El Transistor Mono Unión

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El transistor mono unión (U J T) es un dispositivo semiconductor de tres terminales que se utiliza generalmente para generar señales de disparo en los SCR. Un U J T tiene tres terminales, conocidas como emisor, E, base 1, B1 y base 2, B2. (la resistencia entre bases R B B tiene valores en el rango de 4 a 10 Kilos). Aplicaciones. Osciladores. Circuitos de disparo. Generadores de diente de sierra. Temporizadores. Alimentaciones reguladas de voltaje o corriente. RB1. Resistencia variable cuya magnitud puede variar de 5 kilo OMS a 50 OMS para un cambio correspondiente a la corriente de emisor de cero a 50 micro amperes. RBB. Resistencia entre las terminales B1 y B2. Cuando la corriente de emisor es igual a cero, se encuentra dentro del intervalo de 4 a 10 kilo OMS. VRB1. Se determina mediante la regla de divisor de voltaje. Descripción de la gráfica. Una vez que el potencial del emisor (ve) es igual al voltaje de disparo (vp), el potencial del emisor disminuye con el aumento de la corriente del emisor, debido a la resistencia decreciente rb1, por consiguiente, el dispositivo tendrá una región de resistencia negativa muy estable que permite utilizar al dispositivo con un alto grado de confiabilidad. Una vez alcanzado el punto valle, cualquier incremento en la corriente de emisor pondrá al dispositivo en la región de saturación. En esta región las características del emisor se aproximan a las de un diodo semiconductor

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El transistor mono unión (U J T) es un dispositivo semiconductor de tres terminales que se utiliza generalmente para generar señales de disparo en los SCR. Un U J T tiene tres terminales, conocidas como emisor, E, base 1, B1 y base 2, B2. (la resistencia entre bases R B B tiene valores en el rango de 4 a 10 Kilos).

Aplicaciones.

Osciladores.

Circuitos de disparo.

Generadores de diente de sierra.

Temporizadores.

Alimentaciones reguladas de voltaje o corriente.

RB1. Resistencia variable cuya magnitud puede variar de 5 kilo OMS a 50 OMS para un cambio correspondiente a la corriente de emisor de cero a 50 micro amperes.

RBB. Resistencia entre las terminales B1 y B2. Cuando la corriente de emisor es igual a cero, se encuentra dentro del intervalo de 4 a 10 kilo OMS.

VRB1. Se determina mediante la regla de divisor de voltaje.

Descripción de la gráfica.

Una vez que el potencial del emisor (ve) es igual al voltaje de disparo (vp), el potencial del emisor disminuye con el aumento de la corriente del emisor, debido a la resistencia decreciente rb1, por consiguiente, el dispositivo tendrá una región de resistencia negativa muy estable que permite utilizar al dispositivo con un alto grado de confiabilidad.

Una vez alcanzado el punto valle, cualquier incremento en la corriente de emisor pondrá al dispositivo en la región de saturación. En esta región las características del emisor se aproximan a las de un diodo semiconductor

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