NJG1187KG1NJG1187KG1 Ver.2020. 12. 8 - 3 - Û電気的特性1 (DC特性) 共通条件: Ta = +25 C ,...

NJG1187KG1

- 1 - Ver.2021.2.8 www.njr.co.jp

GNSS 高利得 LNA ■特長 ■概要 ■アプリケーション ■ブロック図（ESON6-G1） ■端子配置 (Top view)

● 動作電圧 1.5~3.7 V ● 低動作電流 8 mA typ. @ VDD = 3.3 V ● 高利得

34 dB typ. @ L1 バンド, VDD = 3.3 V 37 dB typ. @ L2/5 バンド, VDD = 3.3 V 36 dB typ. @ L6 バンド, VDD = 3.3 V

● 低雑音指数 0.6 dB typ. @ L1 バンド, VDD = 3.3 V 0.65 dB typ. @ L2/5/6 バンド, VDD = 3.3 V ● 小型パッケージ 1.6 mm x 1.6 mm x 0.397 mm typ. ● RoHS 対応、ハロゲンフリー、MSL1

NJG1187KG1 は高利得を特長とした GNSS 用の低雑音増幅器（LNA）です。

本製品は外部回路の定数を変更することで、L1 バンド（1.5 GHz 帯）または L2/5/6 バンド（1.1~1.2 GHz 帯）で使用可能です。また、雑音指数への影響を抑えて高い減

衰特性を実現可能な構成として、LNA の段間にフィルターを配置することも可能です。

本製品は-40~+105℃までの広い温度範囲で使用可能です。全端子に内蔵した ESD 保護素子により高 ESD 耐圧を有します。

小型・薄型 ESON6-G1 パッケージを採用しています。

● GNSS 受信用途 ● アクティブアンテナ、ドライブレコーダ、カーナビゲーション ● GNSS モジュール

番号端子名機能 1 RFIN1 初段アンプ RF 信号入力端子 2 GND 接地端子

3 RFOUT1 初段アンプ RF 信号出力および電源電圧供給端子

4 RFIN2 2 段目アンプ RF 信号入力端子 5 GND 接地端子

6 RFOUT2 2 段目アンプ RF 信号出力および電源電圧供給端子

Exposed pad

- 接地端子

NJG1187KG1


■品名の付け方

NJG1187 KG1 (TE3) | | ┖---┒

品名パッケージテーピング仕様 ■オーダーインフォメーション

製品名パッケージ RoHS Halogen- Free めっき組成マーキング製品重量

(mg) 最低発注数量

(pcs)

NJG1187KG1 ESON6-G1 Yes Yes Sn-Bi 1187 3.5 3,000

■絶対最大定格

Ta = +25°C, Zs = Zl = 50 項目記号定格単位

電源電圧 VDD 5.0 V 入力電力 PIN(1) +15 dBm 消費電力 PD (2) 1200 mW 動作温度 Topr -40 ~ +105 °C 保存温度 Tstg -40 ~ +150 °C

(1): VDD = 3.3 V (2): 4 層 (101.5 x 114.5 mm、スルーホール有)、FR4 基板実装時、Tj = 150°C ■ディレーティングカーブ

下記の消費電力－周囲温度特性例を御参考ください。（面実装パッケージは消費電力（PD）の最大定格が少ない為、熱設計に注意して御利用ください。）

消費電力－周囲温度特性例基板実装時

-40 -25 0 25 50 75 100 105

0

200

400

600

800

1000

1200

1400

1600

1800

2000

消費電力

周囲温度 Ta[℃]

PD[mW]

NJG1187KG1


■電気的特性 1 (DC 特性) 共通条件: Ta = +25°C, 指定の外部回路による

項目記号条件最小標準最大単位電源電圧 VDD 1.5 3.3 3.7 V 動作電流 IDD RF OFF, VDD = 3.3 V - 8.0 13.0 mA

■電気的特性 2 (RF 特性)

共通条件: VDD = 3.3 V, fRF = 1559~1610 MHz, Ta = +25°C, Zs = Zl = 50 , 指定の外部回路による項目記号条件最小標準最大単位

小信号利得 Gain f = 1575 MHz (L1バンド) 基板、コネクタ損失除く (0.15 dB)

30.0 34.0 38.0 dB

雑音指数 NF f = 1575 MHz (L1 バンド) 基板、コネクタ損失除く (0.08 dB)

- 0.60 0.95 dB

アイソレーション ISL f = 1575 MHz (L1 バンド) 50 57 - dB 1 dB 利得圧縮時出力電力

P-1dB(OUT) f = 1575 MHz (L1 バンド) +7 +13 - dBm

出力 3 次インターセプトポイント

OIP3 f1= 1575 MHz, f2 = f1 + 1 MHz, PIN = -42 dBm

+12 +17 - dBm

入力リターンロス RLi f = 1575 MHz (L1 バンド) 7 11 - dB 出力リターンロス RLo f = 1575 MHz (L1 バンド) 7 13 - dB k ファクタ k f = 50 MHz ~ 10 GHz 1.0 - - -

NJG1187KG1


■電気的特性 3 (RF 特性) 共通条件: VDD = 3.3 V, fRF = 1164~1300 MHz, Ta = +25°C, Zs = Zl = 50 , 指定の外部回路による

項目記号条件最小標準最大単位

小信号利得 Gain

f = 1176 MHz (L5バンド) 基板、コネクタ損失除く (0.10 dB)

33.0 37.0 42.0

dB f = 1227 MHz (L2バンド) 基板、コネクタ損失除く (0.10 dB)

33.0 37.0 42.0


31.0 36.0 40.0

雑音指数 NF


- 0.65 0.95

dB f = 1227 MHz (L2バンド) 基板、コネクタ損失除く (0.06 dB)

- 0.65 0.95

f = 1278 MHz (L6 バンド) 基板、コネクタ損失除く (0.06 dB)

- 0.65 0.95

アイソレーション ISL f = 1176 MHz (L5 バンド) 45 55 -

dB f = 1227 MHz (L2 バンド) 45 55 - f = 1278 MHz (L6 バンド) 45 55 -

1 dB 利得圧縮時出力電力

P-1dB(OUT) f = 1176 MHz (L5 バンド) +7 +12 -

dBm f = 1227 MHz (L2 バンド) +7 +12 - f = 1278 MHz (L6 バンド) +7 +12 -

出力 3 次インターセプトポイント

OIP3

f1= 1176 MHz, f2 = f1 + 1 MHz, PIN = -42 dBm

+13 +19 -

dBm f1= 1227 MHz, f2 = f1 + 1 MHz, PIN = -42 dBm

+15 +20 -

f1= 1278 MHz, f2 = f1 + 1 MHz, PIN = -42 dBm

+15 +20 -

入力リターンロス RLi f = 1176 MHz (L5 バンド) 7 15 -


出力リターンロス RLo f = 1176 MHz (L5 バンド) 7 15 -


k ファクタ k f = 50 MHz ~ 10 GHz 1.0 - - -

NJG1187KG1


■特性例 (L1 バンドアプリケーション) 条件: VDD = 3.3 V, Ta = +25°C, Zs = Zl = 50 , 指定の外部回路による

0

10

20

30

40

20

25

30

35

40

-50 -40 -30 -20 -10

I DD(m

A)

Gai

n (d

B)

Pin (dBm)

Gain,IDD vs. Pin(VDD=3.3V, f=1575MHz)

P-1dB(IN)=-20dBm

Gain

IDD

0

1

2

3

4

20

25

30

35

40

1550 1570 1590 1610 1630

NF

(dB

)

Gai

n (d

B)

Frequency (MHz)

Gain, NF vs. Frequency(VDD=3.3V)

NF

Gain

1575MHz

(Exclude PCB, Connector losses)

-100

-80

-60

-40

-20

0

20

40

-50 -40 -30 -20 -10

Pout

, IM

3 (d

Bm

)

Pin (dBm)

Pout, IM3 vs. Pin(VDD=3.3V, f1=1575MHz, f2=f1+1MHz)

IM3

Pout

OIP3=+17dBm

IIP3=-16.7dBm

0

2

46

8

10

1214

16

18

20

0 5000 10000 15000 20000

K fa

ctor

frequency (MHz)

K factor vs. frequency(VDD=3.3V)

-20

-10

0

10

20

-50 -40 -30 -20 -10

Pout

(dB

m)

Pin (dBm)

Pout vs. Pin(VDD=3.3V, f=1575MHz)

P-1dB(IN)=-20dBm

P-1dB(OUT)=+12.8dBm

NJG1187KG1


■特性例 (L1 バンドアプリケーション) 条件: VDD = 3.3 V, fRF = 50 MHz ~ 3 GHz, Ta = +25°C, Zs = Zl = 50 , 指定の外部回路による

-25-20-15-10

-505

10152025

0 1000 2000 3000

S11

(dB

)

frequency (MHz)

S11 vs. frequency(VDD=3.3V)

1575MHz

-40

-30

-20

-10

0

10

20

30

40

50

0 1000 2000 3000S2

1 (d

B)

frequency (MHz)


1575MHz

-25-20-15-10

-505

10152025

0 1000 2000 3000

S22

(dB

)

frequency (MHz)


1575MHz

-80

-70

-60

-50

-40

-30

-20

-10

0

0 1000 2000 3000

S12

(dB

)

frequency (MHz)


1575MHz

NJG1187KG1


■特性例 (L1 バンドアプリケーション) 条件: VDD = 3.3 V, fRF = 50 MHz ~ 20 GHz, Ta = +25°C, Zs = Zl = 50 , 指定の外部回路による

-25

-20-15

-10-5

0

510

15

2025

0 5000 10000 15000 20000

S11

(dB

)

frequency (MHz)


-25

-20

-15-10

-5

05

1015

20

25

0 5000 10000 15000 20000

S22

(dB

)

frequency (MHz)


-60

-40

-20

0

20

40

60

0 5000 10000 15000 20000S2

1 (d

B)

frequency (MHz)


-80

-70

-60

-50

-40

-30

-20

-10

0

0 5000 10000 15000 20000

S12

(dB

)

frequency (MHz)


NJG1187KG1


■特性例 (L1 バンドアプリケーション) 条件: Ta = +25°C, Zs = Zl = 50 , 指定の外部回路による

0

20

40

60

80

1 1.5 2 2.5 3 3.5 4Is

olat

ion

(dB

)VDD(V)

Isolation vs. VDD(fRF=1575MHz)

0123456789

10

1 1.5 2 2.5 3 3.5 4

I DD(m

A)

VDD(V)

IDD vs. VDD(Ta=25oC, RF OFF)

-10

-5

0

5

10

15

20

1 1.5 2 2.5 3 3.5 4

P-1d

B(O

UT)(d

Bm

)

VDD(V)

P-1dB(OUT) vs. VDD(f=1575MHz)

-30

-20

-10

0

10

20

30

1 1.5 2 2.5 3 3.5 4

OIP

3, II

P3 (d

Bm

)

VDD(V)

OIP3, IIP3 vs. VDD(f1=1575MHz, f2=f1+1MHz,Pin=-42dBm)

IIP3

OIP3

0

1

2

3

4

20

25

30

35

40

1 1.5 2 2.5 3 3.5 4

Noi

se F

igur

e (d

B)

Gai

n (d

B)

VDD(V)

Gain, NF vs. VDD(fRF=1575MHz)

Gain

NF

Exclude PCB, connector losses

0

5

10

15

20

25

30

1 1.5 2 2.5 3 3.5 4

Ret

urn

Loss

(dB

)

VDD(V)

Return Loss vs. VDD(fRF=1575MHz)

RLin

RLout

NJG1187KG1


■特性例 (L1 バンドアプリケーション) 条件: VDD = 3.3 V, Zs = Zl = 50 , 指定の外部回路による

-10

-5

0

5

10

15

20

-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120

P-1d

B(O

UT)

(dB

m)

Temperature(℃)

P-1dB(OUT) vs. Temperature(VDD=3.3V, fRF=1575MHz)

-30

-20

-10

0

10

20

30

-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120

OIP

3, II

P3 (d

Bm

)

Temperature(℃)

OIP3, IIP3 vs. Temperature(VDD=3.3V, f1=1575MHz, f2=f1+1MHz)

OIP3

IIP3

0

1

2

3

4

20

25

30

35

40

-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120

NF

(dB

)

Gai

n (d

B)

Temperature(℃)

Gain, NF vs. Temperature(VDD=3.3V, fRF=1575MHz)

Gain

NF

Exclude PCB, connector losses0

20

40

60

80

-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120Is

olat

ion

(dB

)

Temperature(℃)

Isolation vs. Temperature(VDD=3.3V, fRF=1575MHz)

0

5

10

15

20

25

30

-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120

Ret

urn

Loss

(dB

)

Temperature(℃)

Return Loss vs. Temperature(VDD=3.3V, fRF=1575MHz)

RLin

RLout

0123456789

10

-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120

I DD(m

A)

Temperature(℃)

IDD vs. Temperature(VDD=3.3V, RF OFF)

NJG1187KG1

- 10 - Ver.2021.2.8 www.njr.co.jp

■特性例 (L2/5/6 バンドアプリケーション) 条件: VDD = 3.3 V, Ta = +25°C, Zs = Zl = 50 , 指定の外部回路による

0

2

46

8

10

1214

16

18

20

0 5000 10000 15000 20000

K fa

ctor

frequency (MHz)

K factor vs. frequency(VDD=3.3V)

-100

-80

-60

-40

-20

0

20

40

-50 -40 -30 -20 -10

Pout

, IM

3 (d

Bm

)

Pin (dBm)

Pout, IM3 vs. Pin

Pout (L5)Pout (L2)Pout (L6)IM3 (L5)IM3 (L2)IM3 (L6)

(VDD=3.3V, f1=1176,1227,1278MHz, f2=f1+1MHz)

Pout

IM3

L2,L6: OIP3=+21.7dBmL5: OIP3=+19.8dBm

L6: IIP3=-14.4dBmL2: IIP3=-16dBmL5: IIP3=-18.3dBm

0

10

20

30

40

20

25

30

35

40

-50 -40 -30 -20 -10

I DD(m

A)

Gai

n (d

B)

Pin (dBm)

Gain, IDD vs. Pin

Gain (L5)Gain (L2)Gain (L6)IDD

L5: P-1dB(IN)=-25.1dBm

(VDD=3.3V, f=1176,1227,1278MHz)

Gain

L2: P-1dB(IN)=-24.6dBmL6: P-1dB(IN)=-23.3dBm

IDD

0

1

2

3

4

20

25

30

35

40

1100 1150 1200 1250 1300 1350

NF

(dB

)

Gai

n (d

B)

frequency (MHz)

Gain, NF vs. frequency

L5L2L6

(VDD=3.3V)

Gain

NF

(Exclude PCB, connector losses)

-20

-10

0

10

20

-50 -40 -30 -20 -10

Pout

(dB

m)

Pin (dBm)

Pout vs. Pin

L5L2L6

L5,L2: P-1dB(OUT)=-12.0dBmL6: P-1dB(OUT)=-11.8dBm

(VDD=3.3V, f=1176,1227,1278MHz)

NJG1187KG1

- 11 - Ver.2021.2.8 www.njr.co.jp

■特性例 (L2/5/6 バンドアプリケーション) 条件: VDD = 3.3 V, fRF = 50 MHz ~ 3 GHz, Ta = +25°C, Zs = Zl = 50 , 指定の外部回路による

-25-20-15-10

-505

10152025

0 1000 2000 3000

S11

(dB

)

frequency (MHz)

S11 vs. frequency

L5

L2

L6

(VDD=3.3V)

-40

-30

-20

-10

0

10

20

30

40

50

0 1000 2000 3000S2

1 (d

B)

frequency (MHz)

S21 vs. frequency

L5L2L6

(VDD=3.3V)

-25-20-15-10

-505

10152025

0 1000 2000 3000

S22

(dB

)

frequency (MHz)

S22 vs. frequency

L5

L2

L6

(VDD=3.3V)

-80

-70

-60

-50

-40

-30

-20

-10

0

0 1000 2000 3000

S12

(dB

)

frequency (MHz)

S12 vs. frequency

L5

L2

L6

(VDD=3.3V)

NJG1187KG1

- 12 - Ver.2021.2.8 www.njr.co.jp

■特性例 (L2/5/6 バンドアプリケーション) 条件: VDD = 3.3 V, fRF = 50 MHz ~ 20 GHz, Ta = +25°C, Zs = Zl = 50 , 指定の外部回路による

-25

-20-15

-10-5

0

510

15

2025

0 5000 10000 15000 20000

S11

(dB

)

frequency (MHz)


-25

-20

-15-10

-5

05

1015

20

25

0 5000 10000 15000 20000

S22

(dB

)

frequency (MHz)


-60

-40

-20

0

20

40

60

0 5000 10000 15000 20000S2

1 (d

B)

frequency (MHz)


-80

-70

-60

-50

-40

-30

-20

-10

0

0 5000 10000 15000 20000

S12

(dB

)

frequency (MHz)


NJG1187KG1

- 13 - Ver.2021.2.8 www.njr.co.jp

■特性例 (L2/5/6 バンドアプリケーション) 条件: Ta = +25°C, Zs = Zl = 50 , 指定の外部回路による

0

20

40

60

80

1 1.5 2 2.5 3 3.5 4Is

olat

ion

(dB

)VDD(V)

Isolation vs. VDD

L5L2L6

(fRF=1176,1227,1278MHz)

0

5

10

15

20

25

30

1 1.5 2 2.5 3 3.5 4

Ret

urn

Loss

(dB

)

VDD(V)

RF IN Return Loss vs. VDD

L5L2L6

(fRF=1176,1227,1278MHz)

0

5

10

15

20

25

30

1 1.5 2 2.5 3 3.5 4

Ret

urn

Loss

(dB

)

VDD(V)

RF OUT Return Loss vs. VDD

L5L2L6

(fRF=1176,1227,1278MHz)

0

1

2

3

4

20

25

30

35

40

1 1.5 2 2.5 3 3.5 4

Noi

se F

igur

e (d

B)

Gai

n (d

B)

VDD(V)

Gain, NF vs. VDD

Gain (L5)Gain (L2)Gain (L6)NF (L5)NF (L2)NF (L6)

(fRF=1176,1227,1278MHz)

Gain

NF


-10

-5

0

5

10

15

20

1 1.5 2 2.5 3 3.5 4

P-1d

B(O

UT)

(dB

m)

VDD(V)

P-1dB(OUT) vs. VDD

L5L2L6

(f=1176,1227,1278MHz)

-30

-20

-10

0

10

20

30

1 1.5 2 2.5 3 3.5 4

OIP

3, II

P3 (d

Bm

)

VDD(V)

OIP3, IIP3 vs. VDD

OIP3 (L5)OIP3 (L2)OIP3 (L6)IIP3 (L5)IIP3 (L2)IIP3 (L6)

(f1=1176,1227, 1278MHz, f2=f1+1MHz,Pin=-42dBm)

IIP3

OIP3

NJG1187KG1

- 14 - Ver.2021.2.8 www.njr.co.jp

■特性例 (L2/5/6 バンドアプリケーション) 条件: VDD = 3.3 V, Zs = Zl = 50 , 指定の外部回路による

-10

-5

0

5

10

15

20

-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120

P-1d

B(O

UT)

(dB

m)

Temperature(℃)

P-1dB(OUT) vs. Temperature(VDD=3.3V, fRF=1227MHz)

-30

-20

-10

0

10

20

30

-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120

OIP

3, II

P3 (d

Bm

)

Temperature(℃)

OIP3, IIP3 vs. Temperature(VDD=3.3V, f1=1227MHz, f2=f1+1MHz)

OIP3

IIP3

0

20

40

60

80

-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120Is

olat

ion

(dB

)Temperature(℃)

Isolation vs. Temperature(VDD=3.3V, fRF=1227MHz)

0

5

10

15

20

25

30

-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120

Ret

urn

Loss

(dB

)

Temperature(℃)

Return Loss vs. Temperature(VDD=3.3V, fRF=1227MHz)

RLin

RLout

0

1

2

3

4

25

30

35

40

45

-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120

NF

(dB

)

Gai

n (d

B)

Temperature(℃)

Gain, NF vs. Temperature(VDD=3.3V, fRF=1227MHz)

Gain

NF


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■外部回路図 (Top view)

番号定数

備考 1559~1610 MHz (L1バンド)

1164~1300 MHz (L2/5/6バンド)

L1 10 nH 16 nH LQW15AN_00 Series (Murata) L2 4.7 nH 8.2 nH

LQP03TN_02 Series (Murata) L3 6.8 nH 9.1 nH L4 27 nH 12 nH C1 3.3 pF 2.2 pF

GRM03 Series (Murata) C2 1000 pF 1000 pF C3 18 pF 18 pF C4 1000 pF 1000 pF R1 180 180 0603 size

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■基板実装図

デバイス使用上の注意 • 外部素子は IC に極力近づけるように配置してください • RF 特性を損なわないため、グランド用スルーホールを GND 端子のできるだけ近傍に配置してください

基板情報基板材質: FR-4 基板厚: 0.2 mm マイクロストリップライン幅: 0.4 mm (Z0 = 50 ) 基板サイズ: 14.0 mm x 14.0 mm

スルーホール直径= 0.2 mm

パッケージ端子

PCB パターン

パッケージ外形

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■推奨フットパターン (ESON6-G1) : Land : Mask (Open area) *Metal mask thickness : 100m : Resist (Open area)

PKG: 1.6 mm x 1.6 mm Pin pitch: 0.5 mm

Units: mm

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■NF 測定ブロックダイアグラム

使用測定器 NF アナライザ : Keysight N8975A

ノイズソース : Keysight N4000A NF アナライザ設定

Measurement mode form

Device under test : Amplifier

System downconverter : off

Mode setup form

Sideband : LSB

Averages : 8

Average mode : Point

Bandwidth : 4 MHz

Loss comp : off

Tcold : Auto

キャリブレーション時

Noise Source (Keysight N4000A)

NF Analyzer (Keysight N8975A)

Input (50) Noise Source Drive Output

* 測定精度向上のため、プリアンプ

を使用

* ノイズソース、プリアンプ、NF

アナライザは直接接続

Preamplifier AVAGO

VMMK-2103 Gain 15 dB NF 2.0 dB

NF 測定時

Noise Source (Keysight N4000A)

DUT

NF Analyzer (Keysight N8975A)

Input (50) Noise Source Drive Output IN OUT

* ノイズソース、DUT、プリアンプ、

NF アナライザは直接接続

Preamplifier AVAGO

VMMK-2103 Gain 15 dB NF 2.0 dB

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■パッケージ外形図 (ESON6-G1)

NJG1187KG1

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■包装仕様テーピング寸法

Feed direction

A

BW1

P2 P0

P1

φD0

EF

W

T

T2φD1

SYMBOL

A

B

D0

D1

E

F

P0

P1

P2

T

T2

W

W1

DIMENSION

1.85±0.05

1.85±0.05

1.5

0.5±0.1

1.75±0.1

3.5±0.05

4.0±0.1

4.0±0.1

2.0±0.05

0.25±0.05

0.65±0.05

8.0±0.2

5.5

REMARKS

BOTTOM DIMENSION

BOTTOM DIMENSION

THICKNESS 0.1max

+0.10

リール寸法

A

E

C D

B

W1

W

SYMBOL

A

B

C

D

E

W

W1

DIMENSION

φ180

φ 60

φ 13±0.2

φ 21±0.8

2±0.5

9

1.2

0-1.5+10

0+0.3

テーピング状態

more than 40 pitch 3000pcs/reel

Empty tape

more than 25 pitch

Covering tape

reel more than 1 round

Sealing with covering tape

Feed direction

Devices Empty tape

梱包状態

Insert direction

(TE3)

Label

Put a reel into a box

Label

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【注意事項】

１．当社は、製品の品質、信頼性の向上に努めておりますが、半導体製品はある確率で故障が発生することがあります。当社半導

体製品の故障により結果として、人身事故、火災事故、社会的な損害等を生じさせることのないように、お客様の責任において

フェールセーフ設計、冗長設計、延焼対策設計、誤動作防止設計等の安全設計を行い、機器の安全性の確保に十分留意され

ますようお願いします。２．このデータシートの掲載内容の正確さには万全を期しておりますが、掲載内容について何らかの法的な保証を行うものではあ

りません。とくに応用回路については、製品の代表的な応用例を説明するためのものです。また、産業財産権その他の権利の

実施権の許諾を伴うものではなく、第三者の権利を侵害しないことを保証するものでもありません。このデータシートに記載されている商標は、各社に帰属します。

３．このデータシートに掲載されている製品を、特に高度の信頼性が要求される下記の機器にご使用になる場合は、必ず事前に

当社営業窓口までご相談願います。 (ア) 航空宇宙機器 (イ) 海底機器 (ウ) 発電制御機器 (原子力、火力、水力等) (エ) 生命維持に関する医療装置 (オ) 防災 / 防犯装置 (カ) 輸送機器 (飛行機、鉄道、船舶等) (キ) 各種安全装置

４．このデータシートに掲載されている製品の仕様を逸脱した条件でご使用になりますと、製品の劣化、破壊等を招くことがありま

すので、なさらないように願います。仕様を逸脱した条件でご使用になられた結果、人身事故、火災事故、社会的な損害等を生

じた場合、当社は一切その責任を負いません。

５．ガリウムヒ素（GaAs）製品取り扱い上の注意事項（対象製品：GaAs MMIC、フォトリフレクタ）上記対象製品は、法令で指定された有害物のガリウムヒ素（GaAs）を使用しております。危険防止のため、製品を焼いたり、砕いたり、化学処理を行い気体や粉末にしないでください。廃棄する場合は関連法規に従い、一般産業廃棄物や家庭ゴミとは混

ぜないでください。６．このデータシートに掲載されている製品の仕様等は、予告なく変更することがあります。ご使用にあたっては、納入仕様書の取

り交わしが必要です。

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