CIRCUITOS ELECTRONICOSINFORME PREVIO

a) Que es un semiconductor tipo p y que uno tipo n. Un Semiconductor tipo P se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado, aadiendo un cierto tipo de tomos al semiconductor para poder aumentar el nmero de portadores de carga libres (en este caso positivos). Cuando el material dopante es aadido, ste libera los electrones mas dbilmente vinculados de los tomos del semiconductor. Este agente dopante es tambin conocido como material aceptor y los tomos del semiconductor que han perdido un electrn son conocidos como huecos. Un Semiconductor tipo N se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado aadiendo un cierto tipo de tomos al semiconductor para poder aumentar el nmero de portadores de carga libres (en este caso negativos o electrones).Cuando se aade el material dopante, aporta sus electrones ms dbilmente vinculados a los tomos del semiconductor. Este tipo de agente dopante es tambin conocido como material donante, ya que da algunos de sus electrones.El propsito del dopaje tipo n es el de producir abundancia de electrones portadores en el material.

b) Como es el comportamiento ideal de un diodo y como el comportamiento real. El funcionamiento del diodo ideal es el de un componente que presenta resistencia nula al paso de la corriente en un determinado sentido, y resistencia infinita en el sentido opuesto.

Las principales diferencias entre el comportamiento real y ideal son:

La resistencia del diodo en polarizacin directa no es nula. La tensin para la que comienza la conduccin es VON. En polarizacin inversa aparece una pequea corriente. A partir de una tensin en inversa el dispositivo entra en conduccin por avalancha.

c) Cules son las diferencias fundamentales entre un diodo de Silicio y uno de Germanio.La construccin de un diodo de silicio comienza con silicio purificado. Cada lado del diodo se implanta con impurezas (boro en el lado del nodo y arsnico o fsforo en el lado del ctodo), y la articulacin donde las impurezas se unen se llama la "unin pn". Los diodos de silicio tienen un voltaje de polarizacin directa de 0,7 voltios. Una vez que el diferencial de voltaje entre el nodo y el ctodo alcanza los 0,7 voltios, el diodo empezar a conducir la corriente elctrica a travs de su unin pn. Cuando el diferencial de voltaje cae a menos de 0,7 voltios, la unin pn detendr la conduccin de la corriente elctrica, y el diodo dejar de funcionar como una va elctrica. Debido a que el silicio es relativamente fcil y barato de obtener y procesar, los diodos de silicio son ms frecuentes que los diodos de germanio. Diodos de germanio Los diodos de germanio se fabrican de una manera similar a los diodos de silicio. Los diodos de germanio tambin utilizan una unin pn y se implantan con las mismas impurezas que los diodos de silicio. Sin embargo los diodos de germanio, tienen una tensin de polarizacin directa de 0,3 voltios. El germanio es un material poco comn que se encuentra generalmente junto con depsitos de cobre, de plomo o de plata. Debido a su rareza, el germanio es ms caro, por lo que los diodos de germanio son ms difciles de encontrar (y a veces ms caros) que los diodos de silicio.d) Explique la ecuacin caracterstica y curva caracterstica V-I del diodo.

En la grfica se aprecian claramente diferenciadas las diversas regiones de funcionamiento explicadas en el apartado anterior: Regin de conduccin en polarizacin directa (PD). Regin de corte en polarizacin inversa (PI). Regin de conduccin en polarizacin inversa.Por encima de 0 Voltios, la corriente que circula es muy pequea, hasta que no se alcanza la tensin de barrera (VON). El paso de conduccin a corte no es instantneo: a partir de VON la resistencia que ofrece el componente al paso de la corriente disminuye progresivamente, hasta quedar limitada slo por las resistencias internas de las zonas P y N. La intensidad que circula por la unin aumenta rpidamente. En el caso de los diodos de silicio, VON se sita en torno a 0,7 V.Cuando se polariza con tensiones menores de 0 Voltios, la corriente es mucho menor que la que se obtiene para los mismos niveles de tensin que en directa, hasta llegar a la ruptura, en la que de nuevo aumenta.

Donde: Ies la intensidad de la corriente que atraviesa el diodo VDes la diferencia de tensin entre sus extremos. ISes la corriente de saturacin (aproximadamente) nes el coeficiente de emisin, dependiente del proceso de fabricacin del diodo y que suele adoptar valores entre 1 (para elgermanio) y del orden de 2 (para elsilicio).El Voltaje trmicoVTes aproximadamente 25.85mV en 300K, una temperatura cercana a la temperatura ambiente, muy usada en los programas de simulacin de circuitos. Para cada temperatura existe una constante conocida definida por:

Donde k es laconstante de Boltzmann,Tes la temperatura absoluta de la unin pn, yqes la magnitud de la carga de unelectrn(lacarga elemental).

e) Como se identifica los terminales de un diodo con ayuda del multmetro y como se comprueba el estado del diodo.La mayora de los multmetros digitales (p. ej. los multmetros porttiles que usamos en el laboratorio) disponen de un comprobador de diodos, que se identifica en el selector de escalas con el smbolo del diodo. Cuando se selecciona esta funcin el multmetro intenta hacer pasar una pequea corriente (de unos pocos miliamperios) entre sus terminales (del rojo hacia el negro) y da como lectura la cada de tensin resultante en milivoltios. Esto sirve para identificar los terminales de un diodo y comprobar si su funcionamiento es correcto.