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Fundamentos Físicos y Tecnológicos de la Informática

Agustín Álvarez Marquina

Departamento de Arquitectura y Tecnología de Sistemas Informáticos

Universidad Politécnica de Madrid

- Características del transistor MOS. Estructura y geometría del transistor MOS. Polarización. - Tipos de transistores MOS. Simbología. - Modelo en continua. Curvas características.

“El transistor MOS”

Facultad de Informática, U.P.M. 2

B (Bulk= Sustrato)

S (Source= Fuente) D (Drain= Drenador) G (Gate= Puerta)

Estructura física y polarización del transistor nMOS de acumulación

Símbolo

Vgs es la tensión entre los terminales de puerta y fuente. Vds es la tensión entre los terminales del drenador y la fuente.

S

G

D

nMOS

n+

Sustrato p

n+

(+Vgs) Ids

(+Vds)


G (Gate= Puerta) S (Source= Fuente)

(+VDD)

B (Bulk= Sustrato) (+VDD)

D (Drain= Drenador)

Estructura física y polarización del transistor pMOS de acumulación

Símbolo

S

G

D

pMOS

p+

Sustrato n

p+

(-Vgs)

-Ids

(-Vds)

Vgs es la tensión entre los terminales de puerta y fuente. Vds es la tensión entre los terminales del drenador y la fuente.


Formación del canal en el transistor MOS (I)

Formación del canal (transistor nMOS) Cuando se polariza con una tensión positiva en puerta

respecto al sustrato de tipo p... Comienza a inducirse un despoblamiento progresivo de

huecos en la zona inmediata a la superficie del semiconductor debajo del óxido de puerta.

Si se sigue aumentando la tensión positiva en puerta... Se van acumulando electrones (minoritarios en el

sustrato de tipo p) presentes en todo el semiconductor debido a la rotura espontánea de enlaces.


Formación del canal en el transistor MOS (II)

Tensión umbral Vt Es la diferencia de potencial entre puerta y sustrato a la

que comienza a formarse el canal. La aplicación de una tensión de polarización suficiente

consigue de este modo invertir la polaridad de la carga habitual en la zona inmediatamente debajo del óxido de puerta.

Transistor nMOS


Tensión umbral del transistor MOS

Electrones Huecos

VDC

Transistor nMOS

Inversión

Vaciamiento 0

Vt

VDC

0

Vt

0

Vt

0

Vt

0

Vt

0

Vt

0

Vt

0

Vt

0

Vt

0

Vt

0

Vt


B

S D G

n+

Sustrato p

n+

Perfil del canal. Análisis cualitativo (I)

0V 4V 0V

S

0V 0V 0V 0V 0V

D 0 1 2

4 3

5

(VG -Vt)- VX x

a

3,0V- 0,0V= 3,0V a

3,0V- 0,0V= 3,0V b

3,0V- 0,0V= 3,0V c

3,0V- 0,0V= 3,0V e 3,0V- 0,0V= 3,0V d

b c e d

0V

Vt = 1V

VG-Vt


B

S D G

n+

•Sustrato p

n+

Perfil del canal. Análisis cualitativo (II)

1V 4V 0V

S

0V 0,25V

0,5V 0,75V

1V

D 0 1 2

4 3

5

(VG -Vt)- VX x

a

3,0V- 0,00V= 3,00V a

3,0V- 0,25V= 2,75V b

3,0V- 0,50V= 2,50V c

3,0V- 1,00V= 2,00V e 3,0V- 0,75V= 2,25V d

b c e d

0V

Vt = 1V

VG-Vt


B

S D G

n+

Sustrato p

n+

Perfil del canal. Análisis cualitativo (III)

5V 4V 0V

S

0V 1,25V

2,5V 3,75V

5V

D 0 1 2

4 3

5

(VG -Vt)- VX x

a

3,0V- 0,00V= 3,00V a

3,0V- 1,25V= 1,75V b

3,0V- 2,50V= 0,50V c

3,0V- 5,00V= -2,00V e 3,0V- 3,75V= -0,75V d

b c

0V

d

e

Vt = 1V

VG-Vt


Zona de saturación Zona lineal

Curvas características de los transistores MOS

| Vgs4 | >...> | Vgs1 | > | Vt |

Reflejan la variación de la corriente Ids en función de la tensión Vds para diferentes valores de Vgs constantes.

| Vgs4 |

| Vgs3 |

| Vgs2 |

| Vgs1 |

| Vgs-Vt |= | Vds |

5 0

0 | Vds | (V)

| Ids |

(mA)

1,8

1,5

1,2

0,9

0,6

0,3

4 3 2 1

14/11/2013 Facultad de Informática, U.P.M. 11

Curvas características de los transistores MOS obtenidas con

Microwind-2

nMOS pMOS

12 Facultad de Informática, U.P.M.

Facultad de Informática, U.P.M.

13


Modos de operación del transistor MOS y sus ecuaciones (I)

La ecuación (de primer orden o de nivel 1) que permite describir el comportamiento de la corriente Ids con la tensión Vds de un transistor MOS tiene la forma siguiente:

dsds

tgsds VVVVI

−−=

2)(β

β es el factor de ganancia del transistor


Modos de operación del transistor MOS y sus ecuaciones (II)

=

LWCoxµ

=

LWK

=

LW

tox

µεβ

Cox= ε/tox - capacidad de puerta por unidad de área

K - factor dependiente del proceso de fabricación

µ - movilidad de los portadores (µn o µp)

tox - espesor de la capa de óxido (SiO2)

ε - permitividad eléctrica del medio (SiO2)

L - longitud del canal

(W/L) - relación de aspecto

W - ancho del canal tox W

L


Zonas de funcionamiento del transistor MOS

El transistor MOS presenta tres zonas de funcionamiento:

1. Zona de corte o subumbral.

2. Zona lineal u óhmica (no saturada).

3. Zona de saturación.


Zona de corte

Se produce cuando: 0< |Vgs|< |Vt|

No hay canal formado. Vgs por debajo de la tensión umbral.

Se dice que el transistor está en “OFF” o en corte.

Se caracteriza por: Ids=0

Modelo equivalente: 0<|Vgs|< |Vt|

D S


Zona de lineal u óhmica (I)

Se produce cuando: |Vds|< |Vgs-Vt|

−−

=

2)(

1ds

tgsds

ds

VVVIV

β

Si asumimos que en esta zona (Vds/2)<< (Vgs-Vt), la expresión del corchete se puede considerar prácticamente constante, por lo que:

Recordando la ecuación del transistor MOS, podemos rescribirla de la siguiente manera:

dsds

tgsds VVVVI

−−=

2)(β


Zona de lineal u óhmica (II)

De aquí se concluye que en esta zona el transistor se comporta como una resistencia, pudiéndose determinar su valor por:

cteVV

LWKVVI

V

tgstgsds

ds =−

=−

≅)(

1)(

1β

cteVVKW

LRtgs

=

−

≅

)(1


Zona de lineal u óhmica (III)

Modelo equivalente:

para nMOS → Rn

para pMOS → Rp

Nota: esta resistencia será tanto menor cuanto mayor sea la tensión en puerta Vgs.

Rn o Rp

D S

cteVVKW

LRtgs

=

−

≅

)(1


Zona de lineal u óhmica (IV)

Un aspecto interesante a considerar es que la movilidad de los huecos µp es notoriamente menor que la de los electrones µn para el silicio. La ganancia β será casi tres veces menor en un

transistor p con respecto al n. Por ello la resistencia de canal R será casi tres veces

mayor para las mismas relaciones de aspecto y proceso tecnológico en un transistor tipo p respecto al tipo n.

En resumen, a igual relación de aspecto los transistores pMOS son sensiblemente más resistivos. Más lentos en la conmutación de una capacidad que

los nMOS.


Zona de saturación (I)

Se produce cuando: |Vds|> |Vgs-Vt|

Se caracteriza por: Ids≈ Isat= cte Este comportamiento es una consecuencia de la

aparición de un fenómeno conocido como “estrangulación del canal” o pinch-off.

Recordemos porqué se produce.


Zona de saturación (II)

Analicemos la variación del perfil del canal (distribución de los portadores presentes en el canal) a medida que va aumentando la tensión Vds (caso nMOS).

Para Vgs> Vt y Vds= 0

(Perfil horizontal, distribución uniforme de los portadores en toda la longitud del canal)

G S

B

D

Sustrato p

n+ n+

(+Vgs) (+Vds)

EG

canal n


G S

B

D

Sustrato p

n+ n+

Zona de saturación (III)

Para Vgs> Vt y Vds< (Vgs-Vt)

(Zona lineal u óhmica)

El perfil del canal se va estrechando en dirección al drenador dado que la intensidad del campo EG se va haciendo menor a medida que nos acercamos al drenador.

DE

es débil

(+Vgs) (+Vds)

EG ED


S G

B

D

Sustrato p

n+ n+

Zona de saturación (IV)

En esta zona, a medida que Vds se hace más grande, mayor será la zona estrangulada del canal pero a su vez el campo ED será más intenso.

Por tanto el nivel de corriente Ids se mantiene prácticamente constante, es decir, alcanza su nivel de saturación (Isat).

(Zona de saturación)

Para Vgs> Vt y Vds> (Vgs-Vt)

DE

es fuerte

Vgs-Vt

Vds

(+Vgs) (+Vds)

EG ED


Zona de saturación (V)

La línea de separación entre la zona lineal y la zona de saturación se alcanza cuando:

)( tgsds VVV −=

dsds

dstgstgs

dsds

tgsds VVVVVVV

VVVVI

−=−

−=

−−=

2)(

2)(

2)( β

ββ

ctedstgsIVVV

ds ≅==−

22

22)( ββ

Ecuación de una parábola

El nivel de corriente será:


Zona de saturación (VI)

Debido a la reducción efectiva que experimenta el canal en la zona saturada, la expresión analítica utilizada para representar el comportamiento del transistor MOS en esta zona tiene la forma:

( ) ( ) cteVVVL

WKsatI dstgsds ≅+−

= λ1

2)( 2

Siendo λ - factor de modulación de la longitud del canal (0,02 - 0,005)

( ) ( ) cteVVVsatI dstgsds ≅+−= λβ 12

)( 2


Zona de saturación (VII)

Modelo equivalente.

S D

Ids= Isat

r


Modos de funcionamiento de un transistor MOS. Resumen

Zona de corte

Zona lineal

Zona de saturación

nMOS pMOS

0<Vgs<Vt 0>Vgs>Vt

Vds < (Vgs-Vt) Vds > (Vgs-Vt)

Vds > (Vgs-Vt) Vds < (Vgs-Vt)

Modelo eléctrico

equivalente

|Vgs|< |Vt |

D S

Rn o Rp

D S

S D

Ids= Isat

r


Ecuaciones de un transistor nMOS

Zona de corte

Zona lineal

Zona de saturación

0< Vgs<Vt

Vds < (Vgs-Vt)

Vds > (Vgs-Vt) ( )dstgsoxn

ds VVVL

WCsatI λµ+−

= 1)(

2)( 2

[ ] dsdsgsoxn

ds VVVtVL

WCI −−

= )(2

2µ

0=dsI

Vgs>Vt

Vgs>Vt


Ecuaciones de un transistor pMOS

Zona de corte

Zona lineal

Zona de saturación

0> Vgs>Vt

Vds > (Vgs-Vt)

Vds < (Vgs-Vt) ( )dstgsoxp

ds VVVL

WCsatI λµ +−

= 1)(

2)( 2

[ ] dsdsgsoxp

ds VVVtVL

WCI −−

= )(2

2µ

0=dsI

Vgs<Vt

Vgs<Vt


Tensión umbral (efecto de sustrato)

La tensión umbral Vt en un transistor MOS no es fija puesto que depende de la diferencia de voltaje entre el sustrato y la fuente del transistor. A este hecho se le conoce como “efecto de

polarización del sustrato” o “efecto de sustrato”.


Capacidades en el transistor MOS (I)

Cgs Capacidad entre puerta y el canal en la zona ligada a la fuente.

Cgd Capacidad entre puerta y el canal en la zona ligada al drenador.

Csb Capacidad entre la difusión de fuente con el sustrato.

Cdb Capacidad entre la difusión de drenador con el sustrato.

Cgb Capacidad de puerta a sustrato.


Modelo de capacidades. Capacidad de puerta.

Dos componentes diferenciadas en la capacidad de la puerta: capacidad intrínseca y capacidad extrínseca.

Cg(total)= Cg(intrínseca)+ Cg(extrínseca) La componente intrínseca es la suma de varias

capacidades: Cg(intrínseca)= Cgb+ Cgs+ Cgd

Capacidad de difusión. Relacionada con el contacto entre las zonas de

difusión de fuente y drenador con el sustrato.

Capacidades en el transistor MOS (II)


Capacidades en el transistor MOS (III)

Capacidad intrínseca. La existente cuando xd= 0.

No existe solapamiento entre la puerta y la fuente o entre la puerta y el drenador.

Capacidad extrínseca. Aquella componente debida

al hecho de que xd≠ 0. Producto de imperfecciones

en el proceso de fabricación.


Modelo de capacidades intrínsecas de puerta (I)

Su magnitud atendiendo a la zona de funcionamiento del transistor será igual a: Zona de corte y zona lineal:

Zona saturada:

WLCtWL

oxox

=ε

oxox tWL

tWL εε 9.0,

32


Modelo de capacidades intrínsecas de puerta (II)

Capacidad Parámetro Zona de

corte Zona lineal Zona saturada

Cgb ε·W·L/ tox 0 0 Cgs 0 ε·W·L/2·tox 2·ε·W·L/ 3·tox

Cgd 0 ε·W·L/2·tox 0

>0 cuando el canal es corto Cg= Cgb+Cgs+Cgd ε·W·L/tox ε·W·L/tox 2·ε·W·L/3·tox→0.9·ε·W·L/ tox

Aproximación a la capacidad intrínseca de puerta.

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