El silicio y los circuitos integrados

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el SILICIO Su majestad

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el SILICIO

Su majestad

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ALGUNOS DATOS sobre el Silicio• No se encuentra en

la naturaleza como sustancia pura

• Existe en forma de cuarzo (SiO2 )

• Es el mineral más abundante en la corteza terrestre – presenta unos 14% Temp. fusión 1410° C

Temp. Evapor. 2355° CDensidad 2.33 g/cm3

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Descubrimiento del Si• 1824 el químico

sueco Jons Jacob Berzelius descubre e y describe las propiedades del Si.

• 1811 se obtiene en forma impura

• 1854 se obtiene el Si en forma cristalina mediante electrólisis

A partir de los años 1899 - 1905 el Si se obtiene en hornos de arco voltaico

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Los primeros ordenadores

EDVAC

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ENIAC

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ENIAC

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El Si para la microelectónica

1. Se obtiene como resultado de la reacción SiO2 + C Si + CO2

(grado metalúrgico de la pureza 98% )2. Para eliminar el resto de las impurezas SiC + SiO2 3 Si + 2 CO

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3. Se calienta hasta unos

1400 ° C, en una cámara de vacío

4. Se enfria con una velocidad

determinada y se obtiene una forma

cilíndrica de 3,8 a 10,2 cm diámetro

5. Se calienta una vez más mediante un horno de calentación zonal - de tal manera todas otas impurezas se eliminan

El Si para la microelectónica

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Se trabaja en condiciones especiales

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Etapas tecnológicas

• Se corta el cilindro en placas de 0.004 a 0.01 cm

• La superficie se cubre con SiO2 para eliminar la oxidación posterior

• La superficie se cubre con una placa resistente a la luz (photoresist)

• Se obtienen los pasos p-n (0.0001 cm) y las zonas de diferente conductividad

• Se controla a cada paso la concentración de impurezas

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Etapas tecnológicas

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Se trabaja en condiciones especiales

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Los métodos utilizados

La difusión (816-1205°C) la sustancia dopante, en estado gaseoso, se transporta sobre la superficie de la placa mediante un gas inerte (Ar) - largas áreas

La implantación de iones - en tubo de vacío, dos electrodos y iones acelerados en un campo eléctrico - muy preciso, más lento que la difusión

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Etapas tecnológicas

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Лили Самуркова

164 ГПИЕ “М. де Сервантес”, София

2011