FIUBA 20081 MODELOS EN COMPATIBILIDAD ELECTROMAGNETICA Juan C. Fernandez 6.
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FIUBA 2008 1
MODELOS EN COMPATIBILIDAD
ELECTROMAGNETICAJuan C. Fernandez
6
FIUBA 2008 2
MODELOS EN COMPATIBILIDAD ELECTROMAGNETICA 1
RADIACION ELECTROMAGNETICARADIACION ELECTROMAGNETICAEn casos de alta frecuencia y/o cuando la fuente de interferencia se
halla lejos del sistema víctima para que sea efectivo el acoplamiento capacitivo-inductivo, debe usarse la teoría de campos (modelo de radiación).
Campos
Fuente
Acoplamiento por radiación
alta frecuencia
Acoplamiento capacitivoInductivo
baja frecuencia
Acoplamiento conductivo
alta y baja frecuencia
Corrientes y tensiones inducidasCorrientes y tensiones inducidas
FIUBA 2008 3
MODELOS EN COMPATIBILIDAD ELECTROMAGNETICA 1
RADIACION ELECTROMAGNETICARADIACION ELECTROMAGNETICAEn este modelo de acoplamiento
la fuente genera campos que a su vez ocasionan la presencia de tensiones y corrientes de interferencia sobre el sistema víctima.
FuenteFuente Campos
Campos
VíctimaVíctima
La interferencia por radiación se caracteriza por campos que:• son ondas electromagnéticas que propagan energía,• los campos están relacionados entre sí,• las relaciones entre los campos son sencillas
Las fuentes de interferencia por radiación se pueden clasificar como:• radiación de estructuras conductoras • radiación de aberturas en estructuras conductoras
Las estructuras conductoras suelen modelarse como superposición de elementos rectos (alambres) o elementos finitos (superficiales).
FIUBA 2008 4
MODELOS EN COMPATIBILIDAD ELECTROMAGNETICA 1
RADIACION ELECTROMAGNETICARADIACION ELECTROMAGNETICAModelo general (estructuras
conductoras)De las ecuaciones de Maxwell: ),(),( tt rrD
0),( trB
0),(),(
tt
t rBrE
),(),(),( ttt
t rjrDrH
Introducimos los potenciales electrodinámicos A y :
),(),(
),(),(),(
tt
tt
tt
rArB
rArrE
para los que valen ecuaciones de onda inhomogéneas:
),(),(1
),(
),(),(
1),(
02
2
2
2
02
2
2
2
tttc
t
tt
tct
rjrArA
rrr
donde 001 c
con soluciones:
V
V
VdR
tt
VdR
tt
),(
4),(
),(
4
1),(
0
0
rjrA
rr
t´= t – R/c
FIUBA 2008 5
MODELOS EN COMPATIBILIDAD ELECTROMAGNETICA 1
RADIACION ELECTROMAGNETICARADIACION ELECTROMAGNETICAModelo general (estructuras
conductoras)
VVVd
R
ttVd
R
tt
),(
4),(
),(
4
1),( 0
0
rjrA
rr
t´= t – R/c
Dipolo eléctrico corto:• Estructura radiante básica• Permite, por superposición, hallar la radiación de estructuras complejas
z
y
x
LI(t)
Hipótesis:• conductor cilíndrico recto. Longitud L<< 0.• corriente uniforme armónica.
LV R
tIVd
R
tt ld
rrjrA
),(
4
),(
4),( 00
)/(00)(),( cRtiti eIeItItI r
zzrA ˆ4
ˆ4
),()/(
00)/(
00
r
eLIzd
r
eIt
crti
L
crti
FIUBA 2008 6
MODELOS EN COMPATIBILIDAD ELECTROMAGNETICA 1
RADIACION ELECTROMAGNETICARADIACION ELECTROMAGNETICADipolo eléctrico corto
zrA ˆ4
),()/(
00
r
eLIt
crti
ˆsen1
4
1),( )(0
0
rkie
r
LIt krtiArH
A
r
z
y
x
LI(t)
ˆ1
senˆ1cos
24
),(2
2)(
0
0
rr
ikk
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r
LIit krti rrE
H
E
Er
1/r θrHEN ˆˆRe2
1 *NN r
densidad de potencia radiada
t
EH 0
FIUBA 2008 7
MODELOS EN COMPATIBILIDAD ELECTROMAGNETICA 1
RADIACION ELECTROMAGNETICARADIACION ELECTROMAGNETICADipolo eléctrico corto – Campos de radiación
r
z
y
x
LI(t)
Hrad
<Nr>
Erad
ˆsen)sen(4
ˆsen4
),(
ˆsen)sen(4
ˆsen4
),(
0)(0
0
20)(
0
20
krtr
kLIe
r
kLIit
krtr
kLIe
r
kLIit
krtirad
krtirad
rH
rE
rrN ˆ8
ˆ32
2
2
2200
20
2
23220
L
r
senI
r
senkLI
ˆ),(
ˆ),(
)(
0
0
)(
0
senr
eEt
senr
eEt
krti
rad
krti
rad
rH
rE
rrN ˆ2
)(2
2
0
2
0
r
senE
Los campos de radiación:• dependen como 1/r, • son perpendiculares entre sí y a la dirección de propagación radial, • la relación entre ellos es la impedancia intrínseca del vacío,• constituyen una onda esférica elemental.
Modo TEMModo TEM
FIUBA 2008 8
MODELOS EN COMPATIBILIDAD ELECTROMAGNETICA 1
RADIACION ELECTROMAGNETICARADIACION ELECTROMAGNETICADipolo eléctrico corto – Campos de radiación
r
z
y
x
LI(t)
Hrad
<Nr>
Erad
rrN ˆ2
)(2
2
0
2
0
r
senE
Potencia media radiada:
dSPS
rad nN ˆ
S
drNdSNP r
S
rrad
esf
2
4
M
rad
rad
rrad
d
Pdd
Pd
fNrd
Pd
),( 2
diagrama de radiación (anisotropía)
z
30300
6060
9090
120120
150150
180
z
FIUBA 2008 9
MODELOS EN COMPATIBILIDAD ELECTROMAGNETICA 1
RADIACION ELECTROMAGNETICARADIACION ELECTROMAGNETICADipolo eléctrico corto – Campos de inducción
• no transportan energía (en valor medio),• decrecen como 1/rn, con n2,• pueden inducir interferencia cerca del radiador,• son menores que los campos de radiación para
r• la distribución espacial de los campos de inducción es generalmente diferente de la correspondiente a los campos de radiación.• esta distribución depende de la distancia al radiador• para distancias menores que siempre es necesario tener en cuenta los campos de radiación y de inducción
r
z
y
x
LI(t)
H
E
Er
FIUBA 2008 10
MODELOS EN COMPATIBILIDAD ELECTROMAGNETICA 1
RADIACION ELECTROMAGNETICARADIACION ELECTROMAGNETICARadiación de estructuras de alambres extensas
• podemos pensar el campo radiado (o el campo de induc-ción) por una estructura cualquiera de conductores fili-formes como la superposición de los campos generados por cada elemento de longitud, considerado como un dipolo corto,• para ello debemos tener en cuenta las diferencias de caminos de las ondas emitidas por cada elemento,• se puede demostrar que, para grandes distancias, el campo generado
por un dipolo fuera del origen de coordenadas es:
rr’
R0
)(
0 sen
E
Her
eEE i
krti
rk
factor de fase por posiciónfactor de fase por posición
El defasaje entre los distintos elementos de la estruc-tura radiante introduce interferencia y redistribución espacial de la energía.
El defasaje entre los distintos elementos de la estruc-tura radiante introduce interferencia y redistribución espacial de la energía.
FIUBA 2008 11
MODELOS EN COMPATIBILIDAD ELECTROMAGNETICA 1
RADIACION ELECTROMAGNETICARADIACION ELECTROMAGNETICARadiación de estructuras de alambres extensas - Ejemplos
Dipolo largo – En este caso L/ es cualquiera
L/ = 1/2 L/ = 3/2 L/ = 5
3030
0
6060
9090
120120
150150
180
3030
0
6060
9090
120120
150150
180
3030
0
6060
9090
120120
150150
180
estructura resonante
L
FIUBA 2008 12
MODELOS EN COMPATIBILIDAD ELECTROMAGNETICA 1
RADIACION ELECTROMAGNETICARADIACION ELECTROMAGNETICARadiación de estructuras de alambres extensas - Ejemplos
Radiación de onda viajera
L
z
L=/2L=L=3/2L=5
Radiación en modo común y en modo diferencial
x
z
d/2
-d/2
r
r1r2
CM
DM
d/ = 0.1d/ = 0.5d/ = 1.0d/ = 2.0
FIUBA 2008 13
MODELOS EN COMPATIBILIDAD ELECTROMAGNETICA 1
RADIACION ELECTROMAGNETICARADIACION ELECTROMAGNETICARadiación de estructuras de alambres extensas - Ejemplos
Conjuntos de radiadores
x
r1
-d/2
z
r2
rd/2 = 0
d/ = 1/5 d/ = 1/2 d/ = 1
30300
6060
9090
120
120
150
150 18
0
30300
6060
9090
120
120
150
150 18
0
30300
6060
9090
120
120
150
150 18
0
• Radiadores isótropos• Las corrientes están defasadas en
• Radiadores isótropos• Las corrientes están defasadas en
= /4 d/ = 1/5 d/ = ½ d/ = 1
30300
6060
9090
120
120
150
150 18
0
30300
6060
9090
120
120
150
150 18
0
30300
6060
9090
120
120
150
150 18
0
= /2d/ = 1/5 d/ = ½ d/ = 1
30300
6060
9090
120
120
150
150 18
0
30300
6060
9090
120
120
150
150 18
0
30300
6060
9090
120
120
150
150 18
0
FIUBA 2008 14
MODELOS EN COMPATIBILIDAD ELECTROMAGNETICA 1
RADIACION ELECTROMAGNETICARADIACION ELECTROMAGNETICAAntenas para mediciones de EMC
Antena bicónica
Antenas de banda ancha Antenas de banda ancha
z
h
E
H
~
VI
I
ˆ ˆ EH EH
sen
1
40 r
eHH
ikr
HE
2
2
sen
sen)( hf
Antena log-periódica
ln
zn
11 nnnn llzz
11
1 n
nn
)1(loglog )1(loglog 11 nffn nn
FIUBA 2008 15
MODELOS EN COMPATIBILIDAD ELECTROMAGNETICA 1
RADIACION ELECTROMAGNETICARADIACION ELECTROMAGNETICARadiación de aberturas
• Las aberturas son inevitables en el diseño electrónico• Constituyen puntos de entrada (o de salida) de señales de interferencia• El modelado de estos campos es complejo
Hipótesis del modelo: Principio de Huygens – Cada punto del frente de
ondas es un radiador isótropo emisor de ondas esféricasSe puede demostrar rigurosamente a partir de la ecuación de ondas de Helmholtz y el teorema de Green. Se obtiene que el campo en un punto cualquiera dentro de un recinto se expresa en función del campo sobre la superficie del recinto:
S
ikRikR
SdnR
e
R
e
n
EErE
4
1)(
FIUBA 2008 16
MODELOS EN COMPATIBILIDAD ELECTROMAGNETICA 1
RADIACION ELECTROMAGNETICARADIACION ELECTROMAGNETICARadiación de aberturas
Método de Kirchhoff:Es la aplicación práctica del principio de Huygens al cálculo del campo emitido por una abertura
S
ikRikR
SdnR
e
R
e
n
EErE
4
1)(
z
x
S1
S2
S3
n̂
rr’R
0E sobre el plano conductor)(ˆ),( kzti
s eyxE xE sobre la abertura
1
),(ˆ2
)( )(
S
is
tiz SdeyxEer
kki rkrkxrE
El campo lejano creado por la abertura radiante es la transformada de Fourier de la distribución de campo en la abertura.
El campo lejano creado por la abertura radiante es la transformada de Fourier de la distribución de campo en la abertura.
FIUBA 2008 17
MODELOS EN COMPATIBILIDAD ELECTROMAGNETICA 1
RADIACION ELECTROMAGNETICARADIACION ELECTROMAGNETICARadiación de aberturas - Ejemplo
a
b
x
yz
r
1
),(ˆ2
)( )(
S
is
tiz SdeyxEer
kki rkrkxrE
0),( EyxEs
)(0 ˆ2
sen2
sen2
)( rkxrE
tiyx
yx
z ebkak
rkk
Ekki
Diagrama de radiación vertical (plano xz)
Diagrama de radiación horizontal (plano yz)
222
2
sensensen4
)cos1()(
aa
fxz
222
2
sensensen4
)cos1()(
bb
f yz
FIUBA 2008 18
MODELOS EN COMPATIBILIDAD ELECTROMAGNETICA 1
RADIACION ELECTROMAGNETICARADIACION ELECTROMAGNETICARadiación de aberturas - Ejemplo
a
b
x
yz
r
Diagrama de radiación vertical (plano xz)
Diagrama de radiación horizontal (plano yz)
222
2
sensensen4
)cos1()(
aa
fxz
222
2
sensensen4
)cos1()(
bb
f yz
sen
sen
fxz fyz
fxz(dB) fyz(dB)
FIUBA 2008 19
MODELOS EN COMPATIBILIDAD ELECTROMAGNETICA 1
RADIACION ELECTROMAGNETICARADIACION ELECTROMAGNETICAModelo de propagación y blindaje
El blindaje es un método muy usado para evitar interferencias.Un parámetro esencial es la efectividad del blindajeSe define como la atenuación de la intensidad del campo eléctrico (o magnético) que el blindaje puede realizar:
donde E (H) es el campo sin el blindaje y Eb (Hb) es el campo con el blindaje.
Campos eléctricos estáticos o de baja frecuencia se pueden blindar usando jaulas de Faraday, que son simplemente recintos metálicos. De la misma manera, un circuito magnético de baja reluctancia permite el apantallamiento del campo.
bE EESE 10log20 bH HHSE 10log20
Blindaje en baja frecuencia
E
0H0
Para frecuencias mayores el diseño de un blindaje adecuado requiere conocer las características de propagación de ondas electromagnéticas en medios materiales.
FIUBA 2008 20
MODELOS EN COMPATIBILIDAD ELECTROMAGNETICA 1
RADIACION ELECTROMAGNETICARADIACION ELECTROMAGNETICAModelo de propagación y blindaje
En un medio material lineal se puede establecer un modelo dependiente de la frecuencia en la propagación de las ondas electromagnéticas. Por sencillez, consideramos ondas planas armónicas que se propagan a lo largo del eje cartesiano z según las ecuaciones:
el número de onda es complejo:la parte real está asociada a la propagación de la ondala parte imaginaria está asociada a las pérdidas la impedancia intrínseca del medio es la relación entre las amplitudes complejas del fasor eléctrico y el fasor magnético.
)()()()( ˆˆ),( ˆˆ),( ztizo
oztio
oztizoo
ztioo ee
Ee
EtzeeEeEtz
hhHeeE
iiiioo )( ˆˆˆ zhe
z
e-z
= 1/
FIUBA 2008 21
MODELOS EN COMPATIBILIDAD ELECTROMAGNETICA 1
RADIACION ELECTROMAGNETICARADIACION ELECTROMAGNETICAModelo de propagación – Parámetros esenciales
La longitud de onda de la oscilación está asociada a la parte real del número de onda: = 2/La velocidad de propagación o veloci-dad de fase de la onda se puede cal-cular ahora como:
vf = /T = /f = 2/.
La exponencial que describe el amorti-guamiento tiene una longitud caracte-rística = 1/ que se conoce como profundidad de penetración del mate-rial.
Todos los parámetros mencionados dependen generalmente del material y de la frecuencia.
z
e-z
= 1/
FIUBA 2008 22
MODELOS EN COMPATIBILIDAD ELECTROMAGNETICA 1
RADIACION ELECTROMAGNETICARADIACION ELECTROMAGNETICAModelo de propagación – Parámetros esenciales
Las pérdidas se producen esencialmente por dos mecanismos:
efecto Joule. Transformación irreversible de energía electromagnética en calor en materiales que presentan comportamiento conductor. Este efecto está asociado a una conductividad real del material.
dispersión (scattering). Los electrones ligados del material oscilan en forma forzada con el campo aplicado y emiten radiación electromagnética en forma incoherente con la radiación de la onda viajera.
Este efecto está asociado a la parte imaginaria de la permitividad del material.
El valor medio del vector de Poynting, que describe la potencia por unidad de área transversal a la propagación que transporta la onda es:
zheHEN ˆ2
ˆˆ2
1~~
2
1 22
2
)(*
*0)(* zoztiz
oztiz
oo eE
eeE
eeEee
dz
<N>(z+dz)<N>(z)
S<P>(z)
Ndv
Pd2
potencia media perdida por unidad de volumen
FIUBA 2008 23
MODELOS EN COMPATIBILIDAD ELECTROMAGNETICA 1
RADIACION ELECTROMAGNETICARADIACION ELECTROMAGNETICAModelo de propagación – Casos particulares
Propagación en dieléctricosEn dieléctricos: = 0 = 0 = ´-i “
Dieléctricos de bajas pérdidas:
Entonces:índice de refraccióníndice de refracción
)( )( 0022 iiiii
2
1)( 00 iii
2
0r
f
cv
r
fv
cn
r
02
el coeficiente de atenuación es pequeño, lo que implica que la profundidad de penetración = 1/ es grande en este caso.
La impedancia intrínseca es:
210 ii
r
FIUBA 2008 24
MODELOS EN COMPATIBILIDAD ELECTROMAGNETICA 1
RADIACION ELECTROMAGNETICARADIACION ELECTROMAGNETICAModelo de propagación – Casos particulares
Propagación en dieléctricos de bajas pérdidas
El vector medio de Poynting es: y la densidad media de potencia perdida es:
proporcional a la frecuencia y a la parte imaginaria de la permitividad del material.Se puede demostrar que la energía está equipartida entre el campo eléctrico y el campo magnético al propagarse en un dieléctrico de bajas pérdidas.
zorzo eE
eE
N
2
0
2
2
2
2
22
zo eE
Ndv
Pd 2
2
22
FIUBA 2008 25
MODELOS EN COMPATIBILIDAD ELECTROMAGNETICA 1
RADIACION ELECTROMAGNETICARADIACION ELECTROMAGNETICAModelo de propagación – Casos particulares
Propagación en conductoresEn conductores: = 0 = 0 = 0
Buenos conductores:
Entonces:
En buenos conductores la parte real e imaginaria del número de onda son iguales.
La profundidad de penetración en conductores depende de la frecuencia.
La velocidad de propagación y la longitud de onda dentro del conductor son:
fuertemente dependientes de la frecuencia. La impedancia intrínseca es:
)( )( 00 iiiii
0 0
i
iiii
1
)( 000
0
2
0
2ω
ωv
0
222
2
00
1
ii
FIUBA 2008 26
MODELOS EN COMPATIBILIDAD ELECTROMAGNETICA 1
RADIACION ELECTROMAGNETICARADIACION ELECTROMAGNETICAModelo de propagación – Casos particulares
Propagación en conductores
El vector medio de Poynting es:
y la potencia perdida por unidad de volumen es:
En este caso la densidad de energía media almacenada en el campo electromag-nético es:
Se ve que el término asociado al campo magnético es mucho mayor que el térmi-no asociado al campo eléctrico en un buen conductor, lo que implica que la ener-gía de una onda que se propaga en un buen conductor es fundamentalmente mag-nética. Este comportamiento lleva a que se produzcan corrientes parásitas (o corrientes de Foucault) que están asociadas a pérdidas por efecto Joule y es el mecanismo esencial de funcionamiento de los blindajes metálicos a alta frecuencia.
/2
2
2
2
2
22
zozo eE
eE
N
Ej
2
1
22
/22
0
zeE
Ndv
Pd
/2
2
0
0
0/2
2
02200
22
0
20
41
424
zzz
eE
eEeE
u
FIUBA 2008 27
MODELOS EN COMPATIBILIDAD ELECTROMAGNETICA 1
RADIACION ELECTROMAGNETICARADIACION ELECTROMAGNETICAModelo de propagación – Casos particulares
Propagación en conductores – Efecto pelicular
el campo y la corriente (orientados según +x) decaen exponencialmente al propagarse según z. Se ve que el campo y la corriente tienen valores signi-ficativos sólo para valores pequeños de z. La potencia perdida por efecto Joule por unidad de área sobre el plano xy en todo el conductor es:
x
y
zIE
H
20
20
0 0
220
4
1
42E
Edze
Edz
dv
dP
dS
dP zJ
xy
J
que podemos escribir:
04
1
zxyJ SP Ej
j(z)
z z
j0
Esta expresión equivale a las pérdidas por efecto Joule producidas por una corriente estacionaria en una faja de espesor /2 de un conductor de con-ductividad .
El efecto pelicular lleva a que la corriente se concentre en la periferia de los conductores a medida que aumenta la frecuencia.
Este efecto incrementa entonces la resistencia efectiva de los conductores con la frecuencia y disminuye la induc-tancia interna.
El efecto pelicular no debe confundirse con el efecto de proximidad que también modifica la distribución de la co-rriente en la sección del conductor por efectos magnéti-cos, que ocurre independientemente de la frecuencia.
El efecto pelicular lleva a que la corriente se concentre en la periferia de los conductores a medida que aumenta la frecuencia.
Este efecto incrementa entonces la resistencia efectiva de los conductores con la frecuencia y disminuye la induc-tancia interna.
El efecto pelicular no debe confundirse con el efecto de proximidad que también modifica la distribución de la co-rriente en la sección del conductor por efectos magnéti-cos, que ocurre independientemente de la frecuencia.
FIUBA 2008 28
MODELOS EN COMPATIBILIDAD ELECTROMAGNETICA 1
RADIACION ELECTROMAGNETICARADIACION ELECTROMAGNETICAModelo de propagación – Incidencia normal
Cuando una onda incide sobre la interfase entre dos medios de propiedades diferentes se produce una reflexión parcial por el cambio de impedancia.
El caso más simple consiste en la incidencia normal de una onda plana sobre una interfase también plana.
Suponemos por simplicidad que los medios no tienen pérdidas.
12
x
y z
Ei
Er
Et
Hi
Hr
Ht
Nt
Nr
Ni
medio de incidencia medio de incidencia
medio de transmisiónmedio de transmisión
onda incidenteonda incidente
onda reflejadaonda reflejada onda transmitidaonda transmitida
FIUBA 2008 29
MODELOS EN COMPATIBILIDAD ELECTROMAGNETICA 1
RADIACION ELECTROMAGNETICARADIACION ELECTROMAGNETICAModelo de propagación – Incidencia normal
Los campos en los dos medios son:
12
x
y z
Ei
Er
Et
Hi
Hr
Ht
Nt
Nr
Ni
)((
1
0)(
1
01
)(0
)(01
11
11
ˆˆ),(
ˆˆ),(
zktizkti
zktizkti
eE
eE
t
eEeEt
yyrH
xxrE
onda incidenteonda incidente
)(
2
02
)(02
2
2
ˆ),(
ˆ),(
zktit
zktit
eE
t
eEt
yrH
xrE
onda reflejadaonda reflejadaonda transmitidaonda transmitida
FIUBA 2008 30
MODELOS EN COMPATIBILIDAD ELECTROMAGNETICA 1
RADIACION ELECTROMAGNETICARADIACION ELECTROMAGNETICAModelo de propagación – Incidencia normal
Los campos deben satisfacer las condiciones de borde sobre la superficie interfase (todos los campos son tangenciales):
12
x
y z
Ei
Er
Et
Hi
Hr
Ht
Nt
Nr
Ni
2
0
1
0
1
021
00021
),0(),0(
),0(),0(
t
t
EEEtzHtzH
EEEtzEtzE
12
12
0
0
E
E
12
2
0
0 21
E
E t
FIUBA 2008 31
MODELOS EN COMPATIBILIDAD ELECTROMAGNETICA 1
RADIACION ELECTROMAGNETICARADIACION ELECTROMAGNETICAModelo de propagación – Incidencia normal
Se observa una analogía entre los resultados para la reflexión de ondas en una línea desadaptada y los correspondientes a la incidencia normal sobre una interfase plana entre medios diferentes.En realidad se trata de dos descripciones distintas del mismo fenómeno.La analogía permite usar el modelo circuital de parámetros distribuidos para describir la incidencia normal.
12
x
y z
E
i E
r E
tH
i
H
r
H
t
N
t
N
r
N
i
z
Z0 ZL
0
12
12
0
0
E
E
0
0
ZZ
ZZ
V
V
L
LL
coeficiente de reflexión
12
2
0
0 21
E
E t
0
21
ZZ
Z
V
V
L
LL
LL
coeficiente de transmisión
FIUBA 2008 32
MODELOS EN COMPATIBILIDAD ELECTROMAGNETICA 1
RADIACION ELECTROMAGNETICARADIACION ELECTROMAGNETICAModelo de propagación – Incidencia normal
Otros resultados derivados de la analogía:Reflexión y transmisión de potencia
Impedancia de campo
2
2
2
212
2
212*
22
1
202*
11
20*
Re2
1
2
Re2
1
real) ( 2
Re2
1
i
tittt
i
rirrr
iii
P
PTPHEP
P
PRP
EHEP
EHEP
ikzikz
ikzikz
ikzikz
ikzikz
ee
ee
eE
eE
eEeE
H
EzZ
1
1
0
1
0
00
1
1)(
FIUBA 2008 33
MODELOS EN COMPATIBILIDAD ELECTROMAGNETICA 1
RADIACION ELECTROMAGNETICARADIACION ELECTROMAGNETICAModelo de propagación – Incidencia normal
Casos particulares – Incidencia sobre un conductor
En este caso 2 es compleja y pequeña:
Si el conductor fuera perfecto: 2 0 y = -1
En el caso de un buen conductor, la diferencia de comportamiento con un conductor perfecto es muy pequeña.
Por ello podemos decir que prácticamente toda la potencia se refleja en la interfase.
022 /)1( i
022 /)1( i 022 /)1( i
1
2
1
2
12
12
21
21
12
12 2121/1
/1
Este caso es análogo a la línea cortocircuitada
FIUBA 2008 34
MODELOS EN COMPATIBILIDAD ELECTROMAGNETICA 1
RADIACION ELECTROMAGNETICARADIACION ELECTROMAGNETICAModelo de propagación – Incidencia normal
Casos particulares – Incidencia sobre una capa material
022 /)1( i
1 23
0-d
Zin
d0
1 2 3Ei
Er Et
E2t E2r
En esta situación existe, además de la onda reflejada y transmitida, una onda progresiva y otra regresiva en la capa.
Hay cuatro ecuaciones de contorno y cuatro incógnitas, con lo que es posible hallar una solución.
Sin embargo, a los fines de calcular el coeficiente de reflexión es más fácil usar la analogía con las líneas de transmisión.
2 2
2 2
0 1 2 3 2 1 2 3 2
0 1 2 3 2 1 2 3 2
( )( ) ( )( )
( )( ) ( )( )
i d i dr
i d i d
E e e
E e e
3
2 2
0 2 3
0 1 2 3 2 1 2 3 2
4
( )( ) ( )( )
i dt
i d i d
E e
E e e
FIUBA 2008 35
MODELOS EN COMPATIBILIDAD ELECTROMAGNETICA 1
RADIACION ELECTROMAGNETICARADIACION ELECTROMAGNETICAModelo de propagación – Incidencia normal
Casos particulares – Incidencia sobre una capa conductora
022 /)1( i
d0
1 2 3Ei
Er Et
E2t E2r
Si la capa es conductora, su impedancia será pequeña frente a la de los medios externos:
Si además el espesor de la capa es grande frente a la profundidad de penetración:
d >>
3122 , 1
i
/)/1(
1
2
1
2 34 21 ddki ee se tiene:
Se observa que el coeficiente de reflexión es el que se tendría al incidir sobre un conductor de espesor infinito
También se observa que la energía que atraviesa la capa, que es proporcional al módulo al cuadrado del coeficiente de transmisión es muy baja, ya que inter-viene el factor /de
Estas expresiones explican que una capa buena conductora cuyo espesor sea grande frente a la profundidad de penetración a la frecuencia de diseño es un excelente blindaje
Estas expresiones explican que una capa buena conductora cuyo espesor sea grande frente a la profundidad de penetración a la frecuencia de diseño es un excelente blindaje
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MODELOS EN COMPATIBILIDAD ELECTROMAGNETICA 1
RADIACION ELECTROMAGNETICARADIACION ELECTROMAGNETICAModelo de propagación – Incidencia normal
Casos particulares – Incidencia sobre una capa conductora
Efectividad del blindajeLa efectividad de una estructura de blindaje basada en una capa material se debe a dos aspectos:• pérdidas de reflexión, debidas a la desadaptación de impedancias sobre las superficies interfases del blindaje, y• pérdidas de absorción, debidas a la absorción del material del blindaje.
La efectividad resulta entonces:
En el caso de una capa conductora rodeada por aire:
donde el primer sumando (f1) expresa la pérdida de reflexión y el
segundo (f2) la pérdida de absorción.
/1log20log20log20 101010 t
iH
t
iE
H
HSE
E
ESE
210
10/0
10 686.82
4log20
2
4log20 ff
deSESE d
HE
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MODELOS EN COMPATIBILIDAD ELECTROMAGNETICA 1
RADIACION ELECTROMAGNETICARADIACION ELECTROMAGNETICAModelo de propagación – Incidencia normal
Casos particulares – Incidencia sobre una capa conductora
Efectividad del blindaje En la figura se grafican ambos términos (en dB) y la profundidad de penetración en m en función de la frecuencia para una lámina de cobre ( = 5.76107 [m]-1) con espesor d = 10m. Se observa que la pérdida de reflexión cae lentamente con la frecuencia mientras que la pérdida de absorción aumenta, ya que es proporcional a d/ y disminuye con la frecuencia.
f(GHz)
f1
f2
10720
60
100
120
40
80
108642
En la figura se muestra la variación de la efectividad SEE en dB en función de la fre-cuencia para incidencia normal sobre una lámina de espesor d = 10m de varios metales que se usan habitualmente en blindajes. Se observa el predominio de las pérdidas de absorción.120
160
200
220
140
180
108642
f(GHz)
CuAg
Fe
Al
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RADIACION ELECTROMAGNETICARADIACION ELECTROMAGNETICAModelo de propagación – Incidencia oblicua
En la incidencia oblicua se deben definir:
• plano de incidencia (formado por ki y n)
• ángulos de incidencia (i), de
reflexión (r) y de transmisión (t)
• Modo TE o modo TM
Valen las leyes de Snell:
x
z
ki kr
kt
n
i r
t
ri 1
2
1
2
21
12sen
sen
n
n
t
i
x
z
n̂
E
i
E
r
E
t
i i
t
Ht
HrHi
kt
kr
ki
TE
x
z
i r
t
Ei E
r
E
t
Hi Hr
Ht
ki
kr
kt
n̂
TM
FIUBA 2008 39
MODELOS EN COMPATIBILIDAD ELECTROMAGNETICA 1
RADIACION ELECTROMAGNETICARADIACION ELECTROMAGNETICAModelo de propagación – Incidencia oblicua
Las expresiones de los coeficientes de reflexión y transmisión son más complejas que en la incidencia normal.
En particular, las propiedades de blindaje de una capa material dependen poco del ángulo de incidencia.
200
400
600
700
300
500
108642
f(GHz)
Cu
Fe
Al
Sn
SE(dB)
capa de 50 m de diversos materiales para una inciden-cia oblicua en el modo TE con i = 20.