Figura 3).

0,1R D

E EE V V I R IR K

= + = + = =

2. Diseo y simulacin de la caracterstica directa del diodo

Simulacin de circuitos electrnicos con OrCAD 16.6

Figura 1. Circuito electrnico simulado en el Tema 2

Figura 2. Corriente a travs del diodo

Las caractersticas generales de un diodo semiconductor se pueden definir mediante la

ecuacin:

= corriente de saturacin inversa

= 11600/ con =1 para Ge y =2 para Si en niveles relativamente bajos de

corriente del diodo (en 0 o abajo del punto de inflexin de la curva) y =1 para Ge y Si

en mayores niveles de corriente (en la seccin de crecimiento rpido de la curva).

El trmino / crece con el crecimiento de , esto implica que a mayor

temperatura mayor ser la intensidad .

En la figura 4 la grfica naranja con una x es para una temperatura de 120, la grfica

verde con un cuadrado es para una temperatura de 0, podemos ver como para un

mismo valor de tensin de alimentacin, es mayor en la grfica naranja que en la

verde, ya que es una grfica representada a mayor temperatura.

Adems tambin observamos que a mayor temperatura, menor es la tensin de

alimentacin que necesitamos para que el diodo conduzca, esto es debido a que a

mayor a temperatura los portadores del semiconductor se encuentran ms agitados.

( )/ /1D K D KkV T kV TD S S SI I e I e I= =

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Figura 3. Corriente a travs del diodo a distintas temperaturas

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