Memorias de acceso aleatorio

Las memorias de Acceso Aleatorio son conocidas como memorias RAM de la sigla en

inglés Random Access Memory

Características: Bajo tiempo de acceso. Modo de acceso aleatorio.

Memoria Volátil.

Puede ser leída y escrita. Es de localización interna.

Capacidades de 32 Mb (DIMM) a 32Gb (DDR3).

Se conectan a unas placas denominadas módulos. Se dividen en SRAM y DRAM.

Funcionamiento:

La memoria RAM funciona como un intermediario de información entre los medios de almacenamiento y los encargados de procesar. Para lograr escribir y guardar datos tipo binarios, se utilizan un transistor y un capacitor acoplados para crear una celda de memoria. El transistor funciona como un interruptor que permite al circuito de control leer la carga del capacitor o cambiar su estado.

Memorias DRAM Este tipo de memoria conocida como (Dynamic Random Access

Memory), a diferencia de la memoria estática, se compone de celdas de memoria construidas con Capacitores. Las celdas de memoria son de fabricación más sencillas en comparación a las celdas a base de transistores, lo cual permite construir memorias de gran capacidad

Tipos de Memorias DRAM FPM (Fast Page Mode): Se incluía en los antiguos 386, 486 y primeros

Pentium. Velocidades de hasta 60 ns. Se encuentra en los SIMM de 30 y 72 contactos.

EDO (Extended Data Output): Sólo podía acceder a un solo byte al tiempo. Velocidades de hasta 45 nsSe encuentra en los Pentium, Pentium Pro y primeros Pentium II en SIMM de 72 contactos y en los primeros DIMM de 168 contactos.

BEDO (Burst Extended Data Output): Diseñada originalmente para los chipset HX. permite transferir datos al procesador en cada ciclo de reloj,

SDRAM (Synchronous DRAM): Memoria asíncrona que se sincroniza con la velocidad del procesador, pudiendo obtener información en cada ciclo de reloj. soporta las velocidades del bus a 100 y 133 MHz por de bajo de 10 ns.

DRDRAM (Direct Rambus DRAM): Es un tipo de memoria de 64 bits que alcanza ráfagas de 2 ns, picos de varios Gbytes/sg y funcionan a velocidades de hasta 800 MHz.

DDR SDRAM (Double Data Rate SDRAM o SDRAM II): Un tipo de memoria SDRAM mejorada que cuenta con mecanismos para duplicar las prestaciones obtenidas a la velocidad del reloj del sistema.

ESDRAM (Enhanced SDRAM): Incluye una pequeña memoria estática en el interior del chip SDRAM

SLDRAM (SyncLink DRAM): Se basa, al igual que la DRDRAM, en un protocolo propietario, que separa las líneas CAS (columna) , RAS (fila) y de datos.

Memorias SRAM Este tipo de memoria conocida como (Static Random Access

Memory) se compone de celdas conformadas por flip-flopsconstruidos generalmente con transistoresMOSFET, aunquetambiénexisten algunas memorias pequeñas construidas contransistoresbipolares.

Tipos de Memorias SRAM Async SRAM: La memoria caché de los antiguos 386, 486 y primeros

Pentium, asíncrona y con velocidades entre 20 y 12 ns. Sync SRAM: Es la generación siguiente, capaz de sincronizarse con

el procesador y con una velocidad entre 12 y 8,5 ns.

Pipelined SRAM: Se sincroniza también con el procesador, pero tarda en cargar los datos más que la anterior, aunque una vez cargados accede a ellos con más rapidez. Opera a velocidades entre 8 y 4,5 ns.

Ventajas/Desventajas

Evolución: Memoria RAM tipo TSOP. Memoria RAM tipo SIP.

Memoria RAM tipo SIMM.

Memoria RAM tipo DIMM - SDRAM. Memoria RAM tipo DDR/DDR1 y SO-DDR.

Memoria RAM tipo RIMM.

Memoria G-RAM / V-RAM (Actual). Memoria RAM tipo DDR2 y SO-DDR2 (Actual).

Memoria RAM tipo DDR3 y SO-DDR3(Actual).

Memoria RAM tipo DDR4 y SO-DDR4 (Próxima Generación).

Memoria TSOP Thin Small Out-line PackageConjunto de bajo perfil fuera de línea.

Se introducían en zócalos especiales de la tarjeta principal ("Motherboard"). Estos chips en conjunto iban sumando las cantidades de memoria RAM del equipo.

La unidad práctica para medir la capacidad de almacenamiento de una memoria TSOP es el Kilobyte (KB).Los TSOP se utilizaron básicamente en computadoras con microprocesadores de la familia Intel® 286 y modelos anteriores.

Memoria SIP Single In-line PackageSoporte simple en línea

La Memoria SIP ntegra en una sola tarjeta varios módulos de memoria TSOP, lográndose comercializar mayores capacidades en una sola placa. Remplazaron a las TSOPLa velocidad de estas memorias es aproximadamente entre 25 MHZ y 33 MHz, con tiempo de acceso de 60ns con una capacidad de almacenamiento de 256 KB, 512 KB, 1 MB.

Partes:1.- Tarjeta: es una placa plástica sobre la cuál están soldadas los componentes de la memoria.2.-Chips: son módulos de memoria volátil.3.- Conector (30 pines): son terminales tienen forma de pin, que se insertan en el módulo especial para memoria SIP.

Memoria SIMM Single In line Memory ModuleMódulo de memoria de únicamente una línea.

Partes:1.- Tarjeta: es una placa plástica sobre la cuál están soldadas los componentes de la memoria.2.-Chips: son módulos de memoria volátil.3.- Conector (30 pines): son terminales tienen forma de pin, que se insertan en el módulo especial para memoria SIMM.

Son memorias RAM las cuáles tienen los chips de memoria de un solo lado de la tarjeta y cuentan con un conector especial de 30 ó 72 terminales para ranuras de la tarjeta principal (Motherboard). Hay 2 versiones de memoria SIMM, con 30 (8 bits) y con 72 (32 bits) terminales, siendo el segundo el sucesor.

Memoria DIM Dual in-line memory module.Módulo de memoria con contactos duales.

Son memorias RAM las cuáles sus contactos de cada lado son independientes, por lo tanto el contacto es doble en la tarjeta de memoria por lo que pueden tener chips de memoria en ambos lados de la tarjeta ó solo de un lado, cuentan con un conector especial de 168 terminales para ranuras de la tarjeta principal (Motherboard). Cuentan con una Velocidad de 25 Mhz, 33 Mhz, 50 Mhz, 66 Mhz , 100 Mhz , 133 Mhz y 150 Mhz y con una capacidad de almacenamiento de 32 MB, 64 MB, 128 MB, 256 MB, 512 MB.

Partes:1.- Tarjeta: es una placa plástica sobre la cuál están soldadas los componentes de la memoria.2.-Chips: son módulos de memoria volátil.3.- Conector (168 terminales): base de la memoria que se inserta en la ranura especial para memoria DIMM -SDRAM en la tarjeta principal (Motherboard).4.- Muesca: indica la posición correcta dentro de la ranura de memoria.

Memoria DDR1 Dual Data RateTransmisión doble de datos.

Partes:1.- Tarjeta: es una placa plástica sobre la cuál están soldadas los componentes de la memoria.2.-Chips: son módulos de memoria volátil.3.- Conector (184 pines): son terminales tienen forma de pin, que se insertan en el módulo especial para memoria DDR1.

Son memorias RAM las cuáles incorporan dos canales para enviar los datos de manera simultánea. Tienen los chips de memoria en ambos lados de la tarjeta y cuentan con un conector especial de 184 terminales para ranuras de la tarjeta principal (Motherboard).Cuentan con una Velocidad de 266 Mhz, 333 Mhz y 400 Mhz y con una capacidad de almacenamiento de 128 MB, 256 MB, 512 MB y 1 GB.

4.-Muesca: indica la posición correcta dentro de la ranura de memoria DDR1.

Memoria RIMM Rambus In line Memory ModuleMódulo de memoria de línea con bus integrado

Partes:1.- Disipador: es una placa metálica que cubre la tarjeta plástica y los chips, ya que tienden a sobrecalentarse y de este modo absorbe el calor y lo transmite al ambiente.2.- Conector (184 terminales): base de la memoria que se inserta en la ranura especial para memoria RIMM.3.- Muescas: son 2 hendiduras características de la memoria RIMM y que indican la posición correcta dentro de la ranura de memoria.

Son memorias RAM las cuáles incorporan incorpora su propio bus de datos, direcciones y control de gran velocidad en la propia tarjeta de memoria. Tienen los chips de memoria en uno de sus lados y cuentan con un conector especial de 184 terminales para ranuras de la tarjeta principal (Motherboard).Cuentan con una Velocidad de 300 Mhz, 356 Mhz, 400 Mhz, 533 Mhz y 800 Mhz y con una capacidad de almacenamiento de 64 MB, 128 MB, 256 MB.

Memoria DDR2 Dual Data Rate 2Transmisión doble de datos de 2da generación.

Partes:1.- Tarjeta: es una placa plástica sobre la cuál están soldadas los componentes de la memoria.2.-Chips: son módulos de memoria volátil.3.- Conector (240 pines): son terminales tienen forma de pin, que se insertan en el módulo especial para memoria DDR2.

Son memorias RAM las cuáles incorporan dos canales para enviar los datos de manera simultánea. Tienen los chips de memoria en ambos lados de la tarjeta y cuentan con un conector especial de 240 terminales para ranuras de la tarjeta principal (Motherboard).Cuentan con una Velocidad de 687 Mhz y 800 Mhz y con una capacidad de almacenamiento de 256 MB, 512 MB, 1 GB, 2 GB, y 4 GB.

4.-Muesca: indica la posición correcta dentro de la ranura de memoria DDR2.

Memoria DDR3 Dual Data Rate 3Transmisión doble de datos de 3ra generación.

Partes:1.- Tarjeta: es una placa plástica sobre la cuál están soldadas los componentes de la memoria.2.-Chips: son módulos de memoria volátil.3.- Conector (240 pines): son terminales tienen forma de pin, que se insertan en el módulo especial para memoria DDR3.

Son memorias RAM las cuáles incorporan dos canales para enviar los datos de manera simultánea. Tienen los chips de memoria en ambos lados de la tarjeta y cuentan con un conector especial de 240 terminales para ranuras de la tarjeta principal (Motherboard).Cuentan con una Velocidad de 1066 Mhz, 1333 Mhz, 1600 Mhz, 1866 Mhz, 2000 Mhz,2133 Mhz, y 2400 Mhz y con una capacidad de almacenamiento de 1 GB, 2 GB, 4 GB, 8 GB, 16 GB y 32 GB.

4.-Muesca: indica la posición correcta dentro de la ranura de memoria DDR3.

Memoria DDR4 Dual Data Rate 4Transmisión doble de datos de 4ta generación.

Partes:1.- Tarjeta: es una placa plástica sobre la cuál están soldadas los componentes de la memoria.2.-Chips: son módulos de memoria volátil.3.- Conector (240 pines): son terminales tienen forma de pin, que se insertan en el módulo especial para memoria DDR4.

Son memorias RAM las cuáles incorporan dos canales para enviar los datos de manera simultánea. Tienen los chips de memoria en ambos lados de la tarjeta y cuentan con un conector especial de 240 terminales para ranuras de la tarjeta principal (Motherboard).Cuentan con una Velocidad de 2133 MHz - 4266 Mhz y con una capacidad de almacenamiento de 2 GB.

4.-Muesca: indica la posición correcta dentro de la ranura de memoria DDR4.

Estructura: La unidad mínima de almacenamiento es el bit y la estructura física

que lo soporta se denomina celda básica. La memoria organiza las celdas por filas y columnas (estructura matricial). Existen varias formas de acceder la celdas (o grupos de ellas): decodificación por filas y decodificación por filas y columnas.

En la figura se observa la estructura básica de una memoria 1K de 4bits, en la cual se indican sus partes básicas.

Fuentes: http://www.dte.us.es/tec_inf/itig/etc2/material/ETC2_0304_memorias.pdf http://galia.fc.uaslp.mx/~cantocar/microprocesadores/EL_Z80_PDF_S/13_TIPOS_DE_M

EMORIA.PDF http://www.informaticamoderna.com/Memoria_RAM.htm http://www.slideshare.net/CANDIDOALBERTO/6-memoria-ram-caracteristicas-y-

formatos http://ortihuela.galeon.com/ram.htm http://www.informaticamoderna.com/Memoria_TSOP.htm http://www.informaticamoderna.com/Memoria_SIP.htm http://www.informaticamoderna.com/Memoria_SIMM.htm http://es.wikipedia.org/wiki/DIMM http://www.informaticamoderna.com/Memoria_DDR.htm http://www.informaticamoderna.com/Memoria_RIMM.htm http://www.informaticamoderna.com/Memoria_DDR2.htm http://www.informaticamoderna.com/Memoria_DDR3.htm http://www.informaticamoderna.com/Memoria_DDR4.htm