ALUMNO: TIBERIUS DANIEL TIMOFTE DNI: X8989399X

Prctica 1 MICROWIND

El Transistor NMOS

CARACTERSTICAS ESTTICAS DEL CANAL

Vamos a estudiar las caractersticas estticas de varios transistores NMOS y a compararlas segn su anchura y longitud de canal.

Para ello, el primer transistor lo vamos a crear con unos valores escogidos de W y L, y los dems tendrn unos valores proporcionales a stos primeros. Los valores escogidos de W y L son:

W = 0,9 m L = 0,3 m

Antes de realizar las simulaciones creamos los seis transistores con la siguiente relacin de proporcionalidad.

Transistor NMOS 1 Transistor NMOS 2 Transistor NMOS 3 Transistor NMOS 4 Transistor NMOS 5 Transistor NMOS 6

Parmetros del Canal Anchura (m)Longitud (m) W 0.9L 0.3 W 0.92L 0.6 2W 1.8L 0.3 10W 910L 3 W 0.910L 3 10W 9L 0.3

Ahora vamos a realizar las simulaciones para todos los transistores:

Manuel Rico Beltrn MICROELECTRNICA

Transistor NMOS 1 [W,L]

Transistor NMOS 2 [W,2L]

Manuel Rico Beltrn MICROELECTRNICA

Transistor NMOS 3 [2W,L]

Transistor NMOS 4 [10W, 10L]

Manuel Rico Beltrn MICROELECTRNICA

Transistor NMOS 5 [W, 10L]

Transistor NMOS 6 [10W,L]

Cuestiones

o Cundo el canal es ms ancho, la corriente que es capaz de manejar el FET aumenta o disminuye?

Para ver si aumenta o disminuye la corriente al aumentar la anchura del canal, vamos a observar las grficas para distintos valores de anchura manteniendo constante la longitud del canal.

Transistor WL 2W L 10W L

Intensidad Mxima 0.6 / 0.65 mA 1.25 / 1.3 mA 6 / 6.5 mA

Como podemos ver en los resultados obtenidos observando la grfica, cuando aumentamos la anchura del canal, AUMENTA la corriente que pasa por el FET.

o Cundo aumenta la longitud del canal, la corriente que es capaz de manejar el FET aumenta o disminuye?

Para ver si aumenta o disminuye la corriente al aumentar la longitud del canal, vamos a observar las grficas para distintos valores de longitud manteniendo constante la anchura del canal.

Transistor WL W 2L W 10L

Intensidad Mxima 0.6 / 0.65 mA 0.35 / 0.4 mA 0.08 / 0.085 mA

Como podemos ver en los resultados obtenidos observando la grfica, cuando aumentamos la longitud del canal, DISMINUYE la corriente que pasa por el FET.

COMPORTAMIENTO DINMICO DEL MOS

Vamos a realizar la simulacin del comportamiento dinmico de los seis transistores que hemos creado en el apartado anterior, para ver las grficas de voltaje y tiempo y poderlos comparar.

Transistor NMOS 1 [W,L]

Transistor NMOS 2 [W,2L]

Transistor NMOS 3 [2W,L]

Transistor NMOS 4 [10W, 10L]

Transistor NMOS 5 [W, 10L]

Transistor NMOS 6 [10W,L]

Cuestiones

o Qu transistor tiene mejor respuesta, atendiendo al retardo, medido entre la seal aplicada en el drenador y la obtenida en la fuente?

Para ver qu transistor tiene mejor respuesta, vamos a hacer una tabla observando las grficas y buscaremos el transistor con el menor tiempo de respuesta.

Transistor NMOS 1 Transistor NMOS 2 Transistor NMOS 3 Transistor NMOS 4 Transistor NMOS 5 Transistor NMOS 6

Tiempo de Respuesta 1076 ps 1078 ps 1076 ps 1096 ps 1098 ps 1075 ps

Parmetros Transistor WL W 2L 2W L 10W 10L W 10L 10W L

Como podemos observar en la tabla, el parmetro que hace aumentar el tiempo de respuesta, es la longitud del canal (L), mientras que cuando aumentamos la anchura del canal (W), sin modificar la longitud, el tiempo de respuesta disminuye. Por lo tanto, el transistor con mejor respuesta es el transistor NMOS 6, con una anchura W = 9 m, y una longitud de canal L = 0.3 m.