MODELO Q Célula Tándem de Silicio€¦ · Q110, Q112.5, Q115, Q117.5, Q120 Célula Tándem de...

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Sunfilm AG Sunfilmstraße 8 01900 Großröhrsdorf Germany Tel: +49 (0)35952 280 - 0 Fax: +49 (0)35952 280 - 1070 E-Mail: info@sunfilm.com Web: www.sunfilm.com MODELO Q Célula Tándem de Silicio Categoría de potencia 110, 112.5, 115, 117.5, 120

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Page 1: MODELO Q Célula Tándem de Silicio€¦ · Q110, Q112.5, Q115, Q117.5, Q120 Célula Tándem de Silicio Datos eléctricos Rendimiento nominal obtenido en condiciones estándar (STC):

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MODELO QCélula Tándem de SilicioCategoría de potencia 110, 112.5, 115, 117.5, 120

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MODELO QQ110, Q112.5, Q115, Q117.5, Q120Célula Tándem de Silicio

Datos eléctricos

Rendimiento nominal obtenido en condiciones estándar (STC): 1000 W/m², 25°C, Espectro AM 1,5

Tipo del módulo Q110 Q112.5 Q115 Q117.5 Q120

Potencia máxima (±5%) Pmax [W] 110 112,5 115 117,5 120Corriente de cortocircuito ISC [A] 1,31 1,32 1,34 1,35 1,36Tensión en circuito abierto VOC [V] 138 139 140 141 142Corriente en Pmax Impp [A] 1,05 1,07 1,09 1,10 1,12Tensión en Pmax Vmpp [V] 104 105 106 107 108

Rendimiento a temperatura normal operativa de célula (NOCT): 800 W/m², 40°C, Espectro AM 1,5

Tipo del módulo Q110 Q112.5 Q115 Q117.5 Q120

Potencia máxima (±5%) Pmax [W] 85,3 87,1 89,0 90,9 92,8Corriente de cortocircuito ISC [A] 1,06 1,07 1,08 1,09 1,10Tensión en circuito abierto VOC [V] 129 130 131 132 133Corriente en Pmax Impp [A] 0,87 0,88 0,89 0,90 0,91Tensión en Pmax Vmpp [V] 98 99 100 101 102

Rendimiento a baja irradiancia

La eficiencia del módulo a una irradiancia de 200 W/m² en relación a una irradiancia de 1000 W/m² (ambas a 25°C y Espectro AM 1,5) es: 95%

Todos los valores ± 10%, si no se mostrara lo contrario.

Parámetro Unidad Valor

Coeficiente de temperatura de la ISC [%/K] +0,10

Coeficiente de temperatura del VOC [%/K] - 0,37

Coeficiente de temperatura de la Pmpp [%/K] - 0,30

Datos técnicos de conexión al sistema

Coeficientes de temperatura A 1000 W/m ², Espectro AM 1,5

Parámetro Unidad Valor

Tensión máxima del sistema - VSYS [V] 1000

Resistencia de corriente inversa - IR [A] 3

Castellano / Rev. 011 | Febrero 2010

Cualificaciones y CertificadosCE conformeIEC 61646: 2008EN 61730-1 (clase de aplicación A)/EN 61730-2 (clase de aplicación A): 2007Grando de seguridad II

Todos las informaciones corresponden al standard EN 50380.

Especificaciones sujetas a cambios técnicos © Sunfilm AG

Para más información sobre los métodos de instalación aprobados y el uso de este producto ver la directriz de aplicación y las Instrucciones de montaje.

Especificaciones mecánicas

Parámetro Unidad Valor

Largo x ancho [mm] 1300 x 1100

Espesor [mm] 7,3 (35 incl. enchufe y raíl de montaje)

Peso [kg] 27

Cristal frontal [mm] 3,2 (vidrio blanco / vidrio flotado)

Cristal trasero [mm] 3,2 (vidrio de seguridad)

Material intermedio PVB

Marco Sin

Raíl de montaje acero cincado con categoría de corrosión C3

Tipo de célula Célula tándem de silicio [a-Si/µc-Si]

Conexión Categoria de protección IP 67, con diodo de baipás

Cable Sin

Conector Multi-Contact MC4

Vista posterior del módulo