«Мощные радиочастотные транзисторы и ...Joint Stock Company...
Transcript of «Мощные радиочастотные транзисторы и ...Joint Stock Company...
Докладчик: Грищенко Сергей Викторович
Воронеж 2018
«Мощные радиочастотные транзисторы и усилительные модули на их основе»
2 Joint Stock Company Scientific Research Institute of Electronic
Радиочастотное направление АО «НИИЭТ»
Мощные ВЧ и СВЧ транзисторы
Кремниевые биполярные
Кремниевые полевые
DMOS и LDMOS
GaN HEMT
(ТВПЭ)
Усилительные модули
В миниатюрном корпусе
Типа «Pallet»
В металлическом экранированном
корпусе
МИС СВЧ
3 Joint Stock Company Scientific Research Institute of Electronic
КОЭФФИЦИЕНТ УСИЛЕНИЯ МОЩНЫХ ВЧ И СВЧ ТРАНЗИСТОРОВ
0
5
10
15
20
25
30
БТ DMOS LDMOS GaN
Ко
эф
фи
ци
ент
уси
ле
ни
я,
дБ
Данные для частоты 500 МГц
4 Joint Stock Company Scientific Research Institute of Electronic
ПОЛОСА СОГЛАСОВАНИЯ МОЩНЫХ ВЧ И СВЧ ТРАНЗИСТОРОВ
0
1
2
3
4
5
6
7
БТ DMOS LDMOS GaN
Пол
оса
со
гла
со
ва
ни
я, ГГц
При допустимом уровне рассогласования с КСВН = 2
5 Joint Stock Company Scientific Research Institute of Electronic
КРЕМНИЕВЫЕ БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ
- Диапазон частот 200 – 1150 МГц
- Выходная мощность 0,5 – 500 Вт
- Коэффициент усиления 3 – 10 дБ
- КПД стока 35 – 60 %
- Напряжение питания 7,5; 12,5; 28; 50 В
6 Joint Stock Company Scientific Research Institute of Electronic
КРЕМНИЕВЫЕ ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ
- Диапазон частот 0 – 1600 МГц
- Выходная мощность 0,5 – 1200 Вт
- Коэффициент усиления 8,5 – 19 дБ
- КПД стока 40 – 65 %
- Напряжение питания 12,5; 28; 50 В
- Технология DMOS, LDMOS
7 Joint Stock Company Scientific Research Institute of Electronic
МУ-200
высоковольтный n-канальный полевой транзистор
- Максимально допустимое
постоянное напряжение сток-исток 800 В
- Импульсный ток стока 30 А
- Сопротивление сток-исток в
открытом состоянии 0,8 Ом
УМ в диапазоне до 1МГц
СДВ системы связи
8 Joint Stock Company Scientific Research Institute of Electronic
2П9111 - LDMOS ТРАНЗИСТОРЫ НОВОГО ПОКОЛЕНИЯ
- Диапазон частот 0 – 500 МГц
- Выходная мощность 80; 150; 250 Вт
- Коэффициент усиления 17; 16; 15 дБ
- КПД стока 65 %
- Напряжение питания 28 В
- Режим работы непрерывный
Аналог: BLF546, BLF647,
ф. AMPLEON, NXP
9 Joint Stock Company Scientific Research Institute of Electronic
2П9120 – СЕРИЯ СВЕРХМОЩНЫХ LDMOS ТРАНЗИСТОРОВ
- Диапазон частот 0 – 500 МГц
- Выходная мощность 500; 1000; 1200 Вт
- Коэффициент усиления 21; 18; 16 дБ
- КПД стока 45 %
- Напряжение питания 50 В
- Режим работы импульсный
Аналоги: BLF574, BLF578,
ф. AMPLEON, NXP
10 Joint Stock Company Scientific Research Institute of Electronic
2П9103 - LDMOS ТРАНЗИСТОРЫ НОВОГО ПОКОЛЕНИЯ
- Диапазон частот 0 – 860 МГц
- Выходная мощность (ПО) 10; 45; 75; 150; 300 Вт
- Коэффициент усиления 16 дБ
- КПД стока 40 %
- Напряжение питания 32 В
- Режим работы непрерывный
- Уровень комбинационных
составляющих ≤ - 25 дБ
Аналог: BLF2045, BLF861, BLF872,
ф. AMPLEON, NXP
11 Joint Stock Company Scientific Research Institute of Electronic
2П9123 ЛИНЕЙНЫЕ LDMOS ТРАНЗИСТОРЫ УВЧ-ДИАПАЗОНА
- Диапазон частот 0 – 860 МГц
- Выходная мощность (ПО) 0,5, 15, 100 Вт
- Коэффициент усиления 18; 15; 16 дБ
- Коэффициент полезного
действия 40 %
- Напряжение питания 28; 50 В
- Уровень комбинационных
составляющих ≤ - 30 дБ
- Режим работы двухтоновый
Аналог:BLF871, ф. NXP
12 Joint Stock Company Scientific Research Institute of Electronic
2П9133 ШИРОКОПОЛОСНЫЕ ИМПУЛЬСНЫЕ LDMOS ТРАНЗИСТОРЫ
L-ДИАПАЗОНА
Тип
транзистора
РВЫХ И,
Вт
fmin,
МГц
fmax,
МГц
КУР, дБ ηC, % UПИТ, В Тип корпуса
2П9133А 25 1200 1400 17 43 50 КТ-55С-1
2П9133Б 35 1200 1400 16 43 36 КТ-55С-1
2П9133В 50 1200 1400 16 43 50 КТ-55С-1
2П9133Г1 350 1200 1400 16 43 50 КТ-81B-1
2П9133ДС 500 1200 1400 16 43 50 КТ-103A-2
Режим работы импульсный (τи = 1 мс, Q = 10)
Аналоги: ф. NXP, AMPLEON, INTEGRA
13 Joint Stock Company Scientific Research Institute of Electronic
ОКР «ВОЛЬТ-И10»
«Комплект мощных ВЧ DMOS транзисторов непрерывного режима для работы
в ОВЧ диапазоне частот»
Тип
транзистора
РВЫХ,
Вт
Fтест,
МГц
КУР, дБ ηC, % UПИТ, В UСИ
max, В
Тип корпуса
2ПЕ226А 30 30 18 50 50 125 КТ-31А
2ПЕ310А 150 108 18 50 50 170 КТ-31В
2ПЕ311А 300 30 20 50 50 170 КТ-31С
2ПЕ311Б 400 30 19 50 50 170 КТ-31С
2ПЕ310Б 150 150 18 50 100 250 КТ-31В
Аналоги: ф. NXP, ST
14 Joint Stock Company Scientific Research Institute of Electronic
МОЩНЫЕ СВЧ НИТРИД ГАЛЛИЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ
Мощные импульсные GaN транзисторы
Тип
транзистора
РВЫХ,
Вт
fТЕСТ,
МГц
fmax,
МГц
КУР,
дБ
ηC, % UПИТ,
В
Тип корпуса
ТНГ270100-28 100 2700 3500 9 60 28 КТ-55C-1
ТНГ310100-50 100 3100 3500 11 50 50 КТ-55C-1
ТНГ400100-50 100 4000 4500 12 50 50 КТ-55C-1
Параметры радиоимпульса: (τи = 300 мкс, Q = 10)
15 Joint Stock Company Scientific Research Institute of Electronic
МОЩНЫЕ СВЧ НИТРИД ГАЛЛИЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ
Серия мощныx 28 В GaN транзисторов для непрерывного режима
Тип
транзистора
РВЫХ,
Вт
fТЕСТ,
МГц
fmax,
МГц
КУР, дБ ηC, % UПИТ, В Тип корпуса
ПП9136А 5 4000 6000 17,5 55 28 КТ-81С-1
ПП9137А 10 4000 6000 14 60 28 КТ-81С-1
ПП9138А 15 4000 6000 13 55 28 КТ-81С-1
ПП9138Б 25 4000 6000 11 52 28 КТ-81С-1
ПП9139А1 50 2900 4000 14 60 28 КТ-55C-1
16 Joint Stock Company Scientific Research Institute of Electronic
ОКР «Дискрет-39-Т»,
GaN транзисторы для L-, S-, C-, X- диапазонов частот (1)
Тип транзистора РВЫХ ,
Вт
fmin,
ГГц
fmax, ГГц
(fтест, ГГц)
КУР, дБ ηC, % UПИТ, В Тип корпуса
Тип 1 400* 0,5 1,6
(1,6) 12 60 50 КТ-81B-1
Тип 2-1 80 0,03 1,8
(1,7) 17 65 28 КТ-55С-1
Тип 2-2 60 0,03 3,1
(2,5) 15 65 28 КТ-55С-1
Тип 3-1 20 0,03 4,2
(4) 13 45 28 КТ-81С-1
Тип 3-2 2 0,03 4,2
(4) 13,5 45 28 КТ-81С-1
*Режим работы импульсный (τи = 1 мс, Q = 10)
Аналоги: ф. CREE, SUMITOMO, FUJITSU, INTEGRA, MICROSEMI
17 Joint Stock Company Scientific Research Institute of Electronic
ОКР «Дискрет-39-Т»,
GaN транзисторы для L-, S-, C-, X- диапазонов частот (2)
Тип транзистора РВЫХ ,
Вт
fmin,
ГГц
fmax, ГГц
(fтест, ГГц)
КУР, дБ ηC, % UПИТ, В Тип корпуса
Тип 4-1 5 7,7 8,7
(7,7 - 8,7) 13 30 28 КТ-81С-1
Тип 4-2 30 7,7 8,7
(7,7 - 8,7) 12 30 28 QF253
Тип 5-1 0,5 0,03 12
(12) 6 20 28 QF062
Тип 5-2 0,12 0,03 12
(12) 7 20 28 QF062
18 Joint Stock Company Scientific Research Institute of Electronic
ОКР «Дискрет-39-Т»,
GaN транзисторы для L-, S-, C-, X- диапазонов частот (3)
Тип транзистора РВЫХ,
Вт
fmin,
ГГц
fmax, ГГц
(fтест, ГГц)
КУР, дБ ηC, % UПИТ, В Тип корпуса
Тип 6 5 0,03 6
(4) 13 45 28 КТ-81С-1
Тип 7 10 0,03 6
(4) 10 45 28 КТ-81С-1
Тип 8 15 0,03 6
(4) 10 45 28 КТ-81С-1
Тип 9 25 0,03 6
(4) 9 45 28 КТ-81С-1
Тип 10 100 0,03 2,5
(1,5) 13 45 28 КТ-55С-1
Аналоги: ф. CREE, SUMITOMO, FUJITSU, INTEGRA, MICROSEMI
19 Joint Stock Company Scientific Research Institute of Electronic
ОКР «Дискрет-40»,
Импульсные биполярные СВЧ транзисторы L- диапазона частот
Тип транзистора РВЫХ И,
Вт
fmin,
ГГц
fmax, ГГц КУР, дБ ηC, % UПИТ, В Тип корпуса
Тип 1 15 1,45 1,55 10 35 50 Тип 1
Тип 2 110 1,45 1,55 9 45 50 Тип 2
Тип 3 650 1,45 1,55 8 40 50 Тип 3
Тип 4 20 1,03 1,09 12 45 50 Тип 1
Тип 5 140 1,03 1,09 10 50 50 Тип 2
Тип 6
800 1,03 1,09 8 50 50 Тип 3
Аналоги: ф. INTEGRA
20 Joint Stock Company Scientific Research Institute of Electronic
СТЕНД ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ S-ПАРАМЕТРОВ И ОПТИМАЛЬНЫХ
ИМПЕДАНСОВ
ИСТОЧНИКА И НАГРУЗКИ СВЧ ТРАНЗИСТОРОВ
- Диапазон частот 230 – 6000 МГц
- Выходная мощность ≤ 400Вт
- КСВН 1:25
- Режим работы импульсный
непрерывный
21 Joint Stock Company Scientific Research Institute of Electronic
УНГ20С2560 – Интегральный усилительный модуль на базе МИС СВЧ
22 Joint Stock Company Scientific Research Institute of Electronic
УСИЛИТЕЛЬНЫЕ МОДУЛИ
УСИЛИТЕЛИ МОЩНОСТИ В МИНИАТЮРНОМ КОРПУСЕ
- Диапазон частот 1,5 – 1215 МГц
- Выходная мощность 1 – 100 Вт
- Входная мощность 1 – 100 мВт
- Напряжение питания 7,5; 12,5; 28; 50 В
- Корпуса К-1 - 14×42×6 мм
К-2 - 20×67×9 мм
23 Joint Stock Company Scientific Research Institute of Electronic
УМ135-3 - СВЕРХШИРОКОПОЛОСНЫЙ МОДУЛЬ УМ
- Рабочий диапазон частот 1,5 – 520 МГц
- Выходная мощность 5 Вт
- Входная мощность 20 мВт
- Напряжение питания 28 В
- Уровень комбинационных
составляющих ≤ - 30 дБ
- Корпус К2 - 20×67×9
мм
24 Joint Stock Company Scientific Research Institute of Electronic
УСИЛИТЕЛИ МОЩНОСТИ В МИНИАТЮРНОМ КОРПУСЕ
на
GaN транзисторах
УМ140-12
- Диапазон частот 960 – 1215 МГц
- Импульсная выходная мощность 100 Вт
- τи=10мкс, Q=10
- Коэффициент усиления 30дБ
- Напряжение питания 50 В
- Корпус К-2В - 20×67×9 мм
25 Joint Stock Company Scientific Research Institute of Electronic
М44265, М44266 - ИМПУЛЬСНЫЕ УСИЛИТЕЛИ МОЩНОСТИ (ПАЛЛЕТ)
S-ДИАПАЗОНА
- Полоса частот 2,7 – 3,1 ГГц
- Выходная мощность 300; 80 Вт
- Коэффициент усиления 8;10 дБ
- Напряжение питания 35 В
- Коэффициент полезного
действия 30 %
- Режим работы импульсный
τи = 500мкс
Q = 10
26 Joint Stock Company Scientific Research Institute of Electronic
М421354 - УСИЛИТЕЛИ МОЩНОСТИ (ПАЛЛЕТ) НЕПРЕРЫВНОГО РЕЖИМА
ВЧ-ДИАПАЗОНА
- Полоса частот 1,5 – 30 МГц
- Выходная мощность 1000 Вт
- Коэффициент усиления 20 дБ
- Напряжение питания 50 В
- Коэффициент полезного
действия 50 %
- Уровень комбинационных
составляющих ≤ - 25 дБ
- Режим работы непрерывный
27 Joint Stock Company Scientific Research Institute of Electronic
УМП00130-300 - УСИЛИТЕЛИ МОЩНОСТИ (ПАЛЛЕТ) НЕПРЕРЫВНОГО
РЕЖИМА
ВЧ-ДИАПАЗОНА
- Полоса частот 1,5 – 30 МГц
- Выходная мощность 300 Вт
- Коэффициент усиления 27 дБ
- Напряжение питания 50 В
- Коэффициент полезного
действия 50 %
- Уровень комбинационных
составляющих ≤ - 25 дБ
- Режим работы непрерывный
28 Joint Stock Company Scientific Research Institute of Electronic
УМП3570-130 – УСИЛИТЕЛИ МОЩНОСТИ (ПАЛЛЕТ) НЕПРЕРЫВНОГО
РЕЖИМА ОВЧ-ДИАПАЗОНА
- Полоса частот 35 – 70 МГц
- Выходная мощность 130 Вт
- Входная мощность 20 мВт
- Напряжение питания 28 В
- Коэффициент полезного
действия 50 %
- Режим работы непрерывный
29 Joint Stock Company Scientific Research Institute of Electronic
УМП148-2к – ИМПУЛЬСНЫЙ УСИЛИТЕЛЬ МОЩНОСТИ (ПАЛЛЕТ)
ОВЧ-ДИАПАЗОНА
- Рабочая частота 148,5 МГц
- Выходная мощность 2000 Вт
- Коэффициент усиления 20 дБ
- Напряжение питания 50 В
- Коэффициент полезного
действия 40 %
- Режим работы импульсный
τ =120мкс,
Q =500
30 Joint Stock Company Scientific Research Institute of Electronic
ИМПУЛЬСНЫЙ УСИЛИТЕЛЬ МОЩНОСТИ УМ-15К
- Рабочая частота 148,5 МГц
- Выходная мощность 15 кВт
- Коэффициент усиления 17 дБ
- Напряжение питания 220 В -50Гц
- Габариты 500 х 550 х 450 мм
- Режим работы импульсный
τ =120мкс,
Q =500
31 Joint Stock Company Scientific Research Institute of Electronic
ИМПУЛЬСНЫЙ УСИЛИТЕЛЬ МОЩНОСТИ В ЭКРАНИРОВАННОМ КОРПУСЕ
L-ДИАПАЗОНА
- Выходная мощность 1000 Вт
- Коэффициент усиления 50 дБ
- Напряжение питания 50 В
- Коэффициент полезного
действия 45 %
32 Joint Stock Company Scientific Research Institute of Electronic
ИМПУЛЬСНЫЕ УСИЛИТЕЛЬНЫЕ МОДУЛИ СВЧ В ГЕРМЕТИЧНОМ
ЭКРАНИРОВАННОМ КОРПУСЕ L-ДИАПАЗОНА
- Выходная мощность 100 Вт
- Коэффициент усиления 21 дБ
- Напряжение питания 50 В
- Коэффициент полезного
действия 30 %
33
АО «Росэлектроника»
121059, Россия г. Москва
Бережковская наб., д. 38, стр.1
Тел.: +7 (495) 777-42-82
Факс: +7 (495) 708-23-16
E-mail: [email protected]
АО «Росэлектроника»
121059, Россия г. Москва
Бережковская наб., д. 38, стр.1
Тел.: +7 (495) 777-42-82
Факс: +7 (495) 708-23-16
E-mail: [email protected]