Memoria ram

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Conalep Tlalnepantla 1 Guadalupe Yuliana Ortega Calvillo Hugo Acosta Serna Memoria RAM Grupo: 201

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Conalep Tlalnepantla 1

Guadalupe Yuliana Ortega Calvillo

Hugo Acosta Serna

Memoria RAM

Grupo: 201

La memoria RAM

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Se denomina memoria a los circuitos que permiten almacenar y recuperar la información. En un sentido más amplio, puede referirse también a sistemas externos de almacenamiento, como las unidades de disco o de cinta. Memoria de acceso aleatorio o RAM.

Los chips de memoria son pequeños rectángulos negros que suelen ir soldados en grupos a unas plaquitas con "pines" o contactos. La diferencia entre la RAM y otros tipos de memoria de almacenamiento, como los disquetes o los discos duros, es que la RAM es muchísimo más rápida, y que se borra al apagar el ordenador. La memoria no deja de ser un circuito electrónico real, y por tanto está expuesta a efectos que pueden producir errores en su contenido. En otras palabras, tras escribir una palabra en una posición de memoria es perfectamente posible que algún bit cambie de estado durante el tiempo que permanezca almacenada. Si se accede de nuevo a la memoria para leer dicha palabra se recuperará información errónea y esto puede acarrear todo tipo de consecuencias. Para ello se suelen emplear dos soluciones: la paridad y la técnica ECC. El elemento que implementa estos métodos se encuentra en el interior del PC y recibe el nombre de controlador de memoria.

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Tipos de memoria DRAM

FPM (Fast Page Mode): Memoria muy popular, ya que era la que se incluía en los antiguos 386, 486 y

primeros Pentium. Alcanza velocidades de hasta 60. Se encuentra en los SIMM de 30 contactos y los

posteriores de 72. EDO (Extended Data Output): La memoria EDO, a diferencia de la FPM que sólo podía acceder a un solo byte al tiempo, permite mover un bloque completo de memoria a la memoria caché del sistema, mejorando

así las prestaciones globales. De mayor calidad, alcanza velocidades de hasta 45 .Se encuentra en los Pentium, Pentium Pro y primeros Pentium II en SIMM

de 72 contactos y en los primeros DIMM de 168 contactos, funcionando a 5 y 3,3 voltios.

BEDO (Burst Extended Data Output): Diseñada originalmente para los chipset HX, permite transferir datos al procesador en cada ciclo de reloj, aunque no de forma continuada, sino a ráfagas, reduciendo los

tiempos de espera del procesador, aunque sin conseguir eliminarlos del todo.

SDRAM (Synchronous DRAM): Memoria asíncrona que se sincroniza con la velocidad del procesador,

pudiendo obtener información en cada ciclo de reloj, evitando así los estados de espera que se producían

antes. La SDRAM es capaz de soportar las velocidades del bus a 100 y 133 MHz, alcanzando velocidades por debajo de 10. Se encuentra en la práctica mayoría de

los módulos DIMM de 168 contactos. PC-100 DRAM: Es un tipo de memoria SDRAM que

cumple unas estrictas normas referentes a calidad de los chips y diseño de los circuitos impresos

establecidas por Intel. El objetivo es garantizar un funcionamiento estable en la memoria RAM a

velocidades de bus de 100 MHz. PC-133 DRAM: Muy parecida a la anterior y de grandes exigencias técnicas para garantizar que el

módulo de memoria que la cumpla funcione correctamente a las nuevas velocidades de bus de 133 MHz que se han incorporado a los últimos Pentium III.

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DRDRAM (Direct Rambus DRAM): Es un tipo de memoria de 64 bits que alcanza ráfagas de 2, picos de varios GBytes/sg y funcionan a velocidades de hasta 800 MHz. Es el complemento ideal para las tarjetas gráficas AGP, evitando los cuellos de botella entre la

tarjeta gráfica y la memoria principal durante el acceso directo a memoria para el manejo de las

texturas gráficas. DDR SDRAM (Double Data Rate SDRAM o SDRAM II):

Un tipo de memoria SDRAM mejorada que podía alcanzar velocidades de hasta 200 MHz. Cuenta con

mecanismos para duplicar las prestaciones obtenidas a la velocidad del reloj del sistema. Fue soportada por ciertos chipset Socket 7, pero al no ser apoyada por

Intel no está demasiado extendida. ESDRAM (Enhanced SDRAM): Incluye una pequeña

memoria estática en el interior del chip SDRAM. Con ello, las peticiones de ciertos accesos pueden ser

resueltas por esta rápida memoria, aumentando las prestaciones. Se basa en un principio muy similar al de

la memoria caché utilizada en los procesadores. SLDRAM (SyncLink DRAM): Se basa, al igual que la

DRDRAM, en un protocolo propietario, que separa las líneas CAS, RAS y de datos. Los tiempos de acceso no dependen de la sincronización de múltiples líneas, por

lo que este tipo de memoria promete velocidades superiores a los 800 MHz, ya que además puede

operar al doble de velocidad del reloj del sistema.