Modelos equivalentes de pequeña señal de los transistores fet
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Modelos equivalentes de pequeña señal de los transistores
Ing. Hugo Fdo. Velasco Peña
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Introducción
El circuito equivalente de pequeña señal de un transistor FET se puede obtener por métodos análogos a los utilizados en transistores bipolares.
Sin embargo, al ser dispositivos controlados por tensión, el modelo bipuerta más adecuado es el de parámetros {Y}, ya que relacionan las corrientes de salida con tensiones de entrada.
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Introducción
La figura 2.17 representa el modelo de pequeña señal de un FET constituido por dos parámetros: gm, o factor de admitancia, y rd, o resistencia de salida o resistencia de drenador. Esta notación es la más extendida para describir estos parámetros, aunque algunos fabricantes utilizan la notación en parámetros {Y} o {G}, denominando yfs o gfs a gm, e yos−1 o gos−1 o ross a rd.
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Introducción
Estos parámetros dependen de la corriente de polarización del transistor (ID), y el fabricante proporciona las curvas que permiten extraer sus valores en diferentes condiciones de polarización. A continuación se describe con más detalle los paráetros gm y rd.
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FACTOR DE ADMITANCIA gm
Se define este parámetro como
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gm en JFET
En un JFET, gm se puede extraer a partir de la ecuación analítica del transistor en la región de saturación que relaciona la ID con la VGS, definida por
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gm en JFET
gm es un parámetro definido por cociente de incrementos que se pueden aproximar por derivadas, de forma que aplicando esta definición a la ecuación de ID y resolviendo se obtiene que
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gm en MOSFET
En un transistor MOS, cuya ecuación analítica en la región de saturación es
gm se puede expresar mediante la siguiente ecuación
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RESISTENCIA DE SALIDA O DE DRENADOR rd.
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FACTOR DE AMPLIFICACIÓN μ
Relaciona los parámetros gm y rd de la siguiente manera
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AMPLIFICADORES MULTIETAPA
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