Instituto Tecnológico de Querétaro Departamento de ... de... · Guía de Prácticas de...

Instituto Tecnológico de Querétaro

Departamento de Ingeniería Eléctrica

y Electrónica

Guía de Prácticas de Laboratorio

Materia: Física de Semiconductores

Laboratorio de Ingeniería Electrónica

Santiago de Querétaro, Qro. Septiembre 2012

Elaboró

Ing. Alberto Pantoja Flores

Editora

Anayeli Sánchez Montoya

Departamento de Ingeniería Eléctrica y Electrónica

Av. Tecnológico S/N, Esq. M. Escobedo, Col. Centro,

CP.76000 Tel: 2274400 ext. 4418

CONTENIDO PRÁCTICA No.1 TEORÍA PLANETARIA DEL ÁTOMO ................................................. 5

1. OBJETIVO .................................................................................................................. 5

2. INTRODUCCIÓN ....................................................................................................... 5

3. MARCO TEÓRICO .................................................................................................... 5

4. EQUIPO Y MATERIALES ........................................................................................ 5

5. METODOLOGÍA ........................................................................................................ 5

PRÁCTICA No.2 TEORÍA PLANETARIA DEL ÁTOMO ................................................. 7

1. OBJETIVO .................................................................................................................. 7

2. INTRODUCCIÓN ....................................................................................................... 7

3. MARCO TEÓRICO .................................................................................................... 7

4. EQUIPO Y MATERIALES ........................................................................................ 7

5. METODOLOGÍA ........................................................................................................ 7

PRÁCTICA No.3 DISCUSIÓN TÉCNICA ......................................................................... 10

1. OBJETIVO ................................................................................................................ 10

2. INTRODUCCIÓN ..................................................................................................... 10

3. MARCO TEÓRICO .................................................................................................. 10

4. EQUIPO Y MATERIALES ...................................................................................... 10

5. METODOLOGÍA ...................................................................................................... 10

PRÁCTICA No.4 UNIÓN PN ............................................................................................. 12

1. OBJETIVO ................................................................................................................ 12

2. INTRODUCCIÓN ..................................................................................................... 12

3. MARCO TEÓRICO .................................................................................................. 12


5. METODOLOGÍA ...................................................................................................... 12

PRÁCTICA No.5 CURVA CARACTERÍSTICA DE LA UNIÓN PN EN

POLARIZACIÓN DIRECTA .............................................................................................. 16

1. OBJETIVO ................................................................................................................ 16

2. INTRODUCCIÓN ..................................................................................................... 16

3. MARCO TEÓRICO .................................................................................................. 16


5. METODOLOGÍA ...................................................................................................... 16

PRÁCTICA No.6 CURVA CARACTERÍSTICA DE LA UNIÓN PN EN

DOLARIZACIÓN INVERSA .............................................................................................. 18

1. OBJETIVO ................................................................................................................ 18

2. INTRODUCCIÓN ..................................................................................................... 18

3. MARCO TEÓRICO .................................................................................................. 18


5. METODOLOGÍA ...................................................................................................... 18

PRÁCTICA No.7 ALIMENTACION DE LA UNION PN CON VOLTAJE AC ............... 20

1. OBJETIVO ................................................................................................................ 20

2. INTRODUCCIÓN ..................................................................................................... 20

3. MARCO TEÓRICO .................................................................................................. 20


5. METODOLOGÍA ...................................................................................................... 20

PRÁCTICA No.8 COMPORTAMIENTO BASICO DEL DIODO ZENER ...................... 22

1. OBJETIVO ................................................................................................................ 22

2. INTRODUCCIÓN ..................................................................................................... 22

3. MARCO TEÓRICO .................................................................................................. 22


5. METODOLOGÍA ...................................................................................................... 22

PRÁCTICA No.9 RECTIFICADORES A DIODOS TIPICOS ........................................... 25

1. OBJETIVO ................................................................................................................ 25

2. INTRODUCCIÓN ..................................................................................................... 25

3. MARCO TEÓRICO .................................................................................................. 25


5. METODOLOGÍA ...................................................................................................... 25

PRÁCTICA No.10 CARACTERISTICAS MÁS IMPORTANTES DE LOS DIODOS

RECTIFICADORES ............................................................................................................ 28

1. OBJETIVO ................................................................................................................ 28

2. INTRODUCCIÓN ..................................................................................................... 28

3. MARCO TEÓRICO .................................................................................................. 28


5. METODOLOGÍA ...................................................................................................... 28

PRÁCTICA No.11 FUNCIONAMIENTO Y APLICACIONES BASICAS DE LED´S Y

DISPLAY´S .......................................................................................................................... 29

1. OBJETIVO ................................................................................................................ 29

2. INTRODUCCIÓN ..................................................................................................... 29

3. MARCO TEÓRICO .................................................................................................. 29


5. METODOLOGÍA ...................................................................................................... 29

PRÁCTICA No.12 INTRODUCCION A LOS TRANSITORES BIPOLARES DE

PEQUEÑA SEÑAL .............................................................................................................. 34

1. OBJETIVO ................................................................................................................ 34

2. INTRODUCCIÓN ..................................................................................................... 34

3. MARCO TEÓRICO .................................................................................................. 34


5. METODOLOGÍA ...................................................................................................... 34

INSTITUTO TECNOLÓGICO DE QUERÉTARO

INGENIERÍA ELECTRÓNICA

MATERIA: FISICA DE SEMICONDUCTORES

CLAVE DE LA MATERIA: ETF-1017

PRÁCTICA No. 1

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PRÁCTICA No.1. TEORÍA PLANETARIA DEL ÁTOMO

No. DE ALUMNOS: DURACIÓN DE LA PRÁCTICA:

1. OBJETIVO Comprender la estructura del átomo basada en el modelo planetario.

2. INTRODUCCIÓN N/A

3. MARCO TEÓRICO N/A

4. EQUIPO Y MATERIALES

1 sala audiovisual.

Televisión.

video casetera.

videocasetes VC 44.5/VHS y VC 46.2/VHS.

(Lo consigue todo el representante del grupo).

5. METODOLOGÍA

5.1 Pasos a seguir para la realización de la práctica

5.1.1 Ver y comprender los videocasetes:

VC 44.5/VHS El electroncito

VC 46.2/VHS El átomo visto de cerca.

5.1.2Hacer equipos de discusión para precisar: ¿Qué es el átomo? ¿Cómo está

configurado?, ¿Qué partes principales lo componen?, ¿Qué son los electrones de

valencia?, ¿Por qué es importante para la materia el conocimiento del átomo?

5.1.3 Usando las figuras necesarias, hacer un resumen de 2 a 3 cuartillas que recoja

las conclusiones del punto 3.2.





PRÁCTICA No. 1

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5.1.4 Investigar: ¿Cuál es la velocidad de la luz?, ¿Cuáles son las masas del protón y

del electrón?, ¿Cuánto es el peso de una gota de agua?, ¿Cuál es la diferencia entre

elementos y compuestos?

5.2 Diagramas o dibujo N/A

5.3 Tablas N/A

5.4 Precauciones y/o Notas NOTA: Al informe de la práctica realizada anexarle los productos de los ejercicios 5.1.3 y

5.1.4





PRÁCTICA No. 2

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PRÁCTICA No.2. TEORÍA PLANETARIA DEL ÁTOMO


1. OBJETIVO Verificar que la conductividad eléctrica en los sólidos metálicos es del orden de

11610 • cm




1 fuente de voltaje variable DC de 0 – 24 V 1 A.

1 reóstato de 0-100 Ω, 1 A.

1 multímetro fluke con capacidades para medir mV DC.

1 flexómetro.

2 puntas mixtas largas.

2 caimanes.

2 puntas mixtas cortas.

1 tramo de cable de cobre 10 AWG de 1.10 m.

5. METODOLOGÍA

5.1Pasos a seguir para la realización de la práctica

Problema:

Se desea conocer la conductividad del cobre a partir de un tramo de alambre de

cobre de calibre 8 AWG de longitud 1.05m (muestra).





PRÁCTICA No. 2

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5.1.1Usando el método de la caída de voltaje, diseñar un circuito en donde se pueda

suministrar a la muestra una corriente DC y midiendo el voltaje entre los extremos de la

muestra y la corriente que circula por ella, se pueda calcular la resistencia Rm de dicha

muestra según la ley de Ohm. (Se sugiere el circuito mostrado en la Fig. 2.1)

5.1.2Construir el circuito 5.1.1 y energizándolo adecuadamente medir IM y VM y

calcular Rm con la formula M

MM

I

VR

5.1.3Considerando para el calibre 8 AWG un área de 8.367 mm2 y una longitud

cmM 100 calcular M usando el valor de RM obtenido en 5.1.2 Usar la fórmula

M

MMM

AR

5.1.4 Con el dato de 5.1.3 calcular M

M

1

5.1.5 Hacer una tabla que muestre la resistividad y la conductividad del cobre

obtenidos y que permita comparar estos valores con los valores típicos dados en el salón.

(Se sugiere la tabla del punto 5.3).

5.2 Diagramas o dibujo

Fig. 2.1 Circuito sugerido





PRÁCTICA No. 2

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5.3 Tablas

Resistividad Conductividad

Obtenida Típica Obtenida Típica

Tabla 2.1





PRÁCTICA No. 3

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PRÁCTICA No.3. DISCUSIÓN TÉCNICA


1. OBJETIVO

Aplicar el conocimiento adquirido del inglés y precisar y fijar los conceptos sobre los temas

vistos en el aula:

- Bandas de energía.

- Dopaje de semiconductores.

- Resistividad y conductividad eléctrica del silicio y arseniuro de galio.

- Nivel de Fermi.

- Propiedades de superficie de los semiconductores.




1 mesa de trabajo.

1 copia del tema asignado del MOTOROLA RectifiierApplicationsHandbook,

Third edition.

Diccionario inglés – español.

utensilios escolares.

5. METODOLOGÍA


5.1.1 Según el tema asignado a cada equipo, obtener la respectiva copia del

MOTOROLA RectifierApplicationsHanbook, ThirdEdition que se encuentra en el

laboratorio de Electrónica. Los temas para fotocopiar son:





PRÁCTICA No. 3

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- Formation of Energy Bands (páginas de 1 a 5).

- Doping of Semiconductors (páginas de 5 a 7).

- The Electrical Resistivity and conductivity of Silicon and Gallium

Arsenide (páginas de 7 a 9).

- The Fermi Level Concept (páginas de 9 a 10).

- Surface Properties of Semiconductors (páginas de 10 a 12).

5.1.2En equipo, con la ayuda de un diccionario de Inglés - Español, hacer la

traducción técnica del tema asignado al equipo.

5.1.3En equipo, comparar la traducción del tema asignado con las notas del

mismo tema pero tratado en el aula. Precisar las coincidencias y destacar las diferencias.

5.1.4Analizar las diferencias encontradas en 5.1.3.

5.1.5Obtener al menos dos conclusiones de los ejercicios realizados.


5.3 Tablas N/A

5.4 Precauciones y/o Notas NOTA: Al informe de la práctica realizada, anexarle los productos de los ejercicios 5.1.2,

5.1.3 y 5.1.4.





PRÁCTICA No. 4

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PRÁCTICA No.4. UNIÓN PN


1. OBJETIVO Conocer la unión PN y observar las variaciones de sus principales características eléctricas

R, V e I al variar la temperatura de operación así como los estados de polarización.




1 Fuente de voltaje variable de DC de 0-24 V DC, 1 A.

1 Horno eléctrico.

1 termómetro digital.

1 multímetro digital.

1 protoboard.

1 diodo 1N4001.

1 resistor de 330Ω ½ w.

4 puntas mixtas.

Alambre telefónico.

1 pinzas de punta.

1 pinzas de corte

5. METODOLOGÍA

5.1Pasos a seguir para la realización de la práctica 5.1.1 Cuidando la polaridad y con multímetro medir la resistencia R de una unión pn a

las temperaturas de 25 °C, 40 °C y 60 °C.

5.1.2Construir el circuito de la Fig. 3.2 (que se encuentra en el punto 5.2) y medir ID,

tanto en polarización directa como en polarización inversa.





PRÁCTICA No. 4

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5.1.3Construir el circuito de la Fig. 3.3 (que se encuentra en el punto 5.2) y en

polarización directa medir ID y VD con Vs=3, 6, 9 y 12 V DC.

5.1.4 Construir el circuito de la figura 3.4 (que se encuentra en el punto 5.2) y en

polarización inversa medir ID y VD con Vs=3, 6, 9 y 12 V DC.

5.1.5Hacer tablas que muestren los valores obtenidos para todos los ejercicios (se

sugieren las tablas del punto 5.3).

5.1.6Obtener al menos dos conclusiones de cada ejercicio.






PRÁCTICA No. 4

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5.3 Tablas (Para el ejercicio 3.1)

Valores de R

25 °C 40 °C 60 °C

(Para el ejercicio 3.2)

VALORES DE ID

Polarización Directa Polarización Inversa





PRÁCTICA No. 4

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VALORES DE ID Y VD EN POLARIZACION DIRECTA

3V 6V 9V 12V

ID

VD


VALORES DE ID Y VD EN POLARIZACION INVERSA

3V 6V 9V 12V

ID

VD





PRÁCTICA No. 5

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PRÁCTICA No.5. CURVA CARACTERÍSTICA DE LA

UNIÓN PN EN POLARIZACIÓN DIRECTA


1. OBJETIVO

Observar la relación corriente & voltaje al energizar una unión PN en polarización directa.




1diodo 1N4001.

6 puntas mixtas.

2 multímetros.

1 protoboard.

1 fuente de voltaje de 0 – 24 V DC con ajuste fino de voltaje.

5. METODOLOGÍA


5.1.1Construir el circuito de la Fig. 5.1.

5.1.2Alimentar el circuito de 5.1.1 con voltajes de 0.2, 0.4, 0.6, 0.8, 1.0, 1.2, 1.4, 1.6,

1.8 y 2.0 V DC y medir la corriente correspondiente a cada voltaje aplicado.

5.1.3Hacer una tabla que recoja las cantidades medidas en 5.1.2.

5.1.4Hacer una gráfica ID & VD que muestre la tabla de 5.1.3.

5.1.5Sacar al menos dos conclusiones de los ejercicios 5.1.3 y 5.1.4.





PRÁCTICA No. 5

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Fig. 5.1





PRÁCTICA No. 6

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PRÁCTICA No.6. CURVA CARACTERÍSTICA DE LA

UNIÓN PN EN DOLARIZACIÓN INVERSA


1. OBJETIVO

Observar la relación corriente & voltaje al energizar una unión PN en polarización inversa.



4. EQUIPO Y MATERIALES N/A

5. METODOLOGÍA


5.1.1Construir el circuito de la Fig. 6.1

5.1.2Alimentar el circuito de 5.1.1 con voltajes de 5, 10, 15, 20, 25, 30, y 40 V DC y

medir la corriente correspondiente a cada voltaje aplicado.

5.1.3Hacer una tabla que recoja las cantidades medidas en 5.1.2.

5.1.4Hacer una gráfica ID & VD que muestre la tabla de 5.1.3.

5.1.5Medir la capacitancia a cuatro capacitores sin polaridad y registrarlos en una tabla

que el alumno diseñe.

5.1.6Sacar al menos dos conclusiones de los ejercicios 5.1.3 y 5.1.4





PRÁCTICA No. 6

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Fig. 6.1





PRÁCTICA No. 7

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PRÁCTICA No.7. ALIMENTACION DE LA UNION PN CON

VOLTAJE AC


1. OBJETIVO

Conocer el comportamiento de la unión PN al alimentarla con voltaje AC.




1 diodo 1N4001.

6 puntas mixtas.

2 multímetro.

1 protoboard.

módulos de voltaje AC de la mesa de trabajo.

1 resistor de 4.7 kΩ ½ W.

5. METODOLOGÍA


5.1.1Medir los voltajes AC que entrega cada uno de los tres módulos de voltaje AC de

la mesa de trabajo.

5.1.2Localizar los hilos vivo y neutro de los módulos REGULADOR y VOLTAJE

ALTERNO, este último sólo para el voltaje de 48 V AC.

5.1.3Construir el circuito de la Fig. 7.1 y usando el módulo VOLTAJE ALTERNO

alimentarlo con voltajes de 6, 12, 24 y 48 V AC y * medir tanto en AC como en DC la

corriente que circula por la unión y el voltaje entre las terminales p y n de dicha unión.





PRÁCTICA No. 7

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(NOTA: Para las mediciones de corriente, intercalar el multímetro entre el hilo vivo de

la fuente de alimentación y la Terminal p de la unión PN).

* Cambiar el instrumento a AC y DC. La fuente de alimentación no cambia.

5.1.4Hacer una tabla que recoja los resultados de 5.1.3

5.1.5Obtener al menos dos conclusiones de los ejercicios.


Fig. 7.1





PRÁCTICA No. 8

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PRÁCTICA No.8. COMPORTAMIENTO BÁSICO DEL

DIODO ZENER


1. OBJETIVO

Conocer el comportamiento básico del diodo Zener tanto en polarización inversa como en

polarización directa.




1 protoboard.

1 diodo Zener 1N3518.

1 diodo Zener 1N3525.

1 resistor de 10kΩ, 1-2W.

2 multímetros.

6 puntas mixtas.

1 fuente dual de 0 – 20 V DC (la de la mesa de trabajo).

5. METODOLOGÍA


5.1.1 Construir el circuito de la Fig. 8.1.

5.1.2 Alimentar el circuito de 5.1.1 con voltaje DC paulatinamente desde 0 hasta 40V

y observar los valores de voltaje entre las terminales del diodo Zener (Vz) según se

vaya incrementando el voltaje de la fuente (Vs).

NOTA: Utilizar dos multímetros y dejarlos permanentemente conectados para

medir los voltajes Vs y Vz.





PRÁCTICA No. 8

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5.1.3Hacer una tabla para registrar los valores de los voltajes de la fuente (Vs) y de los

diodos Zener (Vz) con valores de Vs de 5, 10, 15, 20, 25, 30, 35, 40, V DC.

5.1.4Construir el circuito adjunto en la Fig. 8.2

5.1.5Alimentar el circuito de 5.1.4 con voltaje DC lentamente desde 0 hasta 40V y

observar los valores de voltaje entre las terminales de dos diodos Zener diferentes (Vz)

según se vaya incrementando el voltaje de la fuente (Vs).

NOTA: Utilizar dos multímetros y dejarlos permanentemente conectados para

medir los voltajes Vs y Vz.

5.1.6Hacer una tabla para registrar los valores de los voltajes de la fuente Vs de los

diodos Zener con valores de Vs de 5, 10, 15, 20, 25, 30, 35 y 40 V DC.



Fig. 8.1





PRÁCTICA No. 8

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Fig. 8.2





PRÁCTICA No. 9

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PRÁCTICA No.9. RECTIFICADORES A DIODOS TIPICOS


1. OBJETIVO

Conocer la aplicación típica de los diodos rectificadores en la rectificación de voltajes

alternos.



4. EQUIPO Y MATERIALES 1 protoboard.

2 diodos rectificadores 1N4001.

1 resistor de 10kΩ, 1-2W.

1 multímetro.

4 caimanes.

2 puntas mixtas.

1 pinzas de punta.

1 osciloscopio.

1 extensión con clavija.

1 transformador monofásico de 127/24 V, AC, 60 Hz, 1 A con tap central.

5. METODOLOGÍA


Rectificador de media onda

5.1.1Construir el circuito rectificador de media onda dado en el diagrama del punto 5.2,

Fig. 9.1

5.1.2Con multímetro digital medir los voltajes VAN (es AC) y VKN (es DC).

5.1.3Con osciloscopio obtener tanto la forma de onda como los valores pico y RMS de

los voltajes VAN y VKN .





PRÁCTICA No. 9

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5.1.4 Hacer una tabla para registrar la información de 5.1.2 y 5.1.3.

Rectificador de onda completa

5.1.5Construir el circuito rectificador de onda completa dado en el diagrama del punto

5.2. Fig. 9.2

5.1.6Con multímetro digital medir los voltajes VAN (es AC) y VKN (es DC).

5.1.7Con osciloscopio obtener tanto la forma de onda como los valores pico y RMS de

los voltajes VAN y VKN .

5.1.8Hacer una tabla para registrar la información de 3.2.2 y 3.2.3.



Fig. 9.1





PRÁCTICA No. 9

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Fig. 9.2





PRÁCTICA No. 10

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PRÁCTICA No.10. CARACTERÍSTICAS MÁS

IMPORTANTES DE LOS DIODOS RECTIFICADORES


1. OBJETIVO

Aprender a usar los databooks para determinar las características más importantes de los

diodos rectificadores.




1 NTE databook.

1 MOTOROLA Databook sobre diodos Zener y rectificadores

(Obtener de la caseta de laboratorio un ejemplar del databook NTE y un ejemplar del

databook Motorola sobre diodos rectificadores y realizar lo siguiente)

5. METODOLOGÍA

5.1 Pasos a seguir para la realización de la práctica

5.1.1 Analizar cada uno de los dos databooks y conocer el contenido general de ellos.

5.1.2Comprender las listas cruzadas en cada databook para que a partir de un número

JEDEC se determine el número equivalente del fabricante.

5.1.3Determinar número NTE, número MOTOROLA descripción, PRV, IF y VF para los

diodos rectificadores: 1N1200; 1N3662; 1N4005 y 1N5819.

5.1.4Hacer una tabla que recoja la información de 5.1.3.

5.1.5Hacer un glosario de los símbolos literales que usan NTE y MOTOROLA para

representar las principales características de los diodos rectificadores.

5.1.6Obtener por lo menos dos conclusiones de los ejercicios realizados.





PRÁCTICA No. 11

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PRÁCTICA No.11. FUNCIONAMIENTO Y APLICACIONES

BÁSICAS DE LED´S Y DISPLAY´S


1. OBJETIVO Aprender a identificar ánodo y cátodo, comprobar su estado, entender funcionamiento y

conocer aplicaciones básicas de LED’s y DISPLAY’s




1 protoboard.

2 LED’s de propósito general redondos, uno de color verde y uno de color rojo

claros de 5mm.

1 DISPLAY de 7 segmentos con punto decimal a la derecha de ánodo o cátodo

común de 0.4’’, cualquier color.

1 Ipswich de 8 polos.

1 multímetro.

4 puntas mixtas.

1 fuente de 8V DC (la de la mesa de trabajo).

alambres de cable telefónico.

7 resistores fijos de 150 a 300Ω ½ W.

5. METODOLOGÍA


5.1.1Primero visualmente y después multímetro identificar el ánodo (patilla positiva) y

el cátodo con (patilla negativa) a dos LED’s, uno color verde y otro color rojo. (Tabla

5.3)





PRÁCTICA No. 11

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5.1.2Con multímetro probar que los leds de 5.1.1 están en buen estado (medir VF, VF

típico es de 1.6 a 2.2 V)

5.1.3Con los leds de 5.1.1, construir en protoboard los circuitos del punto 5.2., Fig. 11.1

5.1.4Quitar los leds de los circuitos anteriores (5.2) y probar su estado según 5.1.2.

5.1.5Montar en un protoboard un DISPLAY de ánodo o de cátodo común y usando la

fuente de 5V DC y alambre de cable telefónico, definir si el DISPLAY es de ánodo o de

cátodo común, identificar las patillas de 1 a 14 del DISPLAY y determinar el número de

patilla que corresponde a cada segmento así como el número de patilla que corresponde

al punto decimal (no olvidar resistores de protección). Llenar la tabla que se encuentra

en el punto 5.3., Tabla 11.1

5.1.6En el Protoboard construir el circuito dado en el punto 5.3 y exhibir los números

de 2 y 5 con punto decimal así como las letras f y d habiendo llenado previamente la

tabla 5.1.2.


Fig. 11.1





PRÁCTICA No. 11

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5.3 Tablas

PATILLA O PIN NO. DE INT ASIG.

No. Electrodo Segmento

Tabla 11.1 Configuración del display y número de interruptor asignado a cada segmento





PRÁCTICA No. 11

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CARÁCTER A EXHIBIR INTERRUPTORES QUE DEBEN

ESTAR CERRADOS

2.

5.

F

d

Tabla 11.2 Exhibición de números y letras





PRÁCTICA No. 11

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Fig. 11.2

5.4 Precauciones y/o Notas

NOTA: Obtener al menos dos conclusiones de los ejercicios realizados.





PRÁCTICA No. 12

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PRÁCTICA No.12. INTRODUCCIÓN A LOS TRANSITORES

BIPOLARES DE PEQUEÑA SEÑAL


1. OBJETIVO

Conocer físicamente los transistores bipolares de pequeña señal: Definir su encapsulado,

identificar sus terminales y familiarizarse con las principales características de tales

dispositivos.




Una pieza de cada transistor de pequeña señal diferente del cual haya existencia en

el laboratorio de electrónica.

Un ejemplar del databook de NTE.

Un diccionario técnico de inglés a español.

5. METODOLOGÍA


5.1.1Ir a la caseta del laboratorio y obtener una pieza de cada transistor bipolar de

pequeña señal diferente del cual haya existencias. Solicitar el número con el cual es

manejado el dispositivo. Considerar los transistores BC546B Y BC557C, aunque no se

manejen, pues de no existir en la caseta, estos transistores serán proporcionados por el

profesor.





PRÁCTICA No. 12

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5.1.2Conseguir un ejemplar del databook de NTE y según lo obtenido en 5.1.1

determinar: polaridad y material, descripción y aplicación, encapsulado, diagrama y las

características para cada transistor.

5.1.3Hacer una tabla que recoja la información obtenida en 5.1.1 y 5.1.2. Se sugiere el

formato de la hoja 2/2.

5.1.4Hacer un glosario en español que muestre el significado de cada símbolo literal de

las características para los transformadores.


5.1.6Dibujar con símbolos normalizados un transistor npn y un transistor pnp.






PRÁCTICA No. 12

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5.3 Tablas

CARACTERISTICAS DE LOS TRANSISTORES BIPOLARES DE PEQUEÑA

SEÑAL QUE SE MANEJAN EN EL LABORATORIO DE ELECTRONICA

Número Polarid

ad y

Materia

l

Descripci

ón y

Aplicació

n

Diagra

ma

CARACTERISTICAS

Amp

s.

Volts Volts Volts Gananc

ia

JEDE

C

NT

E

IC BVCB

O

BVCE

O

BVEB

O

hFE

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