Final Practica circuitos

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1. OBJETIVOS Obtener las características de un diodo de silicio y germanio Analizar las características técnicas de un diodo 2. RESUMEN El día 05 en los laboratorios de Circuitos electrónicos Hicimos l a práctica de las características de los diodos en la cual para empezar las clases tuvimos una previa y muy útil explicación para nosotros y hacer nuestra práctica y según la guía del laboratorio armamos nuestros circuitos y medimos el voltaje la resistencia y de paso la intensidad de corriente con diferente diodo bien de silicio o bien el diodo de germanio y vamos a encontrar diferencias entre ambos materiales. También vamos a comparar los datos teóricos con los datos de experimento. 3. MARCO TEORICO a) Diodo Ideal : El diodo ideal es un componente discreto que permite la circulación de corriente entre sus terminales en un determinado sentido, mientras que la bloquea en el sentido contrario. En la Figura se muestran el símbolo y la curva característica tensión-intensidad del funcionamiento del diodo ideal. El sentido permitido para la corriente es de A a K. UNIVERSIDAD CATOLICA SANTA MARIA FACULTAD DE CIENCIAS E INGENIERIAS FISICAS Y FOMRALES ESCUELA PROFESIONAL DE INGENIERIA MECANICA Página : 1 Jefe de Practicas: Ing. Christian Collado Oporto LABORATORIO DE CIRCUITOS ELECTRONICOS I CARACATERISTICAS DE LOS DIODOS Semestr e Quinto - V Grupo 02 Fecha: Lab Nº 01 12/04/2016 Nombre Zavala Hurtado Gonzalo Eduardo Cod. 2014600651 Nombre Orellana Arapa Juan Diego Cod. 2014601941 Nombre Chirinos Mego Juan Fransisco Cod. 2014150121 Nombre Valencia Escarcena Luis Orlando Cod. 2013100881 Nombre Quiroz Huarca Jorge Manuel Cod. 2014601131

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1. OBJETIVOS Obtener las características de un diodo de silicio y germanio

Analizar las características técnicas de un diodo

2. RESUMEN

El día 05 en los laboratorios de Circuitos electrónicos Hicimos l

a práctica de las características de los diodos en la cual para empezar las clases tuvimos una previa y muy útil

explicación para nosotros y hacer nuestra práctica y según la guía del laboratorio armamos nuestros circuitos y

medimos el voltaje la resistencia y de paso la intensidad de corriente con diferente diodo bien de silicio o bien el

diodo de germanio y vamos a encontrar diferencias entre ambos materiales.

También vamos a comparar los datos teóricos con los datos de experimento.

3. MARCO TEORICOa) Diodo Ideal :

El diodo ideal es un componente discreto que permite la circulación de corriente entre sus terminales en un determinado sentido, mientras que la bloquea en el sentido contrario.

En la Figura se muestran el símbolo y la curva característica tensión-intensidad del funcionamiento del diodo ideal. El sentido permitido para la corriente es de A a K.

El funcionamiento del diodo ideal es el de un componente que presenta resistencia nula al paso de la corriente en un determinado sentido, y resistencia infinita en el sentido opuesto. La punta de la flecha del símbolo circuito, representada en la figura , indica el sentido permitido de la corriente

UNIVERSIDAD CATOLICA SANTA MARIAFACULTAD DE CIENCIAS E INGENIERIAS FISICAS Y FOMRALES

ESCUELA PROFESIONAL DE INGENIERIA MECANICA

Página : 1

Jefe de Practicas:Ing. Christian Collado OportoLABORATORIO DE CIRCUITOS ELECTRONICOS I

CARACATERISTICAS DE LOS DIODOS Semestre Quinto - VGrupo 02 Fecha:Lab Nº 01 12/04/2016

Nombre Zavala Hurtado Gonzalo Eduardo Cod. 2014600651Nombre Orellana Arapa Juan Diego Cod. 2014601941Nombre Chirinos Mego Juan Fransisco Cod. 2014150121Nombre Valencia Escarcena Luis Orlando Cod. 2013100881Nombre Quiroz Huarca Jorge Manuel Cod. 2014601131

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b) Diodo de Unión PN (Semiconductor) :

Actualmente los diodos se fabrican a partir de la unión de dos materiales semiconductores de características opuestas, es decir, uno de tipo N y otro de tipo P. A esta estructura se le añaden dos terminales metálicos para la conexión con el resto del circuito. En la Figura se presenta el esquema de los dos tipos de diodos que se fabrican actualmente, el diodo vertical y el plano.

El hecho de que los diodos se fabriquen con estos materiales conlleva algunas desviaciones de comportamiento con respecto al diodo ideal.

En este apartado se presenta en primer lugar el proceso de formación de los diodos de semiconductores para pasar después a exponer el comportamiento eléctrico y las desviaciones con respecto al comportamiento ideal

c) Polarización Directa :

El bloque PN descrito si se aplica una tensión positiva en el ánodo, se generará un campo eléctrico que "empujará" los huecos hacia la unión, provocando un estrechamiento de la zona de depleción (Figura 7). Sin embargo, mientras ésta exista no será posible la conducción.

Si la tensión aplicada supera a la de barrera, desaparece la zona de depleción y el dispositivo conduce. De forma simplificada e ideal, lo que sucede es lo siguiente Figura:

Electrones y huecos se dirigen a la unión.

En la unión se recombinan.

En resumen, polarizar un diodo PN en directa es aplicar tensión positiva a la zona P y negativa a la zona N. Un diodo PN conduce en directa porque se inunda de cargas móviles la zona de depleción.

d) Polarización Inversa :

Al contrario que en el apartado anterior, al aplicar una tensión positiva a la zona N y negativa a la zona P, se retiran portadores mayoritarios próximos a la unión. Estos portadores son atraídos hacia los contactos aumentando la anchura de la zona de depleción. Esto hace que la corriente debido a los portadores mayoritarios sea nula.

Ahora bien, en ambas zonas hay portadores minoritarios. Un diodo polarizado en inversa lo está en directa para los minoritarios, que son atraídos hacia la unión. El movimiento de estos portadores minoritarios crea una corriente, aunque muy inferior que la obtenida en polarización directa para los mismos niveles de tensión.

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e) Características de Tensión – Corriente:

En la gráfica se aprecian claramente diferenciadas las diversas regiones de funcionamiento

Región de conducción en polarización directa (PD)-Región de corte en polarización inversa (PI)-Región de conducción en polarización inversa.

Por encima de 0 Voltios, la corriente que circula es muy pequeña, hasta que no se alcanza la tensión de barrera (VON). El paso de conducción a corte no es instantáneo: a partir de VON la resistencia que ofrece el componente al paso de la corriente disminuye progresivamente, hasta quedar limitada sólo por las resistencias internas de las zonas P y N. La intensidad que circula por la unión aumenta rápidamente. En el caso de los diodos de silicio, VON se sitúa en torno a 0,7 V. Cuando se polariza con tensiones menores de 0 Voltios, la corriente es mucho menor que la que se obtiene para los mismos niveles de tensión que en directa, hasta llegar a la ruptura, en la que de nuevo aumenta.

4. EQUIPOS Y MATERIALES:

EQUIPOS DE LABORATORIO

Nº EQUIPO DESCRIPCION MARCA/MODELO

1

FUENTE DE

ALIMENTACION

MARCA: MCH

MODELO: MCH-

305D-II

CORRIENTE DE

SALIDA: 0-5A

2

MULTIMETRO DC

MARCA: CHKO

LUGAR DE

ORIGEN: CN, ZHE

GAMA DE

MEDICION: 200 ua-

10 ua

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CONECTORES CON

TERMINAL

COCODRIO –

BANANO

N.E

4

RESISTENCIA 1KΩ-

1/4 W

RESISTENCIA 1MΩ-

1/4 W

.DIODOS : SILICIO

1N4007 Y 1N4148

DIODO GERMANIO

1N60

N.E

5

PROTOBOARD N.E

6

Conductores Varios N.E.

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1. PROCEDIMIENTOa. Prueba Del Diodo:

i. Escala de pruebas del diodo del DMMUsar la escala de prueba del diodo en el DMM y determinar la condición del diodo.